Список научных публикаций

1. Ashikhmina M. A. Simulation of Electrical Conductivity in poly-Si Films under Joule Heating Using TCAD Sentaurus / M. A. Ashikhmina, G. N. Kamaev, A. S. Cherkaev. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855033. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 33-36. - ISBN 978-1-6654-9804-3.
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

2. Kuznetsov M. A. A Comparison of the Mobility Models Defining MOSFET Threshold Voltage for Low Temperatures / M. A. Kuznetsov, D. I. Ostertak, A. S. Cherkaev. - DOI 10.1109/APEIE52976.2021.9647509. - Text : direct // Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2021) : proc. of the 15 intern. sci. and techn. conf., Novosibirsk, 19–21 Nov. 2021. – Novosibirsk : Publ. NSTU, 2021. – P. 14-17. - ISBN 978-1-6654-3408-9.
Персональные сайты авторов: Остертак Д. И., Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

3. Ashikhmina M. A. Investigation of the conductivity of polycrystalline silicon under joule heating / M. A. Ashikhmina, G. N. Kamaev, A. S. Cherkaev ; [sci. ed. D. I. Оstertak]. - DOI: 10.1109/EDM52169.2021.9507614. – Text : direct // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P.54-57. - ISBN 978-1-6654-1498-2.
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

4. Исследование интерфейса внедрения физических моделей в среде TCAD Sentaurus = Investigating physical model interface in the TCAD Sentaurus environment / М. А. Кузнецов, С. В. Калинин, А. С. Черкаев, Д. И. Остертак. – Текст : электронный // Современные проблемы телекоммуникаций : материалы междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 22–23 апр. 2021 г. – Новосибирск : Изд-во СибГУТИ, 2021. – С. 643–649. - URL: https://sibsutis.ru/workgroups/w/group/46/files/Материалы%20конференций/РНТК-2021/Сборник_СПТ_2021.pdf (дата обращения: 29.09.2021). - ISBN 978-5-91434-064-0.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С., Остертак Д. И.
Проверено библиотекой

5. Исследование интерфейса внедрения физических моделей в среде TCAD SENTAURUS = Investigating physical model interface in the tcad sentaurus environment / М. А. Кузнецов, С. В. Калинин, А. С. Черкаев, Д. И. Остертак // Сборник научных трудов Новосибирского государственного технического университета = Transaction of scientific papers of the Novosibirsk state technical university. – 2020. – № 3 (98). – С. 39–48. – DOI: 10.17212/2307-6879-2020-3-39-48.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С., Остертак Д. И.
Проверено библиотекой

6. Кузнецов М. А. Количественные низкотемпературные модели подвижности в кремнии для слабых полей / М. А. Кузнецов, С. В. Калинин, А. С. Черкаев // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. : в 9 ч., Новосибирск, 30 нояб.–4 дек. 2020 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2020. – Ч. 6. – С. 90–92. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-4294-4.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

7. Камаев Г. Н. Проводимость кремниевых мезарезисторов в условиях джоулева разогрева = The conductivity of silicon mesaresistorsin joule heating conditions / Г. Н. Камаев, М. А. Ашихмина, А. С. Черкаев // Микроэлектроника – 2020 : междунар. форум, шк. молодых ученых. Кремний – 2020 : 13 междунар. конф. 12 Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе = Microelectronics – 2020 : intern. Forum, young scientists scholarship. Silicon – 2020 : 13 intern. conf. 12 Joung scientists scholarship for silicon nanostructures and devices physics, material science, process and analysis : сб. тез., Республика Крым, Ялта, 21–25 сент. 2020 г. – Москва : МАКС Пресс, 2020. – С. 208-211. - ISBN 978-5-317-06470-9. - DOI: 10.29003/m1602.Silicon-2020/208-211. - Работа выполнена: при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 18-07-01278).
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

8. Development of technological modes the formation of a vertical PNP transistor in the structure of an integrated op-amp for a complementary bipolar technological route / A. V. Glukhov, S. V. Kalinin, М. О. Hrapov, A. S. Cherkaev // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 1, ч. 1. - С. 73-76. - 45 экз. - ISBN(NSTU) 978-5-7782-3614-1.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

9. Saburova V. I. Modeling of the temperature dependence of polycrystalline-Si conductivity in TCAD Sentaurus environment / V. I. Saburova, V. A. Gridchin, A. S. Cherkaev // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 1, ч. 1. - С. 109-112. - 45 экз. - ISBN(NSTU) 978-5-7782-3614-1.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

10. TCAD simulation of the influence of grain boundaries on the temperature dependence of conductivity in polycrystalline silicon films / V. I. Saburova, V. A. Gridchin, G. N. Kamaev, I. G. Neizvestnyi, A. S. Cherkaev // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 8-11. - ISBN 978-153865021-9. - DOI: 10.1109/EDM.2018.8434950.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Неизвестный И. Г., Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

11. Влияние масштабирования на проводимость поликремниевых мезарезисторов / Г. Н. Камаев, В. А. Гридчин, И. Г. Неизвестный, А. С. Черкаев, В. И. Сабурова // Кремний-2018 : тез. докл. 12 конф. и 11 шк. молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Черноголовка, 22–26 окт. 2018 г. – Черноголовка, 2018. – С. 65. – ISBN 978-5-6040418-1-9.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Неизвестный И. Г., Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

12. Сабурова В. И. Моделирование температурной зависимости проводимости пленок поликристаллического кремния в среде TCAD Sentaurus = TCAD simulation of the temperature dependence of conductivity in polycrystalline silicon films / В. И. Сабурова, Г. Н. Камаев, А. С. Черкаев // Физика твердого тела : сб. материалов 16 Рос. науч. студ. конф., Томск, 17–20 апр. 2018 г. – Томск: Изд-во НТЛ, 2018. – С. 225–227. - 100 экз. - ISBN 978-5-89503-616-7.
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

13. Моделирование температурной зависимости проводимости поликристаллического кремния в среде TCAD Sentaurus = Modeling of the Temperature Dependence of Polycrystalline-Si Conductivity in TCAD Sentaurus Environment / В. И. Сабурова, Г. Н. Камаев, А. С. Черкаев, В. А. Гридчин // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 2. – С. 39–42. – 45 экз. – ISBN 978-5-7782-3616-5.
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С., Гридчин В. А.
Проверено библиотекой

14. Разработка технологических режимов формирования вертикального PNP транзистора в структуре интегрального ОУ для комплементарного биполярного технологического маршрута = Development of technological modes the formation of a vertical PNP transistor in the structure of an in- tegrated op-amp for a complementary bipolar technological route / А. В. Глухов, С. В. Калинин, М. О. Храпов, А. С. Черкаев // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 2. – С. 23–26. - 45 экз. - ISBN 978-5-7782-3616-5.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

15. Черкаев А. С. Исследование свойств поликремниевых тензорезисторов субмикронных размеров / А. С. Черкаев, В. А. Гридчин, Г. Н. Камаев // 1 Annual Russian national conference on nanotechnologies, nanomaterials and microsystems technologies, NMST–2016 = 1 ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике, НМСТ–2016 : conf. proc., Novosibirsk, Sedova Zaimka, 26–29 June 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 188–191. - ISBN 978-5-7782-2849-8.
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С., Гридчин В. А.
Проверено библиотекой

16. Гридчин А. В. Предварительно напряженный кремний и новые возможности построения тензорезистивных сенсоров / А. В. Гридчин, А. С. Черкаев, В. А. Гридчин // Кремний-2016 : 11 конф. и 10 шк. молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе : тез. докл., Новосибирск, 12–15 сент. 2016 г. – Новосибирск, 2016. – С. 66.
Персональные сайты авторов: Гридчин А. В., Черкаев А. С., Гридчин В. А.
Проверено библиотекой

17. Gridchin V. A. The influence of n-type silicon piezoresistors pre-strain state on their piezoresistance / V. A. Gridchin, A. S. Cherkaev, E. G. Sayanova // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2014) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2014) : тр. 12 междунар. конф., Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 1. – С. 55-58. – 250 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2506-0. - DOI: 10.1109/APEIE.2014.7040925.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

18. Гридчин В. А. Влияние предварительной деформации на пьезосопротивление кремниевых интегральных тензорезисторов n-типа / В. А. Гридчин, А. С. Черкаев, Э. Г. Саянова // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2014) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2014) : тр. 12 междунар. конф., Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 2. – С. 82-85. – 100 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2507-7.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

19. Современные численные модели МСТ-сенсоров давления и их применение / В. А. Гридчин, В. Б. Зиновьев, М. А. Чебанов, А. С. Черкаев, Г. Н. Камаев, А. Д. Бялик, А. В. Гридчин, В. А. Колчужин // Надежность и качество – 2013 : тр. междунар. симпозиума, посвящается 350-летию г. Пензы и 70-летию Пензенского государственного университета, Пенза, 27 мая – 3 июня 2013 г. : в 2 т. – Пенза : Изд-во ПГУ, 2013. – Т. 1. – С. 174–178.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Чебанов М. А., Черкаев А. С., Бялик А. Д., Гридчин А. В.
Проверено библиотекой

20. The Influence of Scaling Effects on the Characteristics of Mesapiezoresistors with Dielectric Insulation / М. А. Чебанов, В. А. Гридчин, А. С. Черкаев, В. Б. Зиновьев, И. Г. Неизвестный, G.N. Kamaev // The 7th International forum on strategic technology: proc. of IFOST 2012, Tomsk Polytechnic University, 17-21 september 2012, v.1, pp. 411-415.
Персональные сайты авторов: Чебанов М. А., Гридчин В. А., Черкаев А. С., Зиновьев В. Б., Неизвестный И. Г.
Проверено библиотекой

21. The physical and technological problems in design of pressure sensors with nano-scale piezoresistors / И. Г. Неизвестный, G.N. Kamaev, В. А. Гридчин, А. С. Черкаев // International Conference \"Micro- and Nanoelectronics - 2012\". Book of abstracts. October 1st-5th, 2012, Moscow - Zvenigorod, Russia, page O3-27.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Гридчин В. А., Черкаев А. С.
Проверено библиотекой

22. The Research Of The Submicron Polysilicon Mesapiezoresistors Electrophysical Properties / А. С. Черкаев, В. А. Гридчин, М. А. Чебанов, В. Б. Зиновьев, И. Г. Неизвестный, Г.Н. Камаев // 11. Chemnitzer Fachtagung Mikromechanik & Mikroelektronik 23./24. Oktober 2012 P.11
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С., Гридчин В. А., Чебанов М. А., Зиновьев В. Б., Неизвестный И. Г.
Проверено библиотекой

23. The Influence of the Sizes of the Cross Section of Mesapiezoresistors on Their Characteristics / В. А. Гридчин, А. С. Черкаев, М. А. Чебанов, В. Б. Зиновьев, И. Г. Неизвестный, G.N. Kamaev // RUSSIAN MICROELECTRONICS, 2011, Vol. 40, N 2, pp. 78-86.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Черкаев А. С., Чебанов М. А., Зиновьев В. Б., Неизвестный И. Г.
Не подлежит проверке библиотекой

24. Влияние размеров поперечного сечения кремниевых мезатензорезисторов с диэлектрической изоляцией на их электрофизические свойства / В. А. Гридчин, В. Б. Зиновьев, Г.Н. Камаев, И. Г. Неизвестный, А. С. Черкаев // Х Российская конференция по физике полупроводников: тез.докл.конференций. - Нижний Новгород, 19-23 сентября 2011. - Нижний Новгород, 2011, С. 241.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Зиновьев В. Б., Неизвестный И. Г., Черкаев А. С.
Не подлежит проверке библиотекой

25. Влияние размеров поперечного сечения кремниевых тензорезисторов на их электрофизические свойства / В. А. Гридчин, И. Г. Неизвестный, А. С. Черкаев, М. А. Чебанов, В. Б. Зиновьев, Г.Н. Камаев // VIII международная конференция и VII школа ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе «Кремний 2011». Москва, 5-8 июля, 2011, С. 205.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Неизвестный И. Г., Черкаев А. С., Чебанов М. А., Зиновьев В. Б.
Не подлежит проверке библиотекой

26. Влияние размеров поперечного сечения мезатензорезисторов на их характеристики / В. А. Гридчин, А. С. Черкаев, М. А. Чебанов, В. Б. Зиновьев, И. Г. Неизвестный, Г.Н. Камаев // Микроэлектроника. – 2011. – Т. 40, № 2. – С. 89–97.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Черкаев А. С., Чебанов М. А., Зиновьев В. Б., Неизвестный И. Г.
Не подлежит проверке библиотекой

27. Глухов А. В. Моделирование характеристик и параметров КМОП транзисторов на основе TCAD Sentaurus / А. В. Глухов, С. В. Калинин, А. С. Черкаев // Материалы Российской научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Новосибирск, Изд-во: СибГУТИ, Т. 1, 2011, c. 448-449.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С.
Не подлежит проверке библиотекой

28. Особенности проектирования сенсоров давления с мезатензорезисторами / В. А. Гридчин, И. Г. Неизвестный, Г. Н. Камаев, В. Б. Зиновьев, А. С. Черкаев, М. А. Чебанов // Приборы. – 2011. – № 3. – С. 5–11.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Неизвестный И. Г., Зиновьев В. Б., Черкаев А. С., Чебанов М. А.
Не подлежит проверке библиотекой

29. Особенности проектирования сенсоров давления с мезатензорезисторами / В. А. Гридчин, И. Г. Неизвестный, Г.Н. Камаев, В. Б. Зиновьев, А. С. Черкаев, М. А. Чебанов // Приборы. – 2011. – № 4. – С. 11–15.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Неизвестный И. Г., Зиновьев В. Б., Черкаев А. С., Чебанов М. А.
Не подлежит проверке библиотекой

30. The influence of width of mesa-piezoresistors on their characteristics / В. А. Гридчин, А. С. Черкаев, М. А. Чебанов, В. Б. Зиновьев // 10th international conference on actual problems of electronic instrument engineering proceedings, APEIE-2010; Vol. 1, pp. 11-17, Novosibirsk, 2010
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Черкаев А. С., Зиновьев В. Б.
Не подлежит проверке библиотекой

31. Влияние ширины мезатензорезисторов на их характеристики / В. А. Гридчин, А. С. Черкаев, М. А. Чебанов, В. Б. Зиновьев // Материалы Х международной конференции «Актуальные Проблемы Электронного Приборостроения, АПЭП-2010»; Том 2, сс. 17-23, Новосибирск, 2010
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Черкаев А. С., Зиновьев В. Б.
Не подлежит проверке библиотекой

32. Особенности проектирования сенсоров давления с мезатензорезисторами / В. А. Гридчин, И. Г. Неизвестный, Г. Н. Камаев, В. Б. Зиновьев, А. С. Черкаев, М. А. Чебанов // Gaznefteprom journal, ноябрь 2010; сс. 24-31, Набережные Челны, 2010
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Неизвестный И. Г., Зиновьев В. Б., Черкаев А. С., Чебанов М. А.
Не подлежит проверке библиотекой

33. Разработка новых тензоструктур поликремний-диоксид кремния-кремний для создания датчиков давления на расширенный диапазон температур / В.В. Хаустов, С.П. Белов, А.В. Мытарев, Р.А. Заболотников, Р.А. Коновалов , В. А. Гридчин, В. Б. Зиновьев, А. С. Черкаев, М. А. Чебанов // Сб. статей научно-практической конференции \"Фундаментальные исследования в направлении разработки, производства и экспорта отечественной высокотехнологической промышленной продукции: \" Результаты целевых ориентированных фундаментальных исследований и их использование в организациях и интегральных структурах Государственной корпорации \"Ростехнологии\", 22-23 апреля 2010 г., г. Москва, с. 150-168.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Зиновьев В. Б., Черкаев А. С.
Не подлежит проверке библиотекой

34. Разработка лабораторного практикума по компьютерному моделированию наносистем на основе TCAD Sentaurus / С. В. Калинин, А. С. Черкаев, В. Е. Зырянов, Е. А. Макаров // Материалы Российской научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Новосибирск, Изд-во: СибГУТИ, Т. 1, 2009, c. 409-410.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С., Макаров Е. А.
Не подлежит проверке библиотекой

35. Калинин С. В. Улучшение подвижности носителей зарядов к каналах кремниевых нанотранзисторов путем применения технологии напряженного кремния / С. В. Калинин, А. С. Черкаев // Материалы Российской научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Том 1, с. 408-409; Новосибирск 2009.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С.
Не подлежит проверке библиотекой

36. Черкаев А. С. The mathematical modeling of the MOS-transistors fabrication technique in modern TCAD-systems / А. С. Черкаев, Е. А. Макаров, С. В. Калинин // International Workshops and Tutorials on «Electron Devices and Materials, EDM 2008», pp. 79-83; Novosibirsk 2008
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С., Макаров Е. А., Калинин С. В.
Не подлежит проверке библиотекой

37. Черкаев А. С. Комбинированная методика двумерного моделирования технологии и электрофизических параметров МОП-транзисторов / А. С. Черкаев, С. В. Калинин, Е. А. Макаров // Сборник научных трудов «Вестник СибГУТИ», № 2, c. 14-17.
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С., Калинин С. В., Макаров Е. А.
Не подлежит проверке библиотекой

38. Калинин С. В. Особенности TCAD SENTURUS / С. В. Калинин, А. С. Черкаев // Информатика и проблемы телекоммуникаций. Российская научно-техническая конференция. Материалы конференции, том 1, 2008, стр.412-414.
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С.
Не подлежит проверке библиотекой

39. Черкаев А. С. Сравнительный анализ точности моделирования профилей легирования бора в различных TCAD-системах / А. С. Черкаев, Е. А. Макаров, С. В. Калинин // Информатика и проблемы телекоммуникаций. Российская научно-техническая конференция. Материалы конференции, том 1, 2008, стр.428
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С., Макаров Е. А., Калинин С. В.
Не подлежит проверке библиотекой

40. Combined method for two-dimensional modeling of MOS-transistors parameters / А. С. Черкаев, С. В. Калинин, Е. А. Макаров, Я. И. Воронцов // International Workshops and Tutorials on «Electron Devices and Materials, EDM 2007», pp. 100-102; Novosibirsk 2007
Персональные сайты авторов: Черкаев А. С., Калинин С. В., Макаров Е. А.
Не подлежит проверке библиотекой

41. Калинин С. В. Комбинированный метод для двумерного моделирования КМОП-технологического маршрута / С. В. Калинин, А. С. Черкаев, Е. А. Макаров // Материалы Российской научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Том 1, сc. 306-307; Новосибирск 2007
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С., Макаров Е. А.
Не подлежит проверке библиотекой

42. Калинин С. В. Физико-топологическое моделирование эффекта пробоя стокового перехода МОП-транзисторов / С. В. Калинин, А. С. Черкаев, Е. А. Макаров // Материалы Российской научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Том 1, сc. 307-308; Новосибирск 2007
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С., Макаров Е. А.
Не подлежит проверке библиотекой

43. Калинин С. В. Математическое моделирование технологии изготовления МОП-транзисторов / С. В. Калинин, А. С. Черкаев, Е. А. Макаров // Материалы VIII международной конференции «Актуальные Проблемы Электронной Промышленности, АПЭП-2006», Том 2, стр. 188; Новосибирск 2006
Персональные сайты авторов: Калинин С. В., Черкаев А. С., Макаров Е. А.
Не подлежит проверке библиотекой