Список научных публикаций

1. Effect of AlN interlayer thickness on 2DEG parameters in AlGaN/AlN/GaN HEMT structures / D. D. Bashkatov, D. Y. Protasov, D. S. Milakhin [et al.]. – DOI 10.1109/EDM61683.2024.10615105. – Text : electronic // 25 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM–2024) : proc., Altai, 28 June – 2 July 2024. – IEEE, 2024. – P. 120–125. – URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/10615105 (access date: 05.09.2024). – ISBN 979-8-3503-8923-4.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю., Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

2. Effect of growth temperature of NH3-MBE grown GaN-on-Si layers on donor concentration and leakage currents / D. Protasov, D. Milakhin [et al.]. - DOI 10.1016/j.jcrysgro.2023.127459 . - Text : direct // Journal of Crystal Growth. - 2024. - Vol. 626. - Art. 127459.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

3. GaAs/AlGaAs- and InGaAs/AlGaAs-Heterostructures for high-power semiconductor infrared emitters / D. V. Gulyaev, D. V. Dmitriev, N. V. Fateev, D. Y. Protasov [et al.]. – DOI 10.1134/S106378422401016X. – Text : direct // Technical Physics. – 2024. – Vol. 69, iss. 2. – P. 249–254.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

4. The electrochemical profiling of n+/n GaAs structures for field-effect transistors / D. Y. Protasov, P. P. Kamesh, K. A. Svit [et al.]. – DOI 10.1134/S1063782624030126. – Text : direct // Semiconductors. – 2024. – Vol. 58, iss. 3. – P. 254–262. – Работа выполнена : при поддержке Institute of Semiconductor Physics of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (project no. FWGW-2022-0005).
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

5. Zn doping of InAlAs and InP epitaxial layers from a planar Zn3P2 source / M. O. Petrushkov, M. S. Aksenov, D. B. Bogomolov, D. Y. Protasov [et al.]. – DOI 10.1364/JOT.91.000086. – Text : direct // Journal of Optical Technology. – 2024. – Vol. 91, iss. 2. – P. 86–90.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

6. Легирование Zn эпитаксиальных слоев InAlAs и InP из планарного источника Zn3P2 = Zn doping of InAlAs and InP epitaxial layers from a planar Zn3P2 source / М. А. Петрушков, М. С. Аксенов, Д. Ю. Протасов [и др.]. – DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-40-49. – Текст : непосредственный // Оптический журнал = Opticheskii zhurnal. – 2024. – Т. 91. – № 2. – С. 40–49.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

7. Электрохимическое профилирование структур n+/n GaAs для полевых транзисторов = The electrochemical profiling of n+/n GaAs structures for field-effect transistors / Д. Ю. Протасов, П. П. Камеш, К. А. Свит [и др.]. – DOI 10.61011/FTP.2024.01.57636.5562. – Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников = Fizika i tekhnika poluprovodnikov. – 2024. – Т. 58, № 1. – С. 53–61. – Работа выполнена: в рамках государственного задания ИФП СО РАН (тема № FWGW-2022-0005).
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

8. 1,2,3,4-Tetrafluorobiphenylene: A prototype Janus-Headed scaffold for ambipolar materials / P. V. Nikulshin, J. Beckmann, Y. Balmohammadi, D. Y. Protasov [et al.]. – DOI 10.1002/cplu.202300692. – Text : electronic // ChemPlusChem. – 2024. – Vol. 89, iss. 5. – Art. e202300692 (9 p.). – URL: https://chemistry-europe.onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/cplu.202300692 (access date: 21.05.2024). – Работа выполнена : при поддержке Ministry for Science and Higher Education of Russian Federation (projects nos. 122040400035-3, 122040800263-6, 122040800264-3 and 07501081230-0).
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

9. Novoselov A. R. Effect of passivation coating on the HgCdTe heterostructures stability at elevated storage temperature / A. R. Novoselov, D. Y. Protasov, V. Y. Kostyuchenko. – DOI 10.1117/1.OE.62.11.117103. – Text : direct // Optical Engineering. – 2023. – Vol. 62, iss. 11. – Art. 117103.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

10. Electron and hole injection barriers between silicon substrate and RF magnetron sputtered IN2O3 : Er films / K. V. Feklistov, A. G. Lemzyakov, D. Y. Protasov [et al.]. –DOI 10.3897/j.moem.9.2.109980. – Text : direct // Modern Electronic Materials (MoEM). – 2023. – Vol. 9, № 2. – P. 57–68.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

11. Hall effect in strong electric fields in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with donor-acceptor doping / V. A. Kuznetsov, D. Y. Protasov, V. Y. Kostyuchenko, K. K. Sabelfeld, E. G. Kablukova. – DOI 10.1109/EDM58354.2023.10225239. – Text : direct // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 90–93. – ISBN 979-8-3503-3687-0.
Персональные сайты авторов: Кузнецов В. А., Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

12. InSb/GaAs-гетероструктуры для датчиков магнитного поля / М. А. Суханов, Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров [и др.]. – DOI 10.21883/PJTF.2023.20.56343.19617. – Текст : непосредственный // Письма в Журнал технической физики = Pis'ma v Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. – 2023. – Т. 49, № 20. – С. 27–30. – Работа выполнена: в рамках государственного задания ИФП СО РАН (шифр темы: FWGW-2022-0005).
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

13. Optimization of heterostructure design for switching pHEMT transistors / D. Y. Protasov, D. V. Dmitriev, K. S. Zhuravlev, G. I. Ayzenshtat [et al.]. – DOI 10.1016/j.mssp.2022.107148. – Text : direct // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2023. – Vol. 153. – Art. 107148 (6 p.). – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (Grant No. 075–15-2020–797 (13.1902.21.0024).
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

14. Stochastic simulation of electron transport in a strong electrical field in low-dimensional heterostructures / E. Kablukova, K. K. Sabelfeld, D. Y. Protasov, K. S. Zhuravlev. – DOI 10.1515/mcma-2023-2019. – Text : direct // Monte Carlo Methods and Applications. – 2023. – Vol. 29, iss. 4. – P. 307–322. – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation Grant number: FWGW-2022-0055.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

15. Барьеры для инжекции электронов и дырок из подложки кремния в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3 : Er = The barriers for electron and hole injection from Si substrate into the RF magnetron-deposited In2O3 : Er films / К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, Д. Ю. Протасов [и др.]. – DOI 10.17073/1609-3577j.met202305.529. – Текст : непосредственный // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники = Materials of electronics engineering. – 2023. – Т. 26, № 3. – С. 1–14.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

16. Датчик холла на основе InSb = InSb based hall sensor / М. А. Суханов, Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, И. Д. Лошкарев, К. С. Журавлев. – Текст : непосредственный // Мокеровские чтения : сб. тр. 14 междунар. науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, Москва, 24–25 мая 2023 г. – Москва : НИЯУ МИ-ФИ, 2023. – C. 158–159. – 120 экз. – ISBN 978-5-7262-2958-4.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

17. Легирование Zn слоев i-InAlAs(001) из планарного источника Zn3P2 / М. О. Петрушков, М. С. Аксенов, Д. Б. Богомолов, Д. Ю. Протасов [и др.]. – DOI 10.34077/RCSP2023-101. – Текст : непосредственный // Фотоника 2023 : тез. докл. Рос. конф. и школы молодых ученых по актуал. проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4–8 сент. 2023 г. – Москва : Перо, 2023. – С. 101. – ISBN 978-5-00218-581-8.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

18. Подвижность двумерного электронного газа на разных уровнях размерного квантования в гетероструктурах DA-pHEMT / Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, Д. С. Абрамкин [и др.]. – Текст : непосредственный // Нанофизика и наноэлектроника : тр. 27 междунар. симп., Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г. : в 2 т. – Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2023. – Т. 2. – С. 507–508. – ISBN 978-5-8048-0120-6.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

19. Электрохимическое профилирование гетероструктур GaAs с n+-контактным слоем / Д. Ю. Протасов, П. П. Камеш, А. А. Макеева, К. С. Журавлев. – DOI 10.34077/RCSP2023-113. – Текст : непосредственный // Фотоника 2023 : тез. докл. Рос. конф. и школы молодых ученых по актуал. проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4–8 сент. 2023 г. – Москва : Перо, 2023. – С. 113. – ISBN 978-5-00218-581-8.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

20. 1.54 мкм электролюминесценция в пленках In2O3:Er, магнетронно напыленных на кремнии / К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев (...), Д. Ю. Протасов [и др.]. – DOI 10.34077/RCSP2023-65. – Текст : непосредственный // Фотоника 2023 : тез. докл. Рос. конф. и школы молодых ученых по актуал. проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4–8 сент. 2023 г. – Москва : Перо, 2023. – С. 65. – ISBN 978-5-00218-581-8.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

21. Electrophysical parameter comparison of 2DEG in AlGaN/GaN heterostructures grown by the NH3-MBE technique on sapphire and silicon substrates / T. Malin, D. Milakhin, D. Protasov, K. Zhuravlev [et. al.]. - DOI 10.1016/j.jcrysgro.2022.126669. - Text : direct // Journal of Crystal Growth. - 2022. - Vol. 588. - Art. 126669 (7 p.). - Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation as part of state assignment N?FWGW-2022-0005.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С., Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

22. Гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для ключевых pHEMT-транзисторов = AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures for pHEMT switching transistors / Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, К. С. Журавлев, Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко, А. Б. Пашковский. – DOI 10.21883/PJTF.2022.17.53282.19260. – Текст : непосредственный // Письма в Журнал технической физики = Pis'ma v Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. – 2022. – № 17. – С. 20–23.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

23. GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей = GaAs/AlGaAs and InGaAs/AlGaAs heterostructures for high-power semiconductor infrared emitters / Д. В. Гуляев., Д. В. Дмитриев, Н. В. Фатеев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов , К. С. Журавлев. - DOI 10.21883/JTF.2021.11.51535.142-21. - Текст : непосредственный // Журнал технической физики = Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. - 2021. - Т. 91, № 11. - С. 1727-1731. - Работа выполнена: Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ и Новосибирской области в рамках научного проекта № 20-42-540009.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

24. Mg3N2 nanocrystallites formation during the GaN:Mg layers growth by the NH3-MBE technique / T. V. Malin, V. G. Mansurov, Y. G. Galitsyn, D. S. Milakhin, D. Y. Protasov, B. Y. Ber, D. Y. Kazantsev, V. V. Ratnikov, M. P. Shcheglov, N. Smirnov, V. Y. Davydov, K. S. Zhuravlev // Journal of Crystal Growth. - 2021. - Vol. 554. - Art. 125963 (8p). - DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125963. - Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation as part of state assignment № 0306-2019-0008.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю., Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

25. Numerical simulation of a two-dimensional electron gas transfer in a quantum well heterostructure / D. Y. Protasov, E. G. Kablukova, K. K. Sabelfeld, K. S. Zhuravlev. - DOI 0.24412/CL-35064-2021-078. - Text : direct // Марчуковские научные чтения–2021 = Marchuk Scientific Readings–2021 : тез. междунар. конф., 4–8 окт. 2021 г. – Новосибирск : Ин-т вычисл. математики и мат. геофизики СО РАН, 2021. – С. 67.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

26. Photoelectromagnetic Phenomena in n-type HgCdTe Heterostructures / V. A. Kuznetsov, D. Y. Protasov, V. Y. Kostyuchenko [et al.] ; [sci. ed. D. Y. Protasov]. - DOI: 10.1109/EDM52169.2021.9507591. - Text : direct // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 8-11. - ISBN 978-1-6654-1498-2.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю., Костюченко В. Я.
Проверено библиотекой

27. Влияние верхних боковых долин в гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs на транспорт электронов в слабом электрическом поле = The influence of upper bands in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures on electron transport in weak electrical fields / Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, К. С. Журавлев. - Текст : непосредственный // Мокеровские чтения : сб. тр. 12 междунар. науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, Москва, 19–20 мая 2021 г. – Москва : НИЯУ МИФИ, 2021. – С. 13-14. - 100 экз. - ISBN 978-5-7262-2777-1.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

28. Протасов Д. Ю. Распределенный брегговский отражатель с улучшенной угловой зависимостью коэффициента отражения / Д. Ю. Протасов, К. С. Журавлев. - DOI 10.34077/RCSP2021-112. - Текст : непосредственный // ФОТОНИКА–2021 : сб. тез. докл. Рос. конф. и шк. молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностран. ученых), Новосибирск, 4–8 окт. 2021 г. – Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2021. – С. 112.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

29. Фотолюминесценция квантовых ям GaN/AlN = Photoluminescence of multiple GaN/ALN quantum wells / И. А. Александров, Т. В. Малин, Д. Ю. Протасов, B. Pecz, К. С. Журавлев. – DOI 10.15372/AUT20210511. – Текст : непосредственный // Автометрия. – 2021. – Т. 57, № 5. – С. 93–98.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

30. Фотопроводимость в магнитном поле в гетеростурктурах кадмий-ртуть-теллур n-типа / Д. Ю. Протасов, В. А. Кузнецов, В. Я. Костюченко, В. С. Варавин, В. В. Васильев. - DOI 10.34077/RCSP2021-129. - Текст : непосредственный // ФОТОНИКА–2021 : сб. тез. докл. Рос. конф. и шк. молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностран. ученых), Новосибирск, 4–8 окт. 2021 г. – Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2021. – С. 129. 129.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю., Костюченко В. Я.
Проверено библиотекой

31. AlInSb/InSb heterostructures for IR photodetectors grown by molecular-beam epitaxy / M. A. Sukhanov, A. K. Bakarov, D. Y. Protasov, K. S. Zhuravlev // Technical Physics Letters. - 2020. - Vol. 46, iss. 2. - P. 154–157. - DOI: 10.1134/S1063785020020285.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

32. AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии / М. А. Суханов, А. К. Бакаров, Д. Ю. Протасов, К. С. Журавлев // Письма в Журнал технической физики = Pis'ma v Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. – 2020. – Т. 46, вып. 4. – С. 3–6. – DOI: 10.21883/PJTF.2020.04.49040.18055.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

33. Drift velocity in GaN semiconductors: Monte Carlo simulation and comparison with experimental measurements / E. Kablukova, K. Sabelfeld, D. Y. Protasov, K. S. Zhuravlev // Monte Carlo Methods and Applications. - 2020. - Vol. 26, iss. 4. - P. 263–271. - DOI: 10.1515/mcma-2020-2077. - Работа выполнена: при поддержке Russian Science Foundation under Grant 19-11-00019.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

34. Growth of nitride heteroepitaxial transistor structures: from epitaxy of buffer layers to surface passivation / T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. G. Mansurov, A. S. Kozhukhov, D. Y. Protasov, I. D. Loshkarev, Z. S. Zhuravlev // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. - 2020. - Vol. 56, iss. 5. - P. 485–491. - DOI: 10.3103/S8756699020050064.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

35. New type of heterostructures for powerful pHEMT transistors / D. Y. Protasov [et al.] // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. - 2020. - Vol. 56, iss. 5. - P. 478–484. - DOI: 10.3103/S8756699020050155.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

36. Новый тип гетероструктур для мощных pHEMT-транзисторов / К. С. Журавлев, Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. В. Гуляев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский // Автометрия. - 2020. - Т. 56, № 5. - С. 36-43. - DOI: 10.15372/AUT20200504.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

37. Рост нитридных гетероэпитаксиальных транзисторных структур: от эпитаксии буферных слоев до пассивации поверхности / Т. В. Малин, Д. С. Милахин, В. Г. Мансуров, А. С. Кожухов, Д. Ю. Протасов, И. Д. Лошкарев, К. С. Журавлев // Автометрия. - 2020. - Т. 56, № 5. - С. 44-51. - DOI: 10.15372/AUT20200505.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

38. Рост нитридных гетероэпитаксиальных транзисторных структур: от эпитаксии буферных слоев до пассивации поверхности / Т. В. Малин, Д. С. Милахин, В. Г. Мансуров, А. С. Кожухов, Д. Ю. Протасов, И. Д. Лашкарев, К. С. Журавлев. - Текст : непосредственный // Автометрия. - 2020. - Том 56. - № 5.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С., Протасов Д. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

39. The DA-pHEMT heterostructures for power microwave transistors [Electronic resource] / D. Y. Protasov [et al.] // IEEE MTT-S International Wireless Symposium (IWS) : proc., China, Guangzhou, 19–22 May 2019. – [China] : IEEE, 2019. – 3 p. - Mode of access: https://ieeexplore.ieee.org/document/8804008/authors#authors. - Title from screen - DOI: 10.1109/IEEE-IWS.2019.8804008.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

40. The deformation-potential scattering and alloy disorder scattering in donor-acceptor pHEMT heterostructures / D. Y. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev// IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - Vol. 475. - Art. 012033 (4 p.). - DOI: 10.1088/1757-899X/475/1/012033.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

41. Undoped high-resistance GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors / D. Y. Protasov [et al.] // Technical Physics Letters. - 2019. - Vol. 45, iss. 8. - P. 761–764. - DOI: 10.1134/S1063785019080108.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

42. Влияние конструкции и уровня легирования гетероструктур pHEMT на свойства ключевых транзисторов = The influence of construction and doping level of phemt heterostructures on properties of switch transistors / Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, Д. В. Гуляев, К. С. Журавлев, Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко // Мокеровские чтения : сб. тр. 10 юбилейной междунар. науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, Москва, 15–16 мая 2019 г. – Москва : НИЯУ МИФИ, 2019. – С. 63–64. - 204 экз. - ISBN 978-5-7262-2564-7.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

43. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN / Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. А. Зайцев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлёв. - Текст : непосредственный // Письма в Журнал технической физики = Pis'ma v Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. - 2019. - Том 45. - № 15. - С. 21-24.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С., Протасов Д. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

44. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMTAlGaN/GaN / Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, Д. Ю. Протасов [и др.] // Письма в Журнал технической физики = Pis'ma v Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. – 2019. – Т. 45, № 15. – С. 21–24. – DOI: 10.21883/PJTF.2019.15.48081.17844.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

45. Релаксация двумерного электронного газа по энергии и импульсу в гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с донорно-акцепторным легированием при взаимодействии с акустическими фононами [Электронный ресурс] / Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, К. С. Журавлев // Полупроводники–2019 : тез. докл. 14 Рос. конф. по физике полупроводников, Новосибирск, 9–13 сент. 2019 г. – Новосибирск : Перо, 2019. – Ч. 1. – С. 238. – Режим доступа: https://www.isp.nsc.ru/nauka/izdaniya/semicond2019-abstracts. – Загл. с экрана. – ISBN 978-5-00150-446-7, 978-5-00150-447-4. – DOI: 10.34077/Semicond2019-238.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

46. Determination of electron temperature in DA-pHEMT heterostructures by Shubnikov – de Haas oscillation method / D. Y. Protasov, V. Y. Kostyuchenko, A. E. Klimov [et al.] // Russian Physics Journal. - 2018. - Vol. 61, iss. 7. - P. 1202-1209. - DOI: 10.1007/s11182-018-1518-z. - Работа выполнена: при поддержке Министерства образования и науки.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю., Костюченко В. Я., Климов А. Э.
Проверено библиотекой

47. Increasing saturated electron-drift velocity in donor–acceptor doped PHEMT heterostructures / D. Y. Protasov [et al.] // Technical Physics Letters. - 2018.- Vol. 44, iss. 3. - P. 260-262. - DOI: 10.1134/S1063785018030240. - Работа выполнена: при поддержке Министерства образования и науки.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

48. Mobility of the two-dimensional electron Gas in DA-pHEMT heterostructures with various ?–n-layer profile widths / D. Y. Protasov [et al.] // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52, iss. 1. - P. 44–52. - DOI: 10.1134/S1063782618010189. - Работа выполнена: при поддержке Министерства образования и науки.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

49. Protasov D. Y. The energy relaxation of hot 2DEG via interaction with acoustic phonons in DA-pHEMT heterostructures with twofilled subbands [Electronic resource] / D. Y. Protasov // 34 International conference on the physics of semiconductors : abstr. book of ICPS 2018, France, Montpellier, 29 July – 3 Aug. 2018. – [France], 2018. – P. 172. - Mode of access: http://www.icps2018.org/en/program/abstract . - Title from screen
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

50. Протасов Д. Ю. Бетавольтаический преобразователь на основе гетероэпитаксиальных GaN структур / Д. Ю. Протасов, К. С. Журавлев, А. М. Гилинский, Т. В. Малин, А. Т. Лелеков, А. В. Лукьяненко // Труды 25 международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 24–26 мая 2018 г. : в 2 т. – Москва : Орион, 2018. – Т. 2 : Стендовые доклады. – С. 366–368. - ISBN 978-5-00122-365-8.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

51. Определение электронной температуры в гетероструктурах DA-PHEMT методом осцилляций Шубникова – Де Гааза / Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, В. Я. Костюченко, А. Э. Климов [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика = Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedenii. Fizika. – 2018. – Т. 61, № 7 (727). – С. 15–21. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках соглашения № 14.577.21.0250 от 26.09.17, уникальный идентификатор проекта RFMEFI57717X0250.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю., Костюченко В. Я., Климов А. Э.
Проверено библиотекой

52. Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев / Д. Ю. Протасов [и др.] // Физика и техника полупроводников = Fizika i tekhnika poluprovodnikov. - 2018. - Т. 52, № 1. - С. 48-56. - DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45318.8610.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

53. Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно- акцепторным легированием / Д. Ю. Протасов [и др.] // Письма в Журнал технической физики = Pis'ma v Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. - 2018. - Т. 44, № 6. - С. 77-84.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

54. Протасов Д. Ю. Энергетическая релаксация горячего ДЭГ при взаимодействии с акустическими фононами в гетероструктурах DA-pHEMT с двумя заполненными подзонами размерного квантования = The energy relaxation of hot 2deg via interaction with acoustic phonons in da-phemt heterostructures with two filled subbands / Д. Ю. Протасов // Мокеровские чтения : 9 междунар. науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники = Open Readings named after RAS Corresponding Member, Professor V. G. Mokerov : 9 International Conference on Physics and Technology of Nanoheterostructure Microwave Electronics, 23 мая 2018 г., : сб. тр. - Москва : НИЯУ МИФИ, 2018. - С. 18-19. - 130 экз. - ISBN 978-5-7262-2471-8 .
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

55. Protasov D. Y. The influence of impurity profiles on mobility of two-dimensional electron gas in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures modulation-doped by donors and acceptors / D. Y. Protasov, K. Zhuravlev // Solid-State Electronics. - 2017. - Vol.129. - P. 66–72 - DOI: 10.1016/j.sse.2016.12.013.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

56. The 2DEG mobility enhancement for low- and high-electric fields in a new type of AlGaAs/InGaAs heterostructures with donor-acceptor doping / D. Y. Protasov, D. V. Gulyaev, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev // Journal of Physics: Conference Series. - 2017. - Vol. 864. - Art. 012051 (4 p.). - DOI: 10.1088/1742-6596/864/1/012051.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

57. Влияние варизонных приповерхностных областей на фотопроводимость в скрещенных электрическом и магнитном полях / В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий // Фотоника 2017 : тез. докл. Рос. конф. и шк. молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием ин. ученых), Новосибирск, 11–15 сент. 2017 г. – Новосибирск : ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова, 2017, – С. 106. - 200 экз. - ISBN 978-5-4437-0673-3.
Персональные сайты авторов: Костюченко В. Я., Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

58. Протасов Д. Ю. Зависимости энергии межподзонного перехода и ширины полосы поглощения от уровня легирования в модуляционно-легированных структурах AlGaAs/GaAs / Д. Ю. Протасов, К. С. Журавлев // Фотоника 2017 : тез. докл. Рос. конф. и шк. молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием ин. ученых), Новосибирск, 11–15 сент. 2017 г. – Новосибирск : ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова, 2017, – С. 121. - 200 экз. - ISBN 978-5-4437-0673-3.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

59. Легирование GaN магнием в аммиачной МЛЭ = Mg-doped GaN grown by ammonia MBE / К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицин, Д. Ю. Протасов, Б. Я. Бер, В. Ю. Давыдов, Д. Ю. Казанцев, В. В. Ратников, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев // Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы : тез. докл. 11 Всерос. конф., Москва, 1–3 февр. 2017. – Москва. – 2017. – C. 48–49.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

60. Подавление образования дефектных областей вокруг индиевых контактов при отжиге n-p-переходов матричного фотоприемника на основе КРТ = Suppression of damaged areas arising near indium contacts in annealing n-p-junctions of MCT-based photodetecror arrays / Д. Ю. Протасов, М. Е. Абдоян, В. Я. Костюченко // Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации. - 2017. – №. 4 (37). – С. 43–51. - ISSN 1727-2769. - DOI: 10.17212/1727-2769-2017-4-43-51.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю., Костюченко В. Я.
Проверено библиотекой

61. Рассеяние двумерного электронного газа на аку-стических фононах при двух заполненных подзонах размерного квантования / Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, К. С. Журавлев // 8 Российской конференции по физике полупроводников. Полупроводники-2017 : тез. докл., Екатеринбург, 2–6 окт. 2017 г. – Екатеринбург : Институт физики металлов им. М. Н. Михеева УрО РАН, 2017. – С. 145. - 160 экз. - ISBN 978-5-9500855-0-5.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

62. Рассеяние на деформационном потенциале и сплавном потенциале в донорно-акцепторных гетероструктурах pHEMT = The deformation-potential scattering and alloy disorder scattering in donor-acceptor phemt heterostructures / Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, К. С. Журавлев // Мокеровские чтения : сб. тр. 8 междунар. науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, Москва, 24 мая 2017 г. – Москва : НИЯУ МИФИ, 2017. –С. 24–25. - 130 экз. - ISBN 978-5-7262-2372-8.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

63. Influence of the additional p+ doped layers on the properties of AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures for high power SHF transistors / D. V. Gulyaev, K. S. Zhuravlev, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. Y. Protasov, A. K. Gutakovskii, B. Y. Ber, D. Y. Kazantsev // Journal of Physics. D: Applied Physics. - 2016. - Vol. 49, № 9. - Art. 095108 (9 p.)
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

64. Peculiarities of CdS nanocrystal formation at annealing of a Langmuir-Blodgett matrix / K. Svit, D. Y. Protasov, S. Teys, L. Sveshnikova, M. Yakushev, K. Zhuravlev // Physica Status Solidi (C): Current Topics in Solid State Physics. - 2016. - Vol. 13, iss. 7-9. - P. 417–420.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

65. Photoconductivity in magnetic field of р-type cadmium–mercury–tellurium films grown by liquid phase epitaxy / V. Y. Kostyuchenko, D. Y. Protasov, Y. B. Andrusov, A. Denisov, A. V. Voitsekhovskii // Russian Physics Journal. - 2016. - Vol. 58, iss. 12. - P. 1669 - 1675 - DOI: 10.1007/s11182-016-0700-4.
Персональные сайты авторов: Костюченко В. Я., Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

66. The digital filtration preprocessing of variable magnetic field Hall data before mobility spectrum analysis for p-MCT films / A. Trifanov, D. Y. Protasov, V. Y. Kostyuchenko, N. Mikhailov, S. Dvoretsky // Physica Status Solidi (C): Current Topics in Solid State Physics. - 2016. - Vol. 13, iss. 7-9. - P. 465–468.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю., Костюченко В. Я.
Проверено библиотекой

67. The two-dimensional electron gas mobility in AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures with donor-acceptor doping / D. Y. Protasov, D. Gulyaev, A. Gilinsky, A. Bakarov, A. Toropov, K. Zhuravlev // 18 International symposium on the physics of semiconductors and applications (ISPSA) : abstr., Korea, Jeju, 3 –7 July 2016. – Jeju, 2016. – Art. M-P-026.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

68. Влияние фоторезиста на стабильность ГЭС МЛЭ КРТ при низкотемпературных отжигах / А. Р. Новоселов, Д. Ю. Протасов, В. Я. Костюченко, Д. Ю. Долбак // 24 международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения : тр., Москва, 24-27 мая 2016 г. – Москва : Орион, 2016 г. – С. 341–343. - ISBN 978-5-7164-0665-0.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю., Костюченко В. Я.
Проверено библиотекой

69. Легирование теллурида кадмия мышьяком в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии / П. В. Сизиков , Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Д. Ю. Протасов // Нанофизика и наноэлектроника : материалы 20 междунар. симп., Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г. В 2 т. – Нижний Новгород : Изд-во Нижегородского гос. ун-та, 2016. – Т. 2. – С. 726–727. - 350 экз. - ISBN 978-5-91326-378-0.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

70. Повышение слабополевой и сильнополевой подвижности электронов в гетероструктурах DA-pHEMT = The enhancement of low-field and high-field electron mobility in DA-pHEMT heterostructures / Д. Ю. Протасов, Д. В. Гуляев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, К. С. Журавлев // Мокеровские чтения : сб. тр 7 междунар. науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, Москва, 25 мая 2016 г. – Москва : НИЯУ МИФИ, 2016. – С. 14–15. - 150 экз. - ISBN 978-5-7262-2257-8.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

71. Подавление переноса электронов в реальном пространстве в сильном электрическом поле в гетероструктурах pHEMT с донорно-акцепторным легированием / Д. Ю. Протасов, Д. В. Гуляев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, К. С. Журавлев // Нанофизика и наноэлектроника : материалы 20 междунар. симп., Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г. В 2 т. – Нижний Новгород : Изд-во Нижегородского гос. ун-та, 2016. – Т. 2. – С. 700–701. - 350 экз. - ISBN 978-5-91326-378-0.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

72. Minority carrier diffusion length in AlxGa1-xN (x = 0.1) grown by ammonia molecular beam epitaxy / D. Y. Protasov, T. Malin, A. Gilinsky, V. Mansurov, E. Yakimov, K. Zhuravlev // Physica Status Solidi (C): Current Topics in Solid State Physics. - 2015. - Vol. 12, iss. 4-5. - P. 447–450. - DOI: 10.1002/pssc.201400180.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

73. Peculiarities of CdS nanocrystals formation at annealing of a Langmuir-Blodgett matrix [Electronic resource] / K. Svit, D. Protasov, S. Teys, L. Sveshnikova, M. Yakushev, K. Zhuravlev // 17 International conference on II-VI compounds and related materials : conf. book, France, Paris, 13–18 Sept. 2015. – Paris, 2015. – P. 276. - Electronic preprint. - Mode of access: http://files.mail.ru/D845692A6C7A413DA6C40997822BEBB4. - Title from screen.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

74. The digital filtration preprocessing of variable magnetic field Hall data before mobility spectrum analysis for p-MCT films [Electronic resource] / A. V. Trifanov, D. Protasov, V. Kostyuchenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky // 17 International conference on II-VI compounds and related materials : conf. book, France, Paris, 13–18 Sept. 2015. – Paris, 2015. – P. 337. - Electronic preprint. - Mode of access: http://files.mail.ru/D845692A6C7A413DA6C40997822BEBB4 . - Title from screen.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю., Костюченко В. Я.
Проверено библиотекой

75. Влияние легирования барьерных слоев AlGaAs бериллием на свойства p-HEMT AlGaAs/InGaAs/AlGaAs гетероструктур / Д. Гуляев, К. Журавлев, А. Бакаров, А. Торопов, Д. Ю. Протасов, Б. Бер, Д. Казанцев // Полупроводники 2015 : тез. докл. 12 Рос. конф. по физике полупроводников, Ершово 21–25 сент. 2015 г. – Москва : Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева РАН, 2015. – С. 369. - 380 экз. - ISBN 978-5-9026622-31-4.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

76. Влияние профиля δ-слоев на подвижность двумерного электронного газа, ограниченную кулоновским рассеянием, в акцепторно-легированных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs / Д. Ю. Протасов, А. Бакаров, А. Торопов, К. Журавлев // Полупроводники 2015 : тез. докл. 12 Рос. конф. по физике полупроводников, Ершово 21–25 сент. 2015 г. – Москва : Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева РАН, 2015. – С. 181. - 380 экз. - ISBN 978-5-9026622-31-4.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

77. Возрастание диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах AlxGa1-xN (x=0…0,1), выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии / Т. Малин, А. Гилинский, В. Мансуров, Д. Ю. Протасов, А. Кожухов, Е. Якимов, О. В. Кибис, К. Журавлев // Фотоника–2015 : тез. докл. Рос. конф. и шк. по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники, Новосибирск, 12–16 окт. 2015 г. – Новосибирск, 2015. – С. 121.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю., Кибис О. В.
Проверено библиотекой

78. Механизмы рассеяния двумерного электронного газа в псевдоморфных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с акцепторным легированием / Д. Ю. Протасов, А. Бакаров, А. Торопов, К. Журавлев // Мокеровские чтения : сб. тр. 6 междунар. науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, Москва, 20−21 мая 2015 г. – Москва : НИЯУ МИФИ, 2015. – С. 14–15. - 120 экз. - ISBN 978-5-7262-2111-3.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

79. Определение подвижности неосновных электронов в p-CdHgTe при температуре жидкого азота / А. В. Трифанов, Д. Ю. Протасов, В. Я. Костюченко, С. А. Дворецкий // Фотоника–2015 : тез. докл. Рос. конф. и шк. по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники, Новосибирск, 12–16 окт. 2015 г. – Новосибирск, 2015. – С. 73.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю., Костюченко В. Я.
Проверено библиотекой

80. Трифанов А. Оптимизация параметров цифрового фильтра для снижения погрешности определения электрофизи-ческих параметров носителей заряда в полупроводниках / А. Трифанов, В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов // Фундаментальные основы МЭМС- и нанотехнологий : докл. 5 Всерос. конф., Новосибирск, 15–18 июня 2015 г. : в 2 т. – Новосибирск : НГАСУ (Сибстрин), 2015. – Вып. 5, т. 2. – С. 129-132. - 150 экз. - ISBN 978-5-7795-0734-9 (т. 2). - Работа выполнена: При поддержке РФФИ (грант № 13-08-00119).
Персональные сайты авторов: Костюченко В. Я., Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

81. Пассивация поверхности нитрида галлия слоями нитрида кремния in situ и ex situ / Д. Ю. Протасов, Т. Малин, В. Мансуров, С. Девятова, А. Настовьяк, О. Терещенко, К. Журавлев // Пленки и покрытия–2015 : тр. 12 междунар. конф., Санкт-Петербург,19–22 мая 2015 г. – Санкт-Петербург : Изд-во Политехн. ун-та, 2015. – С. 109–112. – Рабата выполнена: при фин. поддержке Рос. фонда фундаментальных исследований, проект № 15-02-20220. - 116 экз.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

82. Свойства DA-pHEMT ALGaAs/InGaAs/AlGaAs-гетероструктур для мощных СВЧ-транзисторов / К. С. Журавлев, Д. В. Гуляев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. Ю. Протасов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев // Электронная техника. Серия 1: СВЧ-техника. - 2015. – Вып. 4 (527), Ч. 2. – С. 35–40.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

83. «Свойства границы раздела Si3N4/GaN, сформированной in situ методом молекулярно-лучевой эпитаксии» / Д. Ю. Протасов, Т. Малин, В. Мансуров, С. Девятова, А. Настовьяк, О. Терещенко, К. Журавлев // Мокеровские чтения : сб. тр. 6 междунар. науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, Москва, 20−21 мая 2015 г. – Москва : НИЯУ МИФИ, 2015. – С. 79–80. - 120 экз. - ISBN 978-5-7262-2111-3.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

84. Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Т. В. Малин, А. М. Гилинский, В. Г. Мансуров, Д. Ю. Протасов, А. К. Шестаков, Е. Б. Якимов, К. С. Журавлев // Журнал технической физики. - 2015. – Т. 85, № 4. – С. 67–73.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

85. Статус и перспективы мощных DA-pHEMT СВЧ-Транзисторов / К. Журавлев, А. Бакаров, Д. Гуляев, Д. Ю. Протасов, А. Торопов, В. Лукашин, В. Лапин, А. Пашковский // Полупроводники 2015 : тез. докл. 12 Рос. конф. по физике полупроводников, Ершово 21–25 сент. 2015 г. – Москва : Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева РАН, 2015. – С. 70. - 380 экз. - ISBN 978-5-9026622-31-4.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

86. Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al(x)Ga(1-x)N (x=0-0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии / Т. Малин, А. Гилинский, В. Мансуров, Д. Ю. Протасов, А. Кожухов, Е. Якимов, К. Журавлев // Физика и техника полупроводников. - 2015. – Т. 49, № 10. – С. 1329–1334.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

87. Фотопроводимость в магнитном поле пленок р-типа кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом жидкофазной эпитаксии / В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов, Ю. Б. Андрусов, И. А. Денисов, А. В. Войцеховский // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2015. – Т. 58, № 12. – C. 3–8.
Персональные сайты авторов: Костюченко В. Я., Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой