Список научных публикаций

1. A new revolution in logic silicon IC technology: GAA FETs are replacing FinFETs / S. V. Kalinin, D. I. Ostertak, D. A. Poteryaev, M. A. Kuznetsov. – DOI 10.1109/APEIE59731.2023.10347677. – Text : electronic // 16 International Scientific and Technical Conference Actual Problems of Electronic Instrument Engineering (APEIE–2023) : proc., Novosibirsk, 10–12 Nov. 2023. – IEEE, 2023. – P. 160-165. – URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/10347677 (access date: 21.12.2023). – ISBN 979-8-3503-3088-5.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Остертак Д. И., Потеряев Д. А., Кузнецов М. А.
Проверено библиотекой

2. Исследование интерфейса внедрения физических моделей в среде TCAD Sentaurus = Investigating physical model interface in the TCAD Sentaurus environment / М. А. Кузнецов, С. В. Калинин, А. С. Черкаев, Д. И. Остертак. – Текст : электронный // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 22–23 апр. 2021 г. – Новосибирск : Изд-во СибГУТИ, 2021. – С. 643–649. - URL: https://sibsutis.ru/workgroups/w/group/46/files/Материалы%20конференций/РНТК-2021/Сборник_СПТ_2021.pdf (дата обращения: 29.09.2021). - ISBN 978-5-91434-064-0.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С., Остертак Д. И.
Проверено библиотекой

3. Кузнецов М. А. Модели низкополевой подвижности носителей заряда в кремнии для криогенного диапазона температур / М. А. Кузнецов ; науч. рук. С. В. Калинин. – Текст : непосредственный // Дни науки НГТУ–2021, посвященные Году науки и технологии : материалы науч. студен. конф., итоги науч. работы студентов за 2020–2021 гг. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2021. – С. 99-102.
Проверено библиотекой

4. Исследование интерфейса внедрения физических моделей в среде TCAD SENTAURUS = Investigating physical model interface in the tcad sentaurus environment / М. А. Кузнецов, С. В. Калинин, А. С. Черкаев, Д. И. Остертак // Сборник научных трудов Новосибирского государственного технического университета = Transaction of scientific papers of the Novosibirsk state technical university. – 2020. – № 3 (98). – С. 39–48. – DOI: 10.17212/2307-6879-2020-3-39-48.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С., Остертак Д. И.
Проверено библиотекой

5. Кузнецов М. А. Количественные низкотемпературные модели подвижности в кремнии для слабых полей / М. А. Кузнецов, С. В. Калинин, А. С. Черкаев // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 30 нояб.–4 дек. 2020 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2020. – Ч. 6. – С. 90–92. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-4294-4.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

6. Калинин С. В. Модели низкополевой подвижности электронов для криогенного диапазона температур [Электронный ресурс] / С. В. Калинин, М. А. Кузнецов // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 23–24 апр. 2020 г. – Новосибирск : Изд-во СибГУТИ, 2020. – С. 511–516. - Режим доступа: https://sibsutis.ru/workgroups/w/group/46/files/%D0%9C%D0%B0%D1%82%D0%B5%D1%80%D0%B8%D0%B0%D0%BB%D1%8B%20%D0%BA%D0%BE%D0%BD%D1%84%D0%B5%D1%80%D0%B5%D0%BD%D1%86%D0%B8%D0%B9/%D0%A0%D0%9D%D0%A2%D0%9A-2020. - Загл. с экрана. - ISBN 978-5-91434-055-8.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Проверено библиотекой

7. Analyzing the influence of temperature on the electrophysical characteristics of a complementary pair of vertical bipolar transistors / M. O. Hrapov, V. A. Gridchin, S. V. Kalinin [et al.] // Russian Microelectronics. - 2018. - Vol. 47, iss. 7. - P. 472–478. - DOI: 10.1134/S1063739718070053.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Калинин С. В.
Проверено библиотекой

8. Development of technological modes the formation of a vertical PNP transistor in the structure of an integrated op-amp for a complementary bipolar technological route / A. V. Glukhov, S. V. Kalinin, М. О. Hrapov, A. S. Cherkaev // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 1, ч. 1. - С. 73-76. - 45 экз. - ISBN(NSTU) 978-5-7782-3614-1.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

9. Разработка технологических режимов формирования вертикального PNP транзистора в структуре интегрального ОУ для комплементарного биполярного технологического маршрута = Development of technological modes the formation of a vertical PNP transistor in the structure of an in- tegrated op-amp for a complementary bipolar technological route / А. В. Глухов, С. В. Калинин, М. О. Храпов, А. С. Черкаев // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 2. – С. 23–26. - 45 экз. - ISBN 978-5-7782-3616-5.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

10. Levin V. D. Development of Analog CMOS switch / V. D. Levin ; research adviser S. V. Kalinin, language adviser G. V. Igonina // Progress through Innovations : тез. междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 30 марта 2017 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – C. 202-203. - 60 экз. - ISBN 978-5-7782-3173-3.
Проверено библиотекой

11. Hrapov M. O. Numerical simulation of the complementary bipolar pair of transistors in the hydrodynamic approximation / M. O. Hrapov, V. A. Gridchin, S. V. Kalinin // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 34-36. - ISBN 978-1-5090-6687-2.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Калинин С. В.
Проверено библиотекой

12. Анализ влияния температуры на электрофизические характеристики комплементарной пары вертикальных биполярных транзисторов = Analysis of influence of temperature on electrophysical characteristics of characteristics of complementary pair of vertical bipolar transistors / М. О. Храпов, А. В. Глухов, В. А. Гридчин, С. В. Калинин // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2017. – Т. 22, № 1. – С. 41–49.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Калинин С. В.
Проверено библиотекой

13. Смирнов И. А. Приборно-технологическое моделирование структур Кельвина для определения низких значений удельного контактного сопротивления / И. А. Смирнов, В. П. Драгунов, С. В. Калинин // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф., Новосибирск, 26–27 апр. 2017 г. – Новосибирск : Изд-во СибГУТИ, 2017. – С. 561–565. - 35 экз. - ISBN 978-5-91434-039-8. - DOI: 10.17212/1727-2769-2017-1-116-132 .
Персональные сайты авторов: Драгунов В. П., Калинин С. В.
Проверено библиотекой

14. Храпов М. О. Анализ моделирования кремниевых вертикальных комплементарных биполярных транзисторов / М. О. Храпов, В. А. Гридчин, С. В. Калинин ; науч. рук. В. А. Гридчин // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2016. – Т. 21, № 5. – С. 413–421.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Калинин С. В.
Проверено библиотекой

15. Егоркин А. В. Двумерное моделирование процесса формирования кремниевых наноструктур методом термического окисления / А. В. Егоркин, С. В. Калинин ; науч. рук. В. А. Гридчин // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 171–176. - ISBN 978-5-7782-2849-8.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Проверено библиотекой

16. Исследование эффекта саморазогрева в комплементарной биполярной паре вертикальных NPN и PNP транзисторов методом численного моделирования / М. О. Храпов, А. В. Глухов, В. А. Гридчин, С. В. Калинин // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2016) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2016) : тр. 13 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 3–6 окт. 2016 г. : в 12 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – Т. 2. – С. 54–56. - 74 экз. - ISBN 978-5-7782-2991-4; 978-5-7782-2993-8 (т. 2).
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Калинин С. В.
Проверено библиотекой

17. Глухов А. В. Основные особенности развития современной полупроводниковой промышленности / А. В. Глухов, С. В. Калинин // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 3–7. - ISBN 978-5-7782-2849-8.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Проверено библиотекой

18. Численное моделирование влияния температуры на характеристики комплементарной биполярной пары транзисторов / М. О. Храпов, А. В. Глухов, В. А. Гридчин, С. В. Калинин ; науч. рук. В. А. Гридчин // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 166–170. - ISBN 978-5-7782-2849-8.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Калинин С. В.
Проверено библиотекой

19. Калинин С. В. Численный критерий комплементарности биполярной пары транзисторов / С. В. Калинин, М. О. Храпов // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2016) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2016) : тр. 13 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 3–6 окт. 2016 г. : в 12 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – Т. 2. – С. 66–68. - 74 экз. - ISBN 978-5-7782-2991-4, 978-5-7782-2993-8 (т. 2).
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Проверено библиотекой

20. Hrapov M. O. TCAD-simulation of the complementary bipolar pair of transistors / M. O. Hrapov, V. A. Gridchin, S. V. Kalinin // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 79-82. - ISBN 978-1-4673-6718-9. - DOI: 10.1109/EDM.2015.7184493.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Калинин С. В.
Проверено библиотекой

21. Kalinin S. V. Two-dimensional simulation of the silicon nanowires thinning effect during the thermal oxidation / S. V. Kalinin, A. V. Egorkin // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 24-26. - ISBN 978-1-4673-6718-9. - DOI: 10.1109/EDM.2015.7184479.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Проверено библиотекой

22. Kalinin S. V. Two-dimensional thermal oxidation of nonplanar silicon surfaces / S. V. Kalinin, A. V. Egorkin // Russian Microelectronics. - 2015. - Vol. 44, iss. 2. - P. 114-126. - DOI: DOI: 10.1134/S1063739714060055.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Проверено библиотекой

23. Калинин С. В. Двумерное моделирование процесса термического окисления непланарных кремниевых поверхностей / С. В. Калинин, А. В. Егоркин // Микроэлектроника. - 2015. – Т. 44, № 2. – С. 134–146. - DOI: 10.7868/S0544126914060052.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Проверено библиотекой

24. Kalinin S. V. Numerical simulation of the vertical complementary NPN bipolar transistor / S. V. Kalinin, M. O. Hrapov // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2014) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2014) : тр. 12 междунар. конф., Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 1. – С. 68-70. – 250 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2506-0. - DOI: 10.1109/APEIE.2014.7040739
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Проверено библиотекой

25. Egorkin A. V. Two-dimensional modeling the process of thermal oxidation of non-planar silicon structures in CMOS-circuits` isolation / A. V. Egorkin, S. V. Kalinin // The 15 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 2-14) : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2014. – Novosibirsk : IEEE, 2014. – P. 61-66. – 125 copes. – ISBN 978-5-7782-2457-5. - DOI: 10.1109/EDM.2014.6882478.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Проверено библиотекой

26. Соловьева М. С. Исследование параметров и характеристик N-канального МОП транзистора методом математического моделирования на САПР ТСАD / М. С. Соловьева, С. В. Калинин // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф. [Новосибирск, 24–25 апр. 2014 г.]. – Новосибирск : СибГУТИ, 2014. – С. 241–243.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Проверено библиотекой

27. Калинин С. В. Численное моделирование вертикального комплементарного NPN биполярного транзистора / С. В. Калинин, М. О. Храпов // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2014) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2014) : тр. 12 междунар. конф., Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 2. – С. 96-98. – 100 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2507-7.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Проверено библиотекой

28. Егоркин А. В. Двумерное моделирование в TCAD SENTAURUS эффекта заострения кремниевых игл / А. В. Егоркин, С. В. Калинин ; науч. рук. С. В. Калинин // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф., [Новосибирск, 25–26 апр. 2013 г.]. – Новосибирск, 2013. – С. 270-271.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Проверено библиотекой

29. Храпов М. О. Исследование параметров и характеристик вертикального NPN транзистора методом математического моделирования на САПР TCAD. / М. О. Храпов, С. В. Калинин ; науч. рук. С. В. Калинин // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы Рос. науч.-техн. конф., [Новосибирск, 25–26 апр. 2013 г.]. – Новосибирск, 2013. – С. 286-286.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Проверено библиотекой

30. Калинин С. В. Моделирование эффекта заострения кремниевых игл в процессе их термического окисления / С. В. Калинин, А. В. Егоркин // 11 International conference on actual problems of electronic instrument engineering proceedings. APEIE–2011 = Материалы 11 международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения». АПЭП–2012, Новосибирск, 2–4 окт., 2012 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2012. – Т. 2. – С. 28–30.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Проверено библиотекой

31. Смирнов И. А. Analysis of Certain Methods for Determining Contact Resistivity / И. А. Смирнов, С. В. Калинин // 12 th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2011, Erlagol, Altai, June 30 - July 4, 2011, P. 162-164.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Не подлежит проверке библиотекой

32. Егоркин А. В. Анализ TCAD моделей термического окисления непланарной кремниевой поверхности / А. В. Егоркин, С. В. Калинин // Материалы Российской научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Новосибирск, Изд-во: СибГУТИ, Т. 1, 2011, c. 449-450.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Не подлежит проверке библиотекой

33. Глухов А. В. Моделирование характеристик и параметров КМОП транзисторов на основе TCAD Sentaurus / А. В. Глухов, С. В. Калинин, А. С. Черкаев // Материалы Российской научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Новосибирск, Изд-во: СибГУТИ, Т. 1, 2011, c. 448-449.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С.
Не подлежит проверке библиотекой

34. Разработка лабораторного практикума по компьютерному моделированию наносистем на основе TCAD Sentaurus / С. В. Калинин, А. С. Черкаев, В. Е. Зырянов, Е. А. Макаров // Материалы Российской научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Новосибирск, Изд-во: СибГУТИ, Т. 1, 2009, c. 409-410.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С., Макаров Е. А.
Не подлежит проверке библиотекой

35. Калинин С. В. Улучшение подвижности носителей зарядов к каналах кремниевых нанотранзисторов путем применения технологии напряженного кремния / С. В. Калинин, А. С. Черкаев // Материалы Российской научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Том 1, с. 408-409; Новосибирск 2009.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С.
Не подлежит проверке библиотекой

36. Черкаев А. С. The mathematical modeling of the MOS-transistors fabrication technique in modern TCAD-systems / А. С. Черкаев, Е. А. Макаров, С. В. Калинин // International Workshops and Tutorials on «Electron Devices and Materials, EDM 2008», pp. 79-83; Novosibirsk 2008
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С., Макаров Е. А., Калинин С. В.
Не подлежит проверке библиотекой

37. Калинин С. В. Исследование модели термического окисления в TCAD ФАКТ / С. В. Калинин // Информатика и проблемы телекоммуникаций. Российская научно-техническая конференция. Материалы конференции, том 1, 2008, стр.414-416.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Не подлежит проверке библиотекой

38. Черкаев А. С. Комбинированная методика двумерного моделирования технологии и электрофизических параметров МОП-транзисторов / А. С. Черкаев, С. В. Калинин, Е. А. Макаров // Сборник научных трудов «Вестник СибГУТИ», № 2, c. 14-17.
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С., Калинин С. В., Макаров Е. А.
Не подлежит проверке библиотекой

39. Калинин С. В. Основные возможности цифровой обработки и количест-венного анализа СЗМ-изображений / С. В. Калинин // Информатика и проблемы телекоммуникаций. Российская научно-техническая конференция. Материалы конференции, том 1, 2008, стр.418-419.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Не подлежит проверке библиотекой

40. Калинин С. В. Особенности TCAD SENTURUS / С. В. Калинин, А. С. Черкаев // Информатика и проблемы телекоммуникаций. Российская научно-техническая конференция. Материалы конференции, том 1, 2008, стр.412-414.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С.
Не подлежит проверке библиотекой

41. Калинин С. В. Перспективные нанотехнологии, обеспечивающие из-готовление кремниевых МДП транзисторов по 45 нм технологической норме / С. В. Калинин // Информатика и проблемы телекоммуникаций. Российская научно-техническая конференция. Материалы конференции, том 1, 2008, стр.411-412.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Не подлежит проверке библиотекой

42. Калинин С. В. Развитие функциональных возможностей TCAD ФАКТ с целью расчета электрофи-зических параметров и расширения графического интерфейса / С. В. Калинин // Информатика и проблемы телекоммуникаций. Российская научно-техническая конференция. Материалы конференции, том 1, 2008, стр.416-417
Персональные сайты авторов: Калинин С. В.
Не подлежит проверке библиотекой

43. Черкаев А. С. Сравнительный анализ точности моделирования профилей легирования бора в различных TCAD-системах / А. С. Черкаев, Е. А. Макаров, С. В. Калинин // Информатика и проблемы телекоммуникаций. Российская научно-техническая конференция. Материалы конференции, том 1, 2008, стр.428
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С., Макаров Е. А., Калинин С. В.
Не подлежит проверке библиотекой

44. Combined method for two-dimensional modeling of MOS-transistors parameters / А. С. Черкаев, С. В. Калинин, Е. А. Макаров, Я. И. Воронцов // International Workshops and Tutorials on «Electron Devices and Materials, EDM 2007», pp. 100-102; Novosibirsk 2007
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С., Калинин С. В., Макаров Е. А.
Не подлежит проверке библиотекой

45. Калинин С. В. Комбинированный метод для двумерного моделирования КМОП-технологического маршрута / С. В. Калинин, А. С. Черкаев, Е. А. Макаров // Материалы Российской научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Том 1, сc. 306-307; Новосибирск 2007
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С., Макаров Е. А.
Не подлежит проверке библиотекой

46. Калинин С. В. Физико-топологическое моделирование эффекта пробоя стокового перехода МОП-транзисторов / С. В. Калинин, А. С. Черкаев, Е. А. Макаров // Материалы Российской научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Том 1, сc. 307-308; Новосибирск 2007
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С., Макаров Е. А.
Не подлежит проверке библиотекой

47. Калинин С. В. Математическое моделирование технологии изготовления МОП-транзисторов / С. В. Калинин, А. С. Черкаев, Е. А. Макаров // Материалы VIII международной конференции «Актуальные Проблемы Электронной Промышленности, АПЭП-2006», Том 2, стр. 188; Новосибирск 2006
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С., Макаров Е. А.
Не подлежит проверке библиотекой