Научные публикации

1. Mantsurova S. V. Stability analyses of self-catalyzed planar GaAs nanowire growth on structured surface by Monte Carlo simulation / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. – DOI 10.1016/j.surfin.2026.108584. – Text : direct // Surfaces and Interfaces. – 2026. – Vol. 84. – Art. 108584 (11 p.). – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project N? FWGW-2025-0015).
Персональные сайты авторов: Манцурова С. В., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

2. Mantsurova S. V. Effect of Au Deposition Rate on the Gold Droplet Velocity on Si(111) and Si(011) Surfaces (Monte Carlo Simulation) / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. - DOI 10.1002/pssb.202400103. - Text : direct // Physica Status Solidi (B). - 2025. - Vol. 262, iss. 3. - Art. 2400103 (6 p.).
Персональные сайты авторов: Манцурова С. В., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

3. Mantsurova S. V. Effect of substrate orientation and catalyst droplet size on the growth direction of silicon nanowires / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. – DOI 10.3103/S8756699025700293. – Text : direct // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. – 2025. – Vol. 61, iss. 2. – P. 243–249. – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project no. FWGW-2025-0015).
Персональные сайты авторов: Манцурова С. В., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

4. Mantsurova S. V. Examination of the growth conditions influence on the planar silicon nanowire morphology by Monte Carlo simulation / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. – DOI 10.1016/j.mssp.2024.109221. – Text : direct // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2025. – Vol. 188. – Art. 109221. – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Education and Science of the Russian Federation (project № FWGW-2022-0008).
Персональные сайты авторов: Манцурова С. В., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

5. Манцурова С. В. Влияние ориентации подложки и размера капли катализатора на направление роста кремниевых нанопроволок = Effect of substrate orientation and catalyst droplet size on the silicon nanowire growth direction / С. В. Манцурова, Н. Л. Шварц. - DOI 10.15372/AUT20250209. - Текст : непосредственный // Автометрия. - 2025. - Т. 61, № 2. - С. 76-83.
Персональные сайты авторов: Манцурова С. В., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

6. Mantsurova S. V. Gold-Assisted nanowire growth on silicon surfaces with different orientations (monte carlo simulation) / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. – DOI 10.1109/EDM61683.2024.10615133. – Text : electronic // 25 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM–2024) : proc., Altai, 28 June – 2 July 2024. – IEEE, 2024. – P. 280–285. – URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/10615133 (access date: 06.09.2024). – ISBN 979-8-3503-8923-4.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

7. Growth Mechanisms of GaN/GaAs Nanostructures by Droplet Epitaxy Explained by Complementary Experiments and Simulations / G. Tsamo, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz [et al.]. - DOI 10.1021/acs.jpcc.3c07945. - Text : direct // Journal of Physical Chemistry. C. - 2024. - Vol.128, iss.12. - P. 5168-5178.
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

8. Spirina A. A. Monte carlo simulation of planar GaAs nanowire growth / A. A. Spirina, N. L. Shwartz. – DOI 10.1016/j.jcrysgro.2024.127631. – Text : direct // Journal of Crystal Growth. – 2024. – Vol. 632. – Art. 127631 (8 p.).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

9. Nastovjak A. G. Shape modification of vertical nanowires under annealing / A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz. – DOI 10.3103/S8756699024700262. – Text : direct // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. – 2024. – Vol. 60, iss. 2. – P. 220–228. – Работа выполнена : при поддержке Russian Federation Ministry of Science and Higher Education (project no. 0242-2021-0008).
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

10. Merkulin K. V. Vicinal GaAs(111) substrates with different misorientation directions / K. V. Merkulin, N. L. Shwartz [et al.]. – DOI 10.1109/EDM61683.2024.10615064. – Text : electronic // 25 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM–2024) : proc., Altai, 28 June – 2 July 2024. – IEEE, 2024. – P. 200–203. – URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/10615064 (access date: 06.09.2024). – ISBN 979-8-3503-8923-4.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

11. Манцурова С. В. Влияние свойств структурированной поверхности подложки на морфологию планарных нанопроволок GAAS (моделирование Монте-Карло) = Influence of structured substrate surface properties on the GAAS planar nanowire morphology (Monte Carlo simulation) / С. В. Манцурова, А. А. Спирина, Н. Л. Шварц. - DOI 10.61011/FTP.2024.11.59484.20S. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников = Fizika i tekhnika poluprovodnikov. - 2024. – Т. 58, № 11. – С. 612–619.
Персональные сайты авторов: Манцурова С. В., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

12. Капельная эпитаксия нанокластеров GaN на подложках GaAs(Монте-Карло моделирование) = Gan nanocluster droplet epitaxy on gaas substrate (Monte Carlo simulation) / А. Г. Настовьяк, Н. Л. Шварц, G. Tsamo [и др.]. – Текст : электронный // Горячие точки химии твердого тела: ориентированные фундаментальные исследования : тез. докл. 4 Междунар. конф., посвящ. 80-летию Института химии твердого тела и механохимии СО РАН, Новосибирск, 2–4 июля 2024 г. – Новосибирск : Институт химии твердого тела и механохими, 2024. – С. 134–135. – URL: http://www.solid.nsc.ru/htssc2024/Book_of_Abstracts.pdf (дата обращения: 11.12.2025). – ISBN 978-5-6049325-2-0.
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

13. Настовьяк А. Г. Модификация формы вертикальных нанопроволок в процессе отжига = Vertical nanowire shape modification during annealing / А. Г. Настовьяк, Н. Л. Шварц. - DOI 10.15372/AUT20240207. - Текст : непосредственный // Автометрия. - 2024. – Т. 60, № 2. – С. 56–65.
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

14. Mantsurova S. V. Effect of silicon surface orientation on the Au droplet motion / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. - DOI 10.1016/j.surfin.2023.103193. - Text : direct // Surfaces and Interfaces. - 2023. - Vol. 41. - Art. 103193.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

15. Kostyuchenko V. V. Electric field distribution in SOI-nanoribbon biosensors with dielectrophoretic control / V. V. Kostyuchenko, E. G. Zaytseva, O. V. Naumova. – DOI 10.1109/EDM58354.2023.10225103. – Text : direct // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 1410–1413. – ISBN 979-8-3503-3687-0.
Проверено библиотекой

16. Kinetically driven thermal roughening of semiconductor surfaces: experiment on GaAs and Monte Carlo simulation / D. M. Kazantsev, N. L. Shwartz [et al.]. – DOI 10.1088/1402-4896/acb6bc. – Text : direct // Physica Scripta. – 2023. – Vol. 98, iss. 3. – Art. 035702.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

17. Optical properties of two-dimensional islands of tungsten disulfide (WS2) / A. Y. Krivonogova, N. N. Kurus, I. A. Milekhin [et al.]. – DOI 10.1109/EDM58354.2023.10225062. – Text : direct // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 190–193. – ISBN 979-8-3503-3687-0.
Проверено библиотекой

18. Nastovjak A. G. Simulation of GaAs nanowire annealing / A. G. Nastovjak, D. V. Shterental, N. L. Shwartz. – DOI 10.1016/j.commatsci.2023.112310. – Text : direct // Computational Materials Science. – 2023. – Vol. 228. – Art. 112310. – Работа выполнена : при поддержке Russian Ministry of Education and Science (№ 0242-2021-0008).
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

19. Litvinenko M. A. Simulation of GaN nanocluster droplet epitaxy on Si(111) substrate / M. A. Litvinenko, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz. – DOI 10.1109/EDM58354.2023.10225055. – Text : direct // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 80–83. – ISBN 979-8-3503-3687-0.
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

20. Mantsurova S. V. Temperature influence on the Si(111) surface relief evolution during au deposition / S. V. Mantsurova, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz. – DOI 10.1109/EDM58354.2023.10225202. – Text : direct // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 10–13. – ISBN 979-8-3503-3687-0. – Работа выполнена: supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project № 0242-2021-0008).
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

21. Zhikharev P. V. Effect of mask-film properties on the initial GaAs nanowire growth stages / P. V. Zhikharev, N. L. Shwartz. - DOI 10.1088/1742-6596/2227/1/012015. - Text : electronic // Journal of Physics: Conference Series. - 2022. - Vol. 2227 : 23 Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021), 22-26 Nov. 2021. - Art. 012015 (5 p.). - URL: https: // iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2227/1/012015/meta. - Publication date: 25.04.2022. - Работа выполнена : при поддержке Ministry of Education and Science of the Russian Federation (Project № 0242-2021-0008).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

22. Kudrich S. V. Gold Drop Formation and Motion over a Si(111) Substrate: Monte Carlo Simulation / S. V. Kudrich, A. A. Spirina, N. L. Shwartz. - DOI 10.3103/S8756699022060061. - Text : direct // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. - 2022. - Vol. 58, iss. 6. - P. 608-615.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

23. Nastovjak A. G. Monte Carlo simulation of alternate pulsed epitaxial growth of gaas nanowires / A. G. Nastovjak, D. V. Shterental, N. L. Shwartz. – DOI 10.1002/pssb.202100641. – Text : direct // Physica Status Solidi (B). – 2022. – Vol. 259, iss. 11. – Art. 2100641 (8 p). – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Educationand Science of the Russian Federation (project no. 0242-2021-0008).
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

24. Monte Carlo Simulation of Gold Drop Formation and Movement over a Silicon Substrate / S. V. Kudrich, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz, A. A. Spirina. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855049. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 6-10. - ISBN 978-1-6654-9804-3.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

25. Nanolithography of Amorphous Vanadium Oxide Films Using an Atomic Force Microscope / A. I. Komonov, N. D. Mantsurov, S.V. Mutilin [et. all] ; [sci. ed. N. L. Shwartz]. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855164. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 20-24. - ISBN 978-5-7782-4288-3.
Проверено библиотекой

26. Preparation of Silicon (111) Surface for Epitaxial Growth of III-Nitride Structures by MBE / D. D. Bashkatov, D. S. Milakhin [et. al.] ; [sci. ed. N. Shwartz]. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855155. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - 5 p. - ISBN 978-1-6654-9804-3.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

27. Кудрич С. В. Влияние температуры на морфологию поверхности Si(111) при осаждении золота / С. В. Кудрич [С. В. Манцурова] ; науч. рук. Н. Л. Шварц. – Текст : непосредственный // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 16 Всерос. науч. конф. молодых ученых, Новосибирск, 5–8 дек. 2022 г. : в 11 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2022. – Ч. 2. – С. 69–72. – 100 экз. – ISBN 978-5-7782-4863-2.
Проверено библиотекой

28. Моделирование высокотемпературных отжигов массива нанопроволок GAAS = Simulation of high-temperature annealing of GAAS nanowire array / А. Г. Настовьяк, Д. В. Штеренталь, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц. - DOI 10.29003/m3071.MMMSEC-2022/71-74. - Текст : непосредственный // Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов : материалы 4 междунар. конф., Москва, 24–26 окт. 2022 г. – Москва : МАКС Пресс, 2022. – С. 71–74. - ISBN 978-5-317-06871-4.
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

29. Моделирование отжига нанопроволок GAAS / А. Г. Настовьяк, Д. В. Штеренталь, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц. - Текст : электронный // Нанофизика и наноэлектроника : труды 26 междунар. симпозиума, Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г. – Нижний Новгород : Изд-во ННГТУ, 2022. – Т. 2. – С. 944–945. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=48209070&selid=49778179 (дата обращения: 26.12.22). - ISBN 978-5-91326-720-7. – Работа Выполнена : при поддержке программы Минобрнауки РФ (№ 0242-2021-0008).
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

30. Poteryaev D. Н-BN: graphene based high conductive composite films for flexible heterostructures / D. Poteryaev ; [науч. рук. N. Shwartz] ; research adviser I. V. Antonova ; language adviser S. V. Nikroshkina. – Текст : непосредственный // Progress through innovations : тр. 10 междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 31 марта 2022 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2022. – С. 76–78.
Персональные сайты авторов: Никрошкина С. В., Антонова И. В.
Проверено библиотекой

31. Zhikharev P. Conditions for the Formation of Vertical Nanowires and Crystalline Clusters of GaAs during the Self-Catalyzed Growth / P. Zhikharev, A. Nastovjak, N. Shwartz ; [sci. ed. N. L. Shwart]. - DOI: 10.1109/EDM52169.2021.9507696. - Text : direct // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 62-66. - 100 copy. - ISBN 978-1-6654-1498-2.
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

32. Spirina A. GaAs planar nanowire growth on vicinal GaAs(111)a substrates / A. Spirina, N. L. Shwartz. - DOI 10.1109/EDM52169.2021.9507648. - Text : direct // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 12-16. - ISBN 978-1-6654-1498-2. - Работа выполнена: при поддержке RFBR (grant № 19-31-90023) and RAS program.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

33. Spirina A. A. Influence of GaAs substrate misorientation on gallium and arsenic evaporation rates / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // Journal of Physics: Conference Series. - 2021. - Vol. 1851 : The 22 Russian youth conference on physics of semiconductors and nanostructures, opto- and nanoelectronics (RYCPS 2020), Saint Petersburg, 23–27 Nov. 2020. – Art. 012001 (5 p.). - DOI: 10.1088/1742-6596/1851/1/012001. - Работа выполнена: при поддержке RFBR (grant 19-31-90023) and by the Russian Academy of Sciences Programs.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

34. Influence of the elemental composition on the surface of the GaN layer on the surface energy in Ammonia MBE / Y. E. Maidebura [et al.] ; [sci. ed. N. L. Shwart]. - DOI: 10.1109/EDM52169.2021.9507711. – Text : direct // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 83-86. - ISBN 978-1-6654-1498-2.
Проверено библиотекой

35. Spirina A. A.Langmuir evaporation of GaAs(111)A and GaAs(111)B: Monte Carlo simulation / A. A. Spirina, V. L. Alperovich, N. L. Shwartz // Applied Surface Science. - 2021. - Vo. 540, pt. 1. - Art. 148281 (6 p.). - DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.148281.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

36. Spirina A. A. Time evolution of GaAs(111) surface morphology and desorption rate during Langmuir evaporation: Monte Carlo simulation / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2021. - Vol. 134. - Art. 106025 (8 p.) - DOI: 10.1016/j.mssp.2021.106025. - Работа выполнена : при поддержке Russian Foundation for Basic Research (grant 19-31-90023) and by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (Project N?0242-2021-0008).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

37. Манцуров Н. Д. Изучение морфологии и свойств фазового перехода в пленках и нанокристаллах VO2 синтезированных методом CVD / Н. Д. Манцуров, К. Е. Капогузов, Л. В. Яковкина ; науч. рук. С. В. Мутилин. – Текст : непосредственный // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 15 Всерос. науч. конф. молодых ученых, посвящ. Году науки и технологий в России, Новосибирск, 6–10 дек. 2021 г. : в 10 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – Ч. 3. – С. 180–184.
Проверено библиотекой

38. A mask based on a Si epitaxial layer for the self-catalytic nanowire growth on GaAs(111)B and GaAs(100) substrates / N. L. Shwartz [et al.] // Technical Physics Letters. - 2020. - Vol. 46, iss. 2. - P. 161–164. - DOI: 10.1134/S1063785020020194. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ (18-02-00764-a).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

39. Shwartz N. L. Annealing Kinetics of GaAs under Incongruent Evaporation Conditions [Electronic resource] / N. L. Shwartz // 21 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : proc., Altai Republic, 29 June – 3 July 2020. – Novosibirsk : IEEE, 2020. - P. 19-22. - Mode of access: https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9153347. - Title from screen - ISBN 978-1-7281-6846-3. - DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153347. - Работа выполнена : при поддержке RFBR (grant 19-31-90023) and by the Russian Academy of Sciences Programs.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

40. Spirina A. A. Effect of temperature on the morphology of planar gaas nanowires (simulation) / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // Semiconductors. - 2020. - Vol. 54, iss. 2. - P. 212-216. - DOI: 10.1134/S1063782620020190. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ ( project no. 19-31-90023)ю
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

41. Nastovjak A. G. Examination of the crystallization process at the liquid-crystal interface during nanowire growth / A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // Nanotechnology. - 2020. - Vol. 31, iss. 35. - Art. 354005 (6 p.). - DOI: 10.1088/1361-6528/ab93ed. - Работа выполнена: при поддержке Russian Foundation for Basic Research (Grant No. 18-02-00764).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

42. Spirina A. A. Influence of gallium and arsenic deposition rates on the GaAs planar nanowire morphology / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // Journal of Physics: Conference Series. - 2020. - Vol. 1482 : 21 Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2019), Saint Petersburg, 2019. - Art. 012007 (4 p.). - DOI: 10.1088/1742-6596/1482/1/012007. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ (grant 19-31-90023).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

43. Zhikharev P. V. Monte Carlo Simulation of GaSb Cluster Formation on Si(111) substrate [Electronic resource] / P. V. Zhikharev, N. L. Shwartz // 21 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : proc., Altai Republic, 29 June – 3 July 2020. – Novosibirsk : IEEE, 2020. - P. 9-13. - Mode of access: https://ieeexplore.ieee.org/document/9153540. - Title from screen - ISBN 978-1-7281-6846-3. - DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153540. - Работа выполнена : при поддержке RFBR (grant 18-02- 00764), and by the Russian Academy of Sciences Programs.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

44. Reasons of crystallite formation during the self-catalyzed gaas nanowire growth / N. L. Shwartz [et al.] // Semiconductors. - 2020. - Vol. 54, iss. 14. - P. 1850–1853. - DOI: 10.1134/S1063782620140213. - Работа выполнена: при поддержке Russian Foundation for Basic Research (grant 18-02-00764).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

45. Role of Readsorption in the Formation of Vertical AIIIBV Nanowires with Self-Catalytic Growth / A. G. Nastovjak, A. G. Usenkova, N. L. Shwartz, I. G. Neizvestny // Russian Microelectronics. - 2020. - Vol. 49, iss. 3. - P. 166-172. - DOI: 10.1134/S106373972003004X. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ (18-02-00764).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л., Неизвестный И. Г.
Проверено библиотекой

46. Self-catalyzed GaAs Nanowire Growth at Alternate Arsenic Flux / P. V. Shipulin, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // 21 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : proc., Altai Republic, 29 June – 3 July 2020. – Novosibirsk : IEEE, 2020. - P. 32–35. - ISBN 978-1-7281-6846-3. - DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153341. - Работа выполнена : при поддержке RFBR (grant 18-02-00764).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

47. Simulation of Plasmon Enhanced Radiation from SiGe Quantum Dots Combined with Silver Nanoparticles / ; sci. ed. N. L. Shwartz // 21 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : proc., Altai Republic, 29 June – 3 July 2020. – Novosibirsk : IEEE, 2020. - P. 72-75. - ISBN 978-1-7281-6846-3. - DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153345.
Проверяется библиотекой

48. Роль реадсорбции в формировании вертикальных, нанопроволок А3В5 при самокаталитическом росте / А. Г. Настовьяк, А. Г. Усенкова, Н. Л. Шварц, И. Г. Неизвестный // Микроэлектроника = Mikroelektronika. - 2020. – Т. 49, № 3. – С. 179–185. - DOI: 10.31857/S0544126920030047.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л., Неизвестный И. Г.
Проверено библиотекой

49. Zhukov A. T. Examination of initial nanowire growth stages [Electronic resource] / A. T. Zhukov, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // 20 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2019 : conf. proc., Altai Republic, Erlagol, 29 June – 3 July, 2019. – IEEE, 2019. – P. 32-35. - Mode of access: http:// https://ieeexplore.ieee.org/document/8823290/authors#authors. - Title from screen - ISBN 978-1-7281-1753-9. - DOI: 10.1109/EDM.2019.8823290.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

50. Examination of self-catalyzed III–V Nanowire growth by Monte Carlo simulation / A. G. Nastovjak, A. G. Usenkova, N. L. Shwartz, I. G. Neizvestny // Semiconductors. - 2019. - Vol. 53, iss. 16. - P. 2106-2109. - DOI: 10.1134/S1063782619120194. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ (grant 18-02-00764).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л., Неизвестный И. Г.
Проверено библиотекой

51. Spirina A. A. Initial stages of planar GaAs nanowire growth – Monte Carlo simulation / A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Semiconductors. - 2019. - Vol. 53, iss. 16. - Р. 2125-2128. - DOI: 10.1134/S1063782619120297. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ (grant 18-02-00764).
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

52. Spirina A. A. Metal droplet formation and motion during the III-V semiconductor evaporation / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2019. - Vol. 100. - P. 319-325. - DOI: 10.1016/j.mssp.2019.05.012. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

53. Shwartz N. L. Monte Carlo simulation of roughening at step-terraced surfaces / N. L. Shwartz // Journal of Physics: Conference Series. - 2019. - Vol. 1199. - Art. 012010 (5 p.). - DOI: 10.1088/1742-6596/1199/1/012010.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

54. Spirina A. A. Simulation of planar nanowire growth based on AIIIBV semiconductors [Electronic resource] / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // 20 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2019 : conf. proc., Altai Republic, Erlagol, 29 June – 3 July, 2019. – IEEE, 2019. – P. 36-39. - Mode of access: http:// https://ieeexplore.ieee.org/document/8823490/authors#authors. - Title from screen - ISBN 978-1-7281-1753-9. - DOI: 10.1109/EDM.2019.8823490.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

55. Шварц Н. Л. Движение капель металла при высокотемпературных отжигах полупроводников III-V (Монте Карло моделирование) [Электронный ресурс] / Н. Л. Шварц, А. А. Спирина // Полупроводники–2019 : тез. докл. 14 Рос. конф. по физике полупроводников, Новосибирск, 9–13 сент. 2019 г. – Москва : Перо, 2019. – Ч. 1. – С. 139. – Режим доступа: https://www.isp.nsc.ru/nauka/izdaniya/semicond2019-abstracts. - Загл. с экрана. - ISBN 978-5-00150-446-7, 978-5-00150-447-4. – DOI: 10.34077/Semicond2019-139. – Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (No18-02-00764-а) и программ РАН
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

56. Тумашев В. С. Метод формирования металлических самосовмещенных электродов на поверхности пьедесталов из негативного резиста / В. С. Тумашев, В. А. Селезнев ; [науч. рук. Н. Л. Шварц] // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 2–6 дек. 2019 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2019. – Ч. 6. – С. 137–141. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-4012-4.
Проверено библиотекой

57. Настовьяк А. Г. Моделирование роста нанопроволок AIIIBV методом импульсной эпитаксии / А. Г. Настовьяк, Н. Л. Шварц // Фотоника-2019 : тезисы докл. Рос. конф. и шк. молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 27–31 мая 2019 г. – Новосибирск : Офсет-ТМ, 2019. – С. 20. – ISBN 978-5-85957-153-6.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

58. Термическое выглаживание и огрубление поверхности GaAs [Электронный ресурс] / Д. М. Казанцев, И. О. Ахундов, А. С. Кожухов, Н. Л. Шварц [и др.] // Полупроводники–2019 : тез. докл. 14 Рос. конф. по физике полупроводников, Новосибирск, 9–13 сент. 2019 г. – Москва : Перо, 2019. – Ч. 1. – С. 75. – Режим доступа: https://www.isp.nsc.ru/nauka/izdaniya/semicond2019-abstracts. – Загл. с экрана. – ISBN 978-5-00150-446-7, 978-5-00150-447-4. – DOI: 10.34077/Semicond2019-75.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

59. Спирина А. А. Условия формирования планарных нанопроволок GaAs (моделирование) [Электронный ресурс] / А. А. Спирина, Н. Л. Шварц // Полупроводники–2019 : тез. докл. 14 Рос. конф. по физике полупроводников, Новосибирск, 9–13 сент. 2019 г. – Москва : Перо, 2019. – Ч. 1. – С. 133. – Режим доступа: https://www.isp.nsc.ru/nauka/izdaniya/semicond2019-abstracts. – Загл. с экрана. – ISBN 978-5-00150-446-7, 978-5-00150-447-4. – DOI: 10.34077/Semicond2019-133. – Работа выполнена при поддержке программ РАН.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

60. Spirina A. A. Characteristics of Ga droplet movement during the GaAs Langmuir evaporation / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc., 26 intern. symp., Republic of Belarus, Minsk, 18–22 June 2018. – Saint Petersburg : Acad. Univ. Publ., 2018. – P. 140–141. - ISBN 978-985-7202-35-5. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

61. Spirina A. A. Comparative characteristics of GaAs and InAs Langmuir evaporation - Monte Carlo simulation / A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Defect and Diffusion Forum. - 2018. - Vol. 386 : 4 Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials, ASCO-Nanomat 2018. - P. 27-32. - DOI: 10.4028/www.scientific.net/DDF.386.27.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

62. Concentric GaAs nanorings formation by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation / N. L. Shwartz, M. F. Vasilenko, A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny // Computational Materials Science. - 2018. - Vol. 141. - P. 91-100. - DOI: 10.1016/j.commatsci.2017.09.020. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л., Неизвестный И. Г.
Проверено библиотекой

63. Concentric GaAs nanorings growth modelling / I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz [et al.] // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52, iss. 5. - P. 639-644. - DOI: 10.1134/S1063782618050226. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

64. Spirina A. A. Examination of GaAs and InAs Langmuir evaporation by simulation / A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // The fourth asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO–NANOMAT 2018) : proc., Vladivostok, 23–28 Sept. 2018. – Vladivostok : Far Eastern Federal Univ., 2018. – P. 96-97. - ISBN 978-5-8044-1556-4. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

65. Shterental D. V. Examination of schwoebel barrier influence on gan quantum dot formation / D. V. Shterental, A. N. Karpov, N. L. Shwartz // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 30-34. - ISBN 978-1-5386-5020-2 . - DOI: 10.1109/EDM.2018.8435027. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

66. Spirina A. A. GaAs substrates langmuir evaporation kinetics / A. A. Spirina, N. L. Shwartz // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 35-39. - ISBN 978-1-5386-5020-2 . - DOI: 10.1109/EDM.2018.8435019. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

67. Spirina A. A. Influence of GaAs substrate properties on the congruent evaporation temperature / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // Journal of Physics: Conference Series. - 2018. – Vol. 993 : 19 Russian youth conference on physics of semiconductors and nanostructures, opto- and nanoelectronics, Saint Petersburg, 2017. – Art. 012011 (6 p.). - DOI: 10.1088/1742-6596/993/1/012011. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

68. Monte Carlo simulation of Ga droplet movement during the GaAs langmuir evaporation / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52, iss. 16. - P. 2135–2139. - DOI: 10.1134/S1063782618160340. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

69. Spirina A. A. Surface orientation influence on the characteristics of GaAs substrates high-temperature annealing / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // The fourth asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO–NANOMAT 2018) : proc., Vladivostok, 23–28 Sept. 2018. – Vladivostok : Far Eastern Federal Univ., 2018. – P. 125–126. - ISBN 978-5-8044-1556-4. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

70. Spirina A. A. Surface orientation influence on the Langmuir evaporation characteristics of GaAs substrates / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // Defect and Diffusion Forum. - 2018. - Vol. 386 : 4 Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials, ASCO-Nanomat 2018. - P. 21-26. - DOI: 10.4028/www.scientific.net/DDF.386.21.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

71. Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation / N. L. Shwartz [et al.] // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52, iss. 5. - P. 618-621. - DOI: 10.1134/S1063782618050147. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

72. Решеточная Монте-Карло модель ленгмюровского испарения полупроводников AIIIBV = Lattice Monte Carlo model of Langmuir evaporation of AIIIBV semiconductors / А. А. Спирина, А. Г. Настовьяк, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц // Вычислительные технологии = Vychislitel'nye tekhnologii. – 2018. – Т. 23, № 6. – С. 80–92. – DOI: 10.25743/ICT.2018.23.6.008. – Работа выполнена: при финансовой поддержке РФФИ (проект № 16-31-00120) и прогр. Президиума РАН (№ 00023).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

73. Формирование фторсодержащих анодных слоев на поверхности InAlAs в таунсендовской газоразрядной плазме = The Fluorinated Anodic Layers Formation on the Inalassurface in the Townsend Gas-Discharge Plasma / А. А. Нужина [и др.] ; науч. рук. Н. Л. Шварц // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 2. – С. 99–102. – 45 экз. – ISBN 978-5-7782-3616-5.
Проверено библиотекой

74. Nastovjak A. Analysis of nanowire diameter variation during MBE self-catalyzed growth: a Monte Carlo simulation / A. Nastovjak, A. Suprunets, N. L. Shwartz // Physics, chemistry and applications of nanostructures : reviews and short notes, proc. of intern. conf. «Nanomeeting–2017», Belarus, Minsk, 30 May – 2 June 2017. – Singapore : World Sci. Publ., 2017. – P. 418-421. - ISBN 978-981-3224-52-0.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

75. Examination of concentric GaAs nanorings growth by Monte Carlo simulation / A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc. of 25 intern. symp. (NANO-2017), Saint-Petersburg, 26–30 June 2017. – Saint-Petersburg : Acad. Univ., 2017. – P. 280-281. - ISBN 978-5- 7422-5779-0. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

76. Spirina A. A. Influence of AIIIBv substrate morphology on congruent temperature under Langmuir evaporation conditions / A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 22-26. - ISBN 978-1-5090-6687-2. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

77. Simulation of AIIIBV semiconductors annealing and concentric nanorings formation by droplet epitaxy / N. Shwartz, М. Vasilenko, A. Nastovjak, A. Spirina // 19 European Workshop on molecular beam epitaxy : abstr. book, Saint Peterburg, 19–22 March 2017. – Saint Peterburg, 2017. – P. 128 (We-28p).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

78. Карпов А. Н. Влияние барьеров Швебеля на изменение морфологии слоя GaN при отжиге (Монте-Карло моделирование) / А. Н. Карпов, К. А. Конфедератова, Н. Л. Шварц // Фотоника 2017 : тез. докл. Рос. конф. и шк. молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием ин. ученых), Новосибирск, 11–15 сент. 2017 г. – Новосибирск : ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова, 2017, – С. 89. - 200 экз. - ISBN 978-5-4437-0673-3.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

79. Спирина А. А. Решеточная Монте-Карло модель Ленгмюровского испарения полупроводников AIIIBV / А. А. Спирина, А. Г. Настовьяк, Н. Л. Шварц // 18 Всероссийская конференция молодых учёных по математическому моделированию : тез. докл., Иркутск, 21–25 авг. 2017 г. – Новосибирск : ИВТ СО РАН, 2017. – С. 55–56. - 110 экз.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

80. Условия формирования концентрических наноколец методом капельной эпитаксии / М. А. Василенко, A. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // 8 Российская конференция по физике полупроводников : тез. докл., Екатеринбург, 2–6 окт. 2017 г. – Екатеринбург : Институт физики металлов им. М. Н. Михеева УрО РАН, 2017. – С. 118. - 160 экз. - ISBN 978-5-9500855-0-5.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

81. Vasilenko М. А. Monte Carlo simulation of GaAs nanorings formation by droplet epitaxy / М. А. Vasilenko, N. L. Shwartz // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016: proc., Altai, Erlagol, 30 June - 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 3-6. - ISBN 978-5-94301-628-8. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ - проект 14.02.00776, 16.31.00120.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

82. Nelyubin I. V. Research of the electrical characteristics polysilicon on insulator thin films / I. V. Nelyubin, O. V. Naumova, B. I. Fomin ; sci. ed. N. L. Shwartz // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016 : proc., Altai, Erlagol, 30 June - 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 26-29. - 36 copy - ISBN 978-5-94301-628-8.
Проверено библиотекой

83. Suprunets A. G. Self-catalyzed GaAs and InAs nanowire growth (Monte Carlo simulation) / A. G. Suprunets, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // Journal of Physics: Conference Series. - 2016. - Vol. 690. - Art. 012011 (7 p.).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

84. Сабурова В. И. Влияние межзеренных границ на проводимость в канале поликремниевых тонко-пленочных транзисторов / В. И. Сабурова, Г. Н. Камаев ; науч. рук. Н. Л. Шварц // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 61–63. - ISBN 978-5-7782-2849-8.
Проверено библиотекой

85. Изучение процесса формирования наноструктур А3В5 методом капельной эпитаксии (Монте-Карло моделирование) = Monte Carlo simulation of the formation of AIIIBV nanostructures with the use of droplet epitaxy / М. А. Василенко, А. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Автометрия. - 2016. – Т. 52, № 5. – С. 111–121. - DOI: 10.15372/AUT20160513.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

86. Спирина А. А. Моделирование процессов отжига подложек InAs методом Монте-Карло / А. А. Спирина, А. Г. Настовьяк, Н. Л. Шварц // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 33–37. - ISBN 978-5-7782-2849-8.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

87. Усенков С. В. Монте-Карло моделирование процесса формирования нанокластеров кремния при отжиге тонких слоев SiO2\Si\SiO2 / С. В. Усенков, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Кремний-2016 : 11 конф. и 10 шк. молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе : тез. докл., Новосибирск, 12–15 сент. 2016 г. – Новосибирск, 2016. – С. 127.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

88. Супрунец А. Г. Монте-Карло моделирование эффекта выравнивания диаметров нитевидных нанокристаллов InAs в процессе самокаталитического роста / А. Г. Супрунец, Н. Л. Шварц // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 29–32. - ISBN 978-5-7782-2849-8.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

89. Формирование нанокластеров кремния в гетероструктурах Si\SiO2\a-Si\SiO2 при высокотемпературных обработках: эксперимент, моделирование = Formation of silicon nanocrystals in Si-sio2-α-Si-sio2 heterostructures during high-temperature annealing: experiment and simulation / И. Г. Неизвестный, В. А. Володин, Г. Н. Камаев, С. Г. Черкова, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц // Автометрия. - 2016. – Т. 52, № 5. – С. 84–96. - DOI: 10.15372/AUT20160510.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

90. Analysis of GaAs nanostructure formation according to vapor-liquid-solid mechanism / N. Shwartz, M. Vasilenko, M. Nesterenko, I. Neizvestny // Physics, chemistry and application of nanostructures : proc. of intern. con. nanomeeting – 2015 : rewiews and short notes, Belerus, Minsk, 26–29 May 2015. – World sci. publ., 2015. – P. 334-337. - ISBN 978-981-4696-51-7.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л., Неизвестный И. Г.
Проверено библиотекой

91. Vasilenko M. A. Analysis of GaAs surface etching during droplet epitaxy process (Monte Carlo simulation) / M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 16-19. - ISBN 978-1-4673-6718-9. - DOI: 10.1109/EDM.2015.7184477.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

92. Anisotropy in Ostwald ripening and step-terraced surface formation on GaAs(001): experiment and Monte Carlo simulation / D. M. Kazantsev, I. O. Akhundov, N. L. Shwartz, V. L. Alperovich, A. V. Latyshev // Applied Surface Science. - 2015. - Vol. 359. - P. 372-379. - DOI: 10.1016/j.apsusc.2015.10.074.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

93. Vasilenko M. A. Formation of GaAs nanostructures by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation / M. A. Vasilenko, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Computational Materials Science. - 2015. - Vol. 102, - P. 286-292. - DOI:10.1016/j.commatsci.2015.02.032
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

94. Karpov A. N. Modeling of elastic energy relaxation in coaxial InAs-GaAs nanowire heterostructures / A. N. Karpov, N. L. Shwartz // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 93-96. - ISBN 978-1-4673-6718-9. - DOI: 10.1109/EDM.2015.7184497.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

95. Monte Carlo simulation of GaAs(001) surface smoothing in equilibrium conditions / D. M. Kazantsev, I. O. Akhundov, A. N. Karpov, N. L. Shwartz, V. L. Alperovich, A. S. Terekhov, A. V. Latyshev // Applied Surface Science. - 2015. - Vol. 333. - P. 141–146. - DOI:10.1016/j.apsusc.2015.01.226
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

96. Surface morphology transformation during droplet epitaxy growth - Monte Carlo simulation / A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc., 23 intern. symp., Saint Petersburg, 22–26 June 2015. – Saint Petersburg : Acad. Univ. Publ., 2015. – Р. 204–205. - ISBN 978-5- 7422-4876-7.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

97. Выглаживание и разупорядочение ступенчато-террасированной поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование / Д. М. Казанцев, И. О. Ахундов, Н. Л. Шварц, В. Л. Альперович, А. С. Терехов, А. В. Латышев // Полупроводники 2015 : тез. докл. 12 Рос. конф. по физике полупроводников, Ершово 21–25 сент. 2015 г. – Москва : Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева РАН, 2015. – С. 148. - ISBN 978-5-902622-31-4.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

98. Имитационное моделирование роста нитевидных нанокристаллов GaAs: каталитический и самокаталитический рост / М. В. Князева, А. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Физика и техника полупроводников. - 2015. – Т. 49, вып. 1. – С. 63–70.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

99. Василенко М. А. Моделирование роста GaAs-наноструктур методом капельной эпитаксии / М. А. Василенко, Н. Л. Шварц // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение : прогр. и материалы 14 междунар. науч. конф.-шк., Саранск, 29 сент. - 2 окт. 2015 г. - Саранск : Изд-во Мордов. ун-та, 2015. – С. 34. - ISBN 978-5-7-103-3126-2.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

100. Шварц Н. Л. Монте-Карло моделирование роста полупроводниковых наноструктур / Н. Л. Шварц, М. А. Василенко, А. Г. Супрунец // 2 Байкальский материаловедческий форум : материалы Всерос. науч. конф. с междунар. участием, Улан-Удэ, 29 июня – 5 июля 2015 г. – Улан-Удэ : Изд-во Бурятского научного центра СО РАН. – 2015. – Ч. 2. – C. 155–157. - ISBN 978-5-7925-0469-1.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

101. Василенко М. А. Условия формирования нанокристаллов и наноколец GaAs методом капельной эпитаксии (Монте-Карло моделирование) / М. А. Василенко, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Фотоника–2015 : тез. докл. Рос. конф. и шк. по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники, Новосибирск, 12–16 окт. 2015 г. – Новосибирск, 2015. – С. 94.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

102. Analysis of self-catalyzed GaAs nanowire growth by Monte Carlo simulation : preprint [Electronic resource] / N. L. Shwartz, A. G. Suprunets, M. A. Vasilenko, I. G. Neizvestny // 8 Nanowire growth workshop nanowires, Netherlands, Eindhoven, 25–29 Aug. 2014. – [Netherlands], 2014. – P. 29. - 1 USB flash drive.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л., Неизвестный И. Г.
Проверено библиотекой

103. Кnyazeva M. V. Examination of catalytic GaAs nanowire growth by Monte Carlo simulation / M. V. Кnyazeva, N. L. Shwartz // The 15 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 20140 : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2014. – Novosibirsk : IEEE, 2014. – P. 54-56. – 125 copes. – ISBN 978-5-7782-2457-5.-DOI: 10.1109/EDM.2014.6882476
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

104. Formation mechanisms of silicon nanoinclusions in oxide matrix / I. P. Lisovskyy, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz [et al.] // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології (СЕМСТ-6) = Sensor electronics and microsystem technologies : тези доповiдней, 6 Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2–6 червня 2014 р. – Одесса : Астропринт, 2014. – С. 111-112. – 300 прим. – ISBN 978-966-190-910-5.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

105. Suprunets A. G. Investigation of self-catalyzed GaAs NW growth by Monte Carlo simulation / A. G. Suprunets, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // The 15 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices EDM : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2014. – Novosibirsk : IEEE, 2014. – P. 14-18. – 125 copes. – ISBN 978-5-7782-2457-5.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

106. Nastovjak A. G. Monte Carlo simulation of self-catalyzed GaAs nanowire growth / A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc., 22 intern. symp., Saint Petersburg, 23–27 June 2014. – Saint Petersburg : Acad. Univ. Publ., 2014. – P. 279–280. – ISBN 978-5-906433-09-1.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

107. Silicon monoxide role in silicon nanocluster formation during Si-rich oxide layer annealing – Monte Carlo simulation / Е. А. Mikhantiev, I. G. Neizvestny, S. V. Usenkov, N. L. Shwartz // Computational Materials Science. - 2014. - Vol. 90. - P. 99 – 105.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

108. Влияние монооксида кремния на процесс формирования кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло) / Е. А. Михантьев, И. Г. Неизвестный, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц // Физика твердого тела. - 2014. – Т. 48, вып. 7. – С. 917–925.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

109. Каталитический и самокаталитический рост нитевидных нанокристаллов GaAs (Монте-Карло моделирование) / М. В. Князева, А. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Нанофизика и наноэлектроника : тр. 18 междунар. симп., Нижний Новгород, 10–14 марта 2014 г. – Нижний Новгород : Изд-во Нижегород. гос. ун-та, 2014. – Т. 2. секция 3. – С. 680–681.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

110. Неизвестный И. Г. Монте-Карло-моделирование процессов формирования полупроводниковых наноструктур / И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) – Новосибирск : Параллель. – 2014. – С. 356–371. – тир. 600 экз. – ISBN978-5-98901-144-5.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

111. Решеточная модель Монте-Карло для изучения процессов формирования наноструктур / А. Н. Карпов, В. А. Зверев, А. Г. Настовьяк, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц // Вычислительные методы и программирование: новые вычислительные технологии. - 2014. – Т. 15, № 1. – С. 388–399.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

112. Формирование поверхностей GaAs с атомно-гладкими террасами и моноатомными ступенями: эксперимент и Монте-Карло-моделирование / Д. М. Казанцев, И. О. Ахундов, В. Л. Альперович, А. Н. Карпов, Н. Л. Шварц, А. С. Кожухов и др. // Нанофизика и наноэлектроника : тр. 18 междунар. симп., Нижний Новгород, 10–14 марта 2014 г. – Нижний Новгород : Изд-во Нижегород. гос. ун-та, 2014. – Т. 2. секция 3. – С. 390–391.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

113. Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях / В. Л. Альперович, И. О. Ахундов, Д. М. Казанцев, Н. С. Рудая, Е. Е. Родякона, Н. Л. Шварц, А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. Н. Карпов, А. С. Терехов, А. В. Латышев // Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) – Новосибирск : Параллель. – 2014. – С. 221–240. – тир. 600 экз. – ISBN978-5-98901-144-5.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

114. Influence of deposition parameters on GaAs nanowire growth: Monte Carlo simulation / M. V. Knyazeva, A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz // Nanostructures: physics and technology : proc. of the 21 intern. symp. (NANO 2013), Saint Petersburg, 24–28 June 2013. – Saint Petersburg : Acad. Univ. Publ., 2013. – P. 292-293.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

115. Knyazeva M. V. Influence of temperature and catalyst drop diameter on GaAs nanowire growth / M. V. Knyazeva, N. L. Shwartz // 14 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 2013), Altai, Erlagol, 1–5 July 2013. – Novosibirsk : NSTU, 2013. – P. 19-21.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

116. Karpov A. N. Modeling of misfit dislocations creation at Ge island – Si(111) substrate interface / A. N. Karpov, E. M. Trukhanov, N. L. Shwartz // 14 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 2013), Altai, Erlagol, 1–5 July 2013. – Novosibirsk : NSTU, 2013. – P. 15-18.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

117. Suprunets A. G. Monte Carlo simulation of GaAs nanostructure growth by droplet epitaxy / A. G. Suprunets, M. A. Vasilenko, N. L. Shwartz // 14 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 2013), Altai, Erlagol, 1–5 July 2013. – Novosibirsk : NSTU, 2013. – P. 46-48.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

118. Monte Carlo simulation of GaAs smoothing in equilibrium conditions / D. M. Kazantsev, I. O. Akhundov, A. N. Karpov, N. L. Shwartz, V. L. Alperovich, A. V. Latyshev // Nanostructures: physics and technology : proc. of the 21 intern. symp. (NANO 2013), Saint Petersburg, 24–28 June 2013. – Saint Petersburg : Acad. Univ. Publ., 2013. – P. 279-280.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

119. Alekseeva A. A. Monte-Carlo Modeling of Langmuir Evaporation of GaAs (111) Substrates / A. A. Alekseeva, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz // 14 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 2013), Altai, Erlagol, 1–5 July 2013. – Novosibirsk : NSTU, 2013. – P. 3-5.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

120. Алексеева А. А. Модель ленгмюровского испарения GaAs(111) / А. А. Алексеева ; науч. рук. Н. Л. Шварц // Дни науки НГТУ–2013 : материалы науч. студен. конф. : (итоги науч. работы студентов за 2012–2013 гг.). – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2013. – С. 11.
Проверено библиотекой

121. Неизвестный И. Г. Оптимизация условий роста нитевидных нанокристаллов арсенида галлия (Монте-Карло моделирование) / И. Г. Неизвестный, М. В. Князева, Н. Л. Шварц // 3 семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы : программа и тезисы докладов, Иркутск, 23–27 июня 2013 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2013. – С. 45.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

122. Князева М. В. Процессы формирования GaAs наноструктур: Монте-Карло моделирование / М. В. Князева, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // 11 Российской конференции по физике полупроводников : тез. докл., Санкт-Петербург, 16–20 сент. 2013 г. – Санкт-Петербург : Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 2013. – С. 162.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

123. Examination of SIO role in si-nanocrystal formation during SiOx layers annealing (Monte Carlo Simulation) / Е. А. Михантьев, И. Г. Неизвестный, S.V. Usenkov, Н. Л. Шварц // Abstract Book, of Asia-Pacific Academy of Materials topical seminar \"Films and Structures for Innovative Applications\", Novosibirsk, Russia, 28 – 30 August, 2012, P. 133-134.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

124. Knyazeva M. V. Influence of Catalyst Drop Properties on GaAs Nanowhisker Growth / M. V. Knyazeva, N. L. Shwartz // International conference and seminar on micro/nanotechnologies and electron devices. EDM-2012 : 13 annu. proc, Erlagol, Altai, Russia, 2-6 July, 2012. - Novosibirsk, 2012. - P. 20-22.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

125. Князева М. В. Monte Carlo model of multicomponent nanowhisker growth / М. В. Князева, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Monte Carlo model of multicomponent nanowhisker growth. Book of Abstracts, 6th Nanowire Growth Workshop, St.Peterburg, Russia, June 4-6, 2012, P. 112.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

126. Monte Carlo model of nanowire growth according to VLS mechanism / М. В. Князева, A.G. Nastovjak, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Abstract Book, of Asia-Pacific Academy of Materials topical seminar “Films and Structures for Innovative Applications, Novosibirsk, Russia, 28 – 30 August, 2012, P. 75-75.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

127. Nastovjak A. G. Peculiarities of axial and radial Ge–Si heterojunction formation in nanowires: Monte Carlo simulation / A. G. Nastovjak, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // PURE AND APPLIED CHEMISTRY, 2012, Vol. 84, No. 12, pp. 2619-2628
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

128. Mikhantiev E. A. Silicon Monoxide Influence on Silicon Nanocrystal Formation / E. A. Mikhantiev, S. V. Usenkov, N. L. Shwartz // International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2012 : 13 annu. proc., Erlagol, Altai, Russia, 2-6 July, 2012. - Novosibirsk, 2012. - P. 29-33.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

129. Михантьев Е. А. Silicon monoxide influence on silicon nanocrystal formation / Е. А. Михантьев, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц // ХIII International conference and seminar on micro/nanotechnologies and electron devices EDM-2012, Erlagol, Altai - 2-6 July, 2012, p. 29-33.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

130. Simulation of silicon nanocluster fornation in Si suboxide layers / Е. А. Михантьев, И. Г. Неизвестный, S.V. Usenkov, Н. Л. Шварц // Proceedings of the 20th International. Symposium. “Nanostructures:Physics and Technology” Nizhny Novgorod, Russia, June 24–30, 2012, P.140-141.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

131. Шварц Н. Л. Компьютерное моделирование процессов формирования полупроводниковых наноструктур / Н. Л. Шварц // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: сб. тр. 11-й Всерос. с междунар. участием конф.-шк., Саранск, 2–5 окт. 2012 г. – Саранск : Изд-во Мордов. ун-та, 2012. – 94.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

132. Монте-Карло моделирование процесса формирования нанокластеров кремния в диоксиде кремния / А.Н. Карпов , Е. А. Михантьев, С.В. Усенков, Н. Л. Шварц // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. - 2012, № 1. - С. 33-39.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

133. Князева М. В. Монте-Карло модель роста GaAs нановискеров / М. В. Князева ; науч. рук. Н. Л. Шварц // Современные проблемы технических наук : сб. тез. докл. Новосиб. межвуз. науч. студен. конф. МНСК – 2012 «Интеллектуальный потенциал Сибири», Новосибирск, 23–24 мая 2012 г. – Новосибирск : НГАСУ (Сибстрин), 2012. – Ч. 3. – С. 29.
Проверено библиотекой

134. Investigation of SiOx Layer Annealing Process Using Monte Carlo Simulation / E.A. Mikhantiev, A.N. Karpov, S.V. Usenkov, Н. Л. Шварц // 12th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2011, Erlagol, Altai, June 30 - July 4, 2011, P. 68-72.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

135. Knyazeva M.V. Monte Carlo Model of GaAs Nanowhisker Growth / M.V. Knyazeva, A.G. Nastovjak, Н. Л. Шварц // Monte Carlo Model of GaAs Nanowhisker Growth. Proceedings of 12th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2011, Erlagol, Altai, June 30 - July 4, 2011, P. 111-113.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

136. Nastovjak A.G. Monte Carlo simulation of Ge-Si nanowire radial heterostructure formation / A.G. Nastovjak, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Proceedings of the 19 th Int. Symp. Nanostructures:Physics and Technology. - Ekaterinburg, Russia, June 20–25, 2011. P. 105-106.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

137. Nastovjak A.G. Peculiarities of axial and radial Si-Ge heterojunctions formation in nanowires – Monte Carlo simulation / A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, Н. Л. Шварц // Abstract of IUPAC 7th International Symposium on Novel Materials and their Synthesis (NMS-VII) & 21th International Symposium on Fine Chemistry and Functional Polymers, Shanghai, China, 16-21 October, 2011, P. 43.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

138. Simulation of Si-nc formation during SiOx layers annealing / Н. Л. Шварц, E.A. Mikhantiev, I.G. Neizvestny, S.V. Usenkov // Abstract of IUPAC 7th International Symposium on Novel Materials and their Synthesis (NMS-VII) & 21th International Symposium on Fine Chemistry and Functional Polymers, Shanghai, China, 16-21 October, 2011, P.61.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

139. Изучение процесса формирования нанокластеров кремния при отжиге SiOX-слоев с помощью моделирования / Е.А. Михантьев, И. Г. Неизвестный, С.В. Усенков, Н. Л. Шварц // Автометрия. – 2011 – Т. 47, № 5. – С. 88–97.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

140. Моделирование процессов формирования кремниевых нанокластеров в системе SiO/SiO2 / С.В. Усенков, А.Н. Карпов, Е.А. Михантьев, Н. Л. Шварц // VIII-я Международная Конференциия и VII-я Школа учебных и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ 2011». - Москва, НИТУ \"МИСИС\". - М.:Изд. дом \"МИСиС\". - 05-08 июля 2011, С.191.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

141. Настовьяк А.Г. Моделирование роста нитевидных нанокристаллов кремния с гетеропереходами Ge-Si / А.Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2011. – № 9. – С. 62–70.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

142. Настовьяк А.Г. Монте-Карло моделирование процесса формирования радиальных гетеропереходов Ge-Si в нанопроволоках, выращенных методом CVD / А.Г. Настовьяк, Н. Л. Шварц // Второй семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы. ИНХ СО РАН, Академгородок, Новосибирск. 14–16 июня 2011, С. 28.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

143. Настовьяк А.Г. Радиальные и аксиальные Si-Ge гетеропереходы в нановискерах / А.Г. Настовьяк , И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Х Российская конференция по физике полупроводников: тез.докл.конференций. - Нижний Новгород, 19-23 сентября 2011. - Нижний Новгород, 2011, С. 71.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

144. Nastovjak A. G. Abruptness of Axial Si-Ge Heterojunctions in Nanowires / A. G. Nastovjak, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 55-58.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

145. Nastovjak A.G. Effect of growth conditions and catalyst material on nanowhisker morphology: Monte Carlo simulation / A.G. Nastovjak, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Solid State Phenomena, 2010, Vols. 156-158, p. 235-240.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

146. Nastovjak A. G. Examination of Si-Ge heterostructure nanowire growth using Monte Carlo simulation / A. G. Nastovjak, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Abstract book of the 30th International Conference on the Physics of Semiconductors. ICPS-30\", Coex, Seoul, Korea, July 25-30, 2010. P.709.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

147. Nastovjak A. G. Monte Carlo simulation of Si-Ge nanowhisker growth / A. G. Nastovjak, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Proceedings of the 18 th International Symposium \"Nanostructures: Physics and Technology\", St. Petersburg, Russia, June 21-26, 2010. P. 179-180.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

148. New Event-Scheduling Algorithm for Monte Carlo Simulation of Multi-Component Systems / A. N. Karpov, E. A. Mikhantiev, С. В. Усенков, Н. Л. Шварц // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 203-207.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

149. Nastovjak A.G. Peculiarities of Vapor-Liguid-Solid Process Realization in Monte Carlo Model of Nanowhisker Growth / A.G. Nastovjak, Н. Л. Шварц, Я. В. Титовская // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 64-67.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

150. Nastovjak A.G. Possibilities of Monte Carlo Simulation for Examination of Nanowhisker Growth / A.G. Nastovjak, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // Pure Appl. Chem., 2010, Vol. 82, No. 11, pp. 2017-2025.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

151. Моделирование роста нановискеров методом Монте-Карло / А.Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая // ФТП, 2010, Т.44, Вып.1, С.130-135.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

152. Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO2 и Si / С.Н. Шамин, В.Р. Галахов, В.Р. Аксенова, А.Н. Карпов , Н. Л. Шварц, И Др. // ФТП, 2010. - Т. - 44, - С. 550-555.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

153. Investigation of thehi Details of Silicon Nanowhisker Growth by Monte Carlo Simulation / И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц, А.Г. Настовьяк // INT. SCHOOL AND SEMINAR INTERNANO`2009, TABLE OF CONTENTS, OCT. 28-31, NSTU, NOVOSIBIRSK, RUSSIA, p. 47-49.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л., Неизвестный И. Г.
Не подлежит проверке библиотекой

154. Nastovjak A.G. Monte Carlo simulation of growth condition effect on nanowhisker characteristics Si Au drop / A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, Н. Л. Шварц // Proceedings of the 16th international symposium \"Nanostructures: Physics and Technology\", Minsk, Belarus Republic, June 22-26, 2009. P.157-158.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

155. Шварц Н. Л. Monte Carlo simulation of growth condition effect on nanowhisker characteristics Si Au drop . / Н. Л. Шварц // Proceedings of the 16th international symposium \"Nanostructures: Physics and Technology\", Minsk, Belarus Republic, June 22-26, 2009.P.157-158.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

156. Usenkov S.V. Monte Carlo Simulation of Thin SiliconDioxide Layer Evaporation / S.V. Usenkov, I.V. Mzhelskiy, Н. Л. Шварц // 10 th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings: EDM’2009, Erlagol, Altai – July 1-6, 2009, с. 66-69.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

157. Усенков С.В. Mонте-Карло моделирование процессов испарения тонких пленок окисла кремния / С.В. Усенков, И.В. Мжельский, Н. Л. Шварц // Десятая Международная конференция-семинар по микро/нано-технологиям и электронным приборам: Сборник трудов, ЗСОК Эрлагол, Алтай, 1-6 июля, 2009 г. – Новосибирск: Изд-во НГТУ.– С. 86-89.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

158. Phase separation due to high temperature annealing of sputtered SiOx layers / N. Karpov, V. Volodin, J. Jedrzejewski, E. Savir, I. Balberg, Y. Goldstein, T. Egewskaya, Н. Л. Шварц, Z. Yanovitskaya // JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, Vol. 11, No. 5, May 2009, p. 625 – 634.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

159. Настовьяк А.Г. Влияние условий роста на морфологию нановискеров (Монте-Карло моделирование) / А.Г. Настовьяк, И.Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц // 9 Российская конференция по физике полупроводников Новосибирск-Томск , 28.09-3.10, 2009, в сборнике тезисов , с. 53.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

160. Исследование условий Роста Полых Нановискеров Методом Монте-Карло Моделирования / Е.С. Шеремет, А.Г. Настовьяк, И.Г. Неизвестный , Н. Л. Шварц // Труды международной конференции-семинара по микро/нанотехнологиям и электронным приборам» EDM 2009, НГТУ, Алтай, 1-6 июля, 2009, с.100-102.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

161. Математическое моделирование процесса получения наноканальных мембран / А.В. Зверев, С.И. Романов, Я.В. Титовская, Н. Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая // Автометрия,Т.45, №4, С.102-109 (2009).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

162. Механизмы формирования нановискеров: Монте-Карло моделирование / А.Г. Настовьяк, И.Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц, Е.С. Шеремет // Автометрия,Т.45, №4, С.72-79 (2009).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

163. Монте-Карло моделирование процессов роста наноструктур с алгоритмом планирования событий на шкале времени / А.В. Зверев, К.Ю. Зинченко, Н. Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая // РОССИЙСКИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ, Т. 4, №3–4, С.85-93 (2009).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

164. Монте-Карло Моделирование Процессов МЛЭ И Окисления Пористой Поверхности Кремния С Целью Получения Наноканальных Мембран / Я.В. Титовская, Н. Л. Шварц, С.И. Романов, З.Ш. Яновицкая // Труды международной конференции-семинара по микро/нанотехнологиям и электронным приборам» EDM 2009, НГТУ, Алтай, 1-6 июля, 2009 С. 77-81.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

165. Шварц Н. Л. МОНТЕ-КАРЛО МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР / Н. Л. Шварц, И.Г. Неизвестный, З.Ш. Яновицкая // В книге «Нелинейные волны -2008», Нижний Новгород, ИПФ РАН, 2009. -400с ISBN 978-5-8048-0069-8 (с.382-397).
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

166. ОСОБЕННОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ ПРОЦЕССА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ПРИ МОНТЕ-КАРЛО МОДЕЛИРОВАНИИ РОСТА НАНОВИСКЕРОВ  / А.Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, С.В. Усенков, Н. Л. Шварц // II Всероссийская конференция \"Многомасштабное моделирование процессов и структур в нанотехнологиях\", 27-28 мая 2009. Москва, Тезисы докл.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой

167. Настовьяк А. Г. Монте-Карло моделирование роста нитевидных нанокристаллов / А. Г. Настовьяк // VIII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике
Не подлежит проверке библиотекой

168. Simulation of Trench Filling Process / И. Г. Неизвестный, A. G. A.G.Gutova, Н. Л. Шварц, З. Ш. Яновицкая, A. V. A.V.Zverev // 5th International Siberian Workshops and Tutorials on Electron Devices and Materials, EDM\"2004
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Яновицкая З. Ш., Шварц Н. Л.
Не подлежит проверке библиотекой