Список научных публикаций

1. Charge transport mechanism and trap origin in methyl methacrylate copolymer with thioxanthenone side groups / A. A. Gismatulin, D. S. Odintsov, V. A. Gritsenko [et al.]. – DOI 10.1016/j.cplett.2024.141140. – Text : direct // Chemical Physics Letters. – 2024. – Vol. 840. – Art. 141140 (4 p.). – Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foundation (project 22-13-00108).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

2. Comprehensive review on the impact of chemical composition, plasma treatment, and vacuum ultraviolet (VUV) irradiation on the electrical properties of organosilicate films / S. Naumov, V. A. Gritsenko [et al.]. – DOI 10.3390/polym16152230. – Text : electronic // Polymers. – 2024. – Vol. 16, iss. 15. – Art. 2230 (47 p.). – URL: https://www.mdpi.com/2073-4360/16/15/2230 (access date: 20.08.2024). – Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foundation, grant number 23-79-30016.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

3. Gritsenko V. A. Discrete trapping levels of localized states in amorphous silicon nitride / V. A. Gritsenko, Yu. N. Novikov. - DOI 10.1063/5.0215684. - Text : direct // Journal of Applied Physics. - 2024. - Vol. 136, iss.1. - Art. 014101.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

4. Electron and hole bipolar injection in magnesium oxide films / T. V. Perevalov, D. R. Islamov, V. A. Gritsenko [et al.]. – DOI 10.1063/5.0180827. – Text : direct // Applied Physics Letters. – 2024. – Vol. 124, iss. 4. – Art. 042903 (6 p.).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

5. Methyl methacrylate copolymer with pendant thioxanthenone groups as active layer for resistive memory devices / D. S. Odintsov, A. A.Gismatulin, V. A. Gritsenko [et al.]. – DOI 10.1002/cphc.202400266. – Text : direct // ChemPhysChem. – 2024. – Vol. 25, iss. 21. – Art. e202400266 (10 p.). – Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foundation, project 22-13-00108.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

6. Octafluorobiphenyl-4,4'-diyl 9-oxothioxanthene-1,4-diyl polyether – a promising material for organic film based memristors: synthesis, memristive effect and charge transport mechanism / I. K. Shundrina, I. A. Os’Kina, V. A. Gritsenko [et al.]. – DOI 10.1016/j.mencom.2024.09.013. – Text : direct // Mendeleev Communications. – 2024 – Vol. 34, iss. 5. – P. 667-669.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

7. Origin of exponentially large increase in the leakage current in alumina films depending on the ALD synthesis temperature / A. A. Gismatulin, V. A. Gritsenko [et al.]. – DOI 10.1063/5.0217150. – Text : direct // Applied Physics Letters. – 2024. – Vol. 125, iss. 6. – Art. 062901 (5 p.). – Работа выполнена : при поддержке ISP SB RAS Program No.FWGW-2021-0003.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

8. Bipolar charge transport and contact phenomena in Al2O3 / Y. N. Novikov, B. Hallac, V. A. Gritsenko [et al.]. – DOI 10.1016/j.tsf.2023.140004. – Text : direct // Thin Solid Films. – 2023. – Vol. 781. – Art. 140004 (7 p.). – Работа выполнена : при поддержке ISP SBRAS program № 0242-2021-0003.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

9. Charge Transport mechanism in the forming-free memristor based on PECVD silicon oxynitride / V. A. Gritesnko [et al.]. – DOI 10.3390/electronics12030598. – Text : electronic // Electronics. – 2023. – Vol. 12, iss. 3. – Art. 598 (15 p.). – URL: https://www.mdpi.com/2079-9292/12/3/598 (access date: 01.02.2023). - Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foundation, project No. 22-19-00369.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

10. Mechanism of transverse charge transfer in thin films of hexagonal boron nitride / V. A. Gritsenko [et al.]. – DOI 10.1134/S1063776123030135. – Text : direct // Journal of Experimental and Theoretical Physics. – 2023. – Vol. 136, iss. 3. – P. 345–352. – Работа выполнена : при поддержке Russian Academy of Sciences (research project FWGW-2022-0003), Russian Foundation for Basic Research (project no. 18-57-80006 BRICS_t).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

11. Memory properties and short-range order in silicon oxynitride-based memristors / Y. N. Novikov, V. A. Gritsenko [et al.]. – DOI 10.1063/5.0151211. – Text : direct // Applied Physics Letters. – 2023. – Vol. 122, iss. 23. – Art. 232903 (5 p.). – Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foundation Grant No. 22-19-00369, ISP SB RAS Program via No. 0242-2021-0003 (I–V measurement and short-range order calculation).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

12. Optical properties of ferroelectric films HfxZryO2 and La:HfxZryO2 according to ellipsometry data / V. N. Kruchinin, V. A. Gritsenko, U. Schroeder [et al.]. – DOI 10.1134/S0030400X23050107. – Text : direct // Optics and Spectroscopy. – 2023. – Vol. 131, iss. 7. – P. 550–553. – Работа выполнена : при поддержке Russian Foundation for Basic Research no. 20-57-12003.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

13. Oxygen Vacancies as Traps Responsible for La-Doped Hf0.5Zr0.5O2 Charge Transpor / T. V. Perevalov, A. A. Gismatulin, I. P. Prosvirin, V. A. Pustovarov, V. A. Gritsenko. - DOI 10.1021/acs.jpcc.3c01798. - Text : direct // Journal of Physical Chemistry. C. - 2023. - Vol. 127, iss. 30. - P. 14883–14890.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

14. Short-range order and charge transport in silicon-rich pyrolytic silicon oxynitride / V. A. Gritsenko [et al.]. - DOI 10.1016/j.jnoncrysol.2022.121984. - Text : direct // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2023. - Vol. 599. - Art. 121984 (7 p.). - Работа выполнена : при поддержке RFBR grant № 19–29–03018 and the Russian Science Foundation grant № 22–19–00369.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

15. Synchrotron-excited luminescence and converting of defects and quantum dots in modified silica films / V. A. Pustovarov, A. F. Zatsepin, V. A. Gritsenko [et al.]. – DOI 10.1016/j.jnoncrysol.2022.122077. – Text : direct // Journal of Non-Crystalline Solids. – 2023. – Vol. 602. – Art. 122077 (9 p.). - Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foundation, projects No. 21-12-00392.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

16. Механизм поперечного транспорта заряда в тонких пленках гексагонального нитрида бора / Д. Р. Исламов, Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко [и др.]. – DOI 10.31857/S0044451023030112. - Текст : непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики = Zhurnal eksperimental'noi i teoreticheskoi fiziki. - 2023. – Т. 163, № 3. – С. 392–400.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

17. Состав и оптические свойства аморфного плазмохимического оксинитрида кремния переменного состава a-SiOxNy : H / В. А. Володин, Г. Н. Камаев, В. А. Гриценко, С. Г. Черкова, И. П. Просвирин. – DOI 10.21883/JTF.2023.04.55047.167-22. – Текст : непосредственный // Журнал технической физики = Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. – 2023. – Т. 93, ; 4. – С. 575–582. – Работа выполнена: при поддержке Российского научно-го фонда, проект № 22-19-00369.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

18. Dementeva E. V. Cathodoluminescence of intrinsic defects in films La : HfZrO / E. V. Dementeva, M. V. Zamoryanskaya, V. A. Gritsenko. – DOI 10.21883/EOS.2022.12.55242.4244-22. – Text : direct // Optics and Spectroscopy. – 2022. – Vol. 130, iss. 12. – P. 1563–1566.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

19. Charge Transport in Nonstoichiometric SiOx Obtained by Treatment of Thermal SiO2 in Hydrogen Plasma of Electronic-Cyclotron Resonance / R. M. Kh. Iskhakzay, V. N. Kruchinin, V. Sh. Aliev, V. A. Gritsenko, E.V. Dementieva, M. V. Zamoryanskaya. – DOI 10.1134/S1063739721060081. – Text : direct // Russian Microelectronics. – 2022. – Vol. 51, iss. 1. – P. 24–35.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш., Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

20. Charge Transport Mechanism in a PECVD Deposited Low-k SiOCH Dielectric / T. V. Perevalov, A. A. Gismatulin, V. A. Gritsenko, H. Xu, J. Zhang, K. A. Vorotilov, M. R. Baklanov. – DOI 10.1007/s11664-021-09411-8. – Text : direct // Journal of Electronic Materials (JEM). – 2022. – Vol. 51, iss. 5. – P. 2521–2527.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

21. Electronic structure of silicon oxynitride films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition for memristor application / T. V. Perevalov, V. A. Volodin, V. A. Gritsenko [et al.]. - DOI 10.1016/j.jnoncrysol.2022.121925. - Text : direct // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2022. – Vol. 598. – Art. 121925 (8 p.). – Работа выполнена : при поддержке Russian Science Foundation , project No. 22–19–00369.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

22. Forming-Free Memristors Based on Hafnium Oxide Processed in Electron Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma / T. V. Perevalov, R. M. Kh. Iskhakzai, I. P. Prosvirin, V. Sh. Aliev, V. A. Gritsenko. – DOI 10.1134/S0021364022020084. – Text : direct // JETP Letters (Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters). – 2022. – Vol. 115, iss. 2. – P. 79–83.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш., Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

23. Heat-resistant polyimides with electron-acceptor pendant groups of the thioxanthenone series for resistive storage devices with a low switching voltage / V. A. Gritsenko, D. S. Odintsov, I. K. Shundrina, A. A. Gismatulin [et al.]. – DOI 10.1134/S0022476622110117. – Text : direct // Journal of Structural Chemistry. – 2022. – Vol. 63, iss. 11. – P. 1811–1819.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

24. Novikov Y. N. Multiphonon trap ionization mechanism in amorphous SiNx / Y. N. Novikov, V. A. Gritsenko. - DOI 10.1016/j.jnoncrysol.2022.121442. - Text : direct // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2022. - Vol. 582. - Art.121442 (9 p.). - Работа выполнена: при поддержке Russian Foundation for Basic Research (RFBR) (project N? 19-29-03018) .
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

25. Nanosheet high mobility SnO2-SnO Complementary TFTs for system-on-display and monolithic three-dimensional integrated circuit / A. Chin, V. Gritsenko [et al.]. - DOI 10.1002/sdtp.15959. - Text : electronic // Digest of Technical Papers - SID International Symposium. – Vol. 53, iss. S1 : Inter. conf. on display technology (ICDT–2022), Fuzhou, 9–12 July 2022. – P. 393–395. - URL: https://sid.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/sdtp.15959 (access date: 20.03.2023). - Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Technology of Taiwan (project no. 110-2221-E-A49 -137 -MY3).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

26. Remarkably High-Performance Nanosheet GeSn Thin-Film Transistor / T. J. Yen, A. Chin, W. K. Chan, H. T. Chen, V. A. Gritsenko. – DOI 10.3390/nano12020261. – Text : direct // Nanomaterials. – 2022. – Vol. 12, Iss. 2. – Art. 261. – Работа выполнена: This research was funded by the Ministry of Science and Technology of Taiwan, project no. 110-2221-E-A49-137-MY3 and 108-2112-M-007-023-MY3. The computing resource were supported by TAIWANIA in the National Center for High-Performance Computing (NCHC) in Taiwan.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

27. Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса / Т. В. Перевалов, Р. М. Х. Исхакзай, И. П. Просвирин, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко. – DOI 10.31857/S1234567822020045. – Текст : непосредственный // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики = Pis'ma v Zhurnal eksperimental'noi i teoreticheskoi fiziki. – 2022. – Т. 115, № 1-2 (1). – С. 89–93.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш., Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

28. Дементьева Е. В. Катодолюминесценция собственных дефектов в пленках La : HfZrO / Е. В. Дементьева, М. В. Заморянская, В. А. Гриценко. – DOI 10.21883/OS.2022.12.54088.4244-22. – Текст : непосредственный // Оптика и спектроскопия = Optika i spektroskopiya. – 2022. – Т. 130, № 12. – С. 1836–1839. – Работа выполнена: Настоящая работа поддержана грантом РФФИ № 20-57-12003.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

29. Оптические свойства пиролитического нитрида кремния SiNx, обогащенного кремнием / Т. В. Перевалов, Е. В. Спесивцев, В. А. Гриценко [и др.]. – DOI 10.21883/OS.2022.11.53779.3834-22. - Текст : непосредственный // Оптика и спектроскопия = Optika i spektroskopiya. - 2022. – Т. 130, № 11. – С. 1718–1722.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

30. Оптические свойства сегнетоэлектрических пленок HFXZRYO2 И LA : HFXZRYO2 по данным эллипсометрии = Optical properties of ferroelectric films HFXZRYO2 AND LA:HFХZRУO2 according to ellipsometric measurements / В. Н. Кручинин, Е. В. Спесивцев, В. А. Гриценко [и др.]. – DOI 10.21883/OS.2022.03.52163.2477-21. – Текст : непосредственный // Оптика и спектроскопия = Optika i spektroskopiya. - 2022. – Т. 130, № 3. – С. 365–368.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

31. Термостойкие полиимиды с электроноакцепторными пендантными группами тиоксантенонового ряда для запоминающих устройств резистивного типа с малым напряжением переключений = Heat-resistant polyimides with electron-acceptor pendant groups of the thioxanthenone series for resistive storage devices with a low switching voltage / Д. С. Одинцов, И. К. Шундрина, В. А. Гриценко [и др.]. – DOI 10.26902/JSC_id101782. - Текст : непосредственный // Журнал структурной химии = Zhurnal strukturnoi khimii. - 2022. – Т. 63, № 11. – С. 101782–101789.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

32. Транспорт заряда в нестехиометрическом SiOx, полученном обработкой термического SiO2 в водородной плазме электронно-циклотронного резонанса / Р. М. Х. Исхакзай, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко и др. - DOI 10.31857/S0544126921060089. - Текст : непосредственный // Микроэлектроника = Mikroelektronika. - 2022. – Т. 51, № 1. – С. 28–40.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш., Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

33. Atomic Structure and Optical Properties of Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposited SiCOH Low-k Dielectric Film / V. N. Kruchinin, V. A. Gritsenko [et al.]. – DOI 10.1134/S0030400X21050088. – Text : direct // Optics and Spectroscopy. – 2021. – Vol. 129, iss. 6. – P. 645–651. - Работа выполнена : при поддержке Russian Foundation for Basic Research, project no. 18-29-27006.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

34. Gritsenko V. A. Atomic structure and optical properties of plasma enhanced chemical vapor deposited SiCOH low-k dielectric film / V. A. Gritsenko, V. A. Volodin, S. V. Rykhlitskii [et al.]. – DOI: 10.21883/OS.2021.05.50887.259-20. – Текст : непосредственный // Оптика и спектроскопия = Optika i spektroskopiya. – 2021. – Т. 129, вып. 5. – C. 618–619.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

35. Bipolar conductivity in ferroelectric La:HfZrO films / T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, A. A. Gismatulin, T. Mikolajick [et. al.]. - DOI 10.1063/5.0050748. - Text : direct // Applied Physics Letters. - 2021. - Vol. 118, iss. 26. - Art. 262903 (4 p.). - Работа выполнена: при поддержке Russian Foundation for Basic Research, Grant No. 20-57-12003
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

36. Novikov Y. N. Charge Transport in Amorphous Silicon Nitride / Y. N. Novikov, V. A. Gritsenko. - DOI 10.1134/S1063776121100046. - Text : direct // Journal of Experimental and Theoretical Physics. - 2021. - Vol. 133, iss. 4. - P. 488–493. - Работа выполнена: при поддержке Russian Foundation for Basic Research (project no. 19-29-03018).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

37. Charge Transport Mechanism and Trap Origin in Methyl-Terminated Organosilicate Glass Low-k Dielectrics / T. V. Perevalov, A. A. Gismatulin, A. E. Dolbak, V. A. Gritsenko [et al.] // Physica Status Solidi (A). - 2021. - Vol. 218, iss. 4. - Art. 2000654 (7 p.). - DOI: 10.1002/pssa.202000654.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

38. Charge transport mechanism in atomic layer deposited oxygen-deficient TaOx films / V. A. Gritsenko [et al.]. - DOI 10.1002/pssb.202000432. - Text : direct // Physica Status Solidi (B). - 2021. - Vol. 258, iss.3. - Art. 2000432 (6 p.).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

39. Charge transport mechanism in the forming free memristor based on silicon nitride [Electronic resource] / V. A. Gritsenko [et al.] // Scientific Reports. - 2021. - Vol. 11. - Art. 2417 (10 p.). - Mode of access: https://www.nature.com/articles/s41598-021-82159-7.pdf. - Title from screen - DOI: 10.1038/s41598-021-82159-7.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

40. Charge transport mechanism in the metal–nitride–oxide–silicon forming-free memristor structure / A. A. Gismatulin, V. A. Gritsenko, O. M. Orlov, G. Y. Krasnikov. – DOI 10.1016/j.chaos.2020.110458. – Text : direct // Chaos Solitons & Fractals. – 2021. – Vol. 142. – Art. 110458 (5 p.).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

41. Yen Te Jui Exceedingly high performance top-gate P-type SnO thin film transistor with a nanometer scale channel layer / Te Jui Yen, A. Chin, V. A. Gritsenko // Nanomaterials. - 2021. - Vol. 11, iss. 1. - Art. 92 (11 p.). - DOI: 10.3390/nano11010092.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

42. High mobility oxide complementary TFTs for system-on-display and three-dimensional brain-mimicking IC / A. Chin, T. J. Yen, Y. D. Chen, Ch. W. Shih, V. A. Gritsenko. - DOI 10.1002/sdtp.14466. - Text : electronic // SID symposium digest of technical papers. - 2021. - Vol. 52, iss. S1. - P. 292 -294. - URL: https://sid.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/sdtp.14466 (access date: 29.12.2021).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

43. Yen T. Improved device distribution in high-performance sinx resistive random access memory via arsenic ion implantation / T. Yen, A. Chin, V. Gritsenko. - DOI 10.3390/nano11061401. - Text : direct // Nanomaterials. - 2021. - Vol. 11, iss. 6. - Art. 1401 (9 p.). - Работа выполнена: при поддержке Ministry of Science and Technology of Taiwan, project no. 107-2221-E-009-092-MY3.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

44. Gritsenko V. A. Memory properties of SiOx- and SiNx-based memristors / V. A. Gritsenko, A. A. Gismatulin, O. M. Orlov. - DOI 10.1134/S2635167621060070. - Text : direct // Nanobiotechnology Reports. - 2021. – Vol. 16, iss. 6. – P 722–731.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

45. Novikov Y. N. Multiphonon Ionization of Deep Centers in Amorphous Boron Nitride / Y. N. Novikov, V. A. Gritsenko. - DOI 10.1134/S0021364021190097. - Text : direct // JETP Letters (Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters). - 2021. - Vol. 114, iss. 7. - C. 433 - 436. - Работа выполнена: при поддержке Russian Foundation for Basic Research (project no. BRIKS-0-57-12003).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

46. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport. Part 1: Crystals / V. A. Gritsenko [et al.]. - DOI 10.1016/j.mtla.2020.100979. - Text : electronic // Materials. - 2021. - Vol. 15. - Art. 100979 (6 p.). - URL: https://doi.org/10.1016/j.mtla.2020.100979 (access date: 9.11.2021).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

47. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport. Part 2: films / V. A. Gritsenko, V. S. Aliev, A. Chin [et al.]. - DOI 10.1016/j.mtla.2020.100980. - Text : direct // Materialia. - 2021. - Vol. 15. - Art. 100980 (6 p.). - Работа выполнена: при поддержке Russian Science Foundation under grant No. 16-19-00002 [et al.].
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А., Алиев В. Ш.
Проверено библиотекой

48. Resistive switching effect in thermal SiO2 films treated in electron-cyclotron resonance hydrogen plasma / R. Iskhakzay, V. Voronkovskii, V. S. Aliev, V. A. Gritsenko. - DOI: 10.1109/EDM52169.2021.9507691. – Text : direct // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 67-70. - ISBN 978-1-6654-1498-2.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш., Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

49. Гриценко В. А. Запоминающие свойства мемристоров на основе оксида и нитрида кремния = Memory properties of SiO x- and SiN x-based memristors / В. А. Гриценко, А. А. Гисматулин, О. М. Орлов. – DOI 10.1134/S1992722321060078. – Текст : непосредственный // Российские нанотехнологии = Rossiiskie nanotekhnologii. – 2021. – Т. 16, № 6. – С. 751–760.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

50. Кручинин В. Н. Оптические и электрохромные свойства тонких пленок амбиполяных полиимидов с пендантными группами на основе производных тоиксантенона = Optical and electrochromic properties of thin films of ambipolar polyimides with pendant groups based on thioxanthenone derivatives / В. Н. Кручинин, Д. С. Одинцов, В. А. Гриценко [и др.]. - DOI 10.21883/OS.2021.11.51638.2473-21. - Текст : непосредственный // Оптика и спектроскопия = Optika i spektroskopiya. - 2021. – Т. 129, № 11. – С. 1393–1399.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

51. Новиков Ю. Н. Транспорт заряда в аморфном нитриде кремния / Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко. - DOI 10.31857/S0044451021100138. - Текст : непосредственный // Журнал экспериментальной и теоретической физики = Zhurnal eksperimental'noi i teoreticheskoi fiziki. - 2021. – Т. 160, № 4 (10). – С. 565–571.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

52. Atomic and Electronic Structure of SiOx Films Obtained with Hydrogen Electron Cyclotron Resonance Plasma / T. V. Perevalov, R. M. Iskhakzai, V. S. Aliev, V. A. Gritsenko, I. P. Prosvirin. - DOI 10.1134/S1063776120110084. - Text : direct // Journal of Experimental and Theoretical Physics. - 2020. - Vol. 131, iss. 6. - P. 940–944. - Работа выполнена: This work was supported by the Russian Science Foundation (project no. 19-19-00286). The simulations were performed at the computational cluster of the Data Processing Center of the Novosibirsk State University.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

53. Gritsenko V. Charge transport mechanism and amphoteric nature of traps in amorphous silicon nitride / V. Gritsenko // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2020. - Vol. 544. - Art. 120186 . - DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2020.120186.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

54. Charge transport mechanism in a formless memristor based on silicon nitride / V. A. Gritsenko, A. A. Gismatulin [et al.] // Russian Microelectronics. - 2020. - Vol. 49, iss. 5. - P. 372–377. - DOI: 10.1134/S1063739720050078. - Работа выполнена: при поддержке Russian Foundation for Basic Research, project no. 19-29-03018.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

55. Gritsenko V. A. Charge transport mechanism in La:HfO2 / V. A. Gritsenko, A. A. Gismatulin // Applied Physics Letters. - 2020. - Vol.117, iss. 14. - Art.142901 (4 p.). - DOI: 10.1063/5.0021779.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

56. Charge transport mechanism in the metal–nitride–oxide–silicon forming-free memristor structure / V. A. Gritsenko [et al.] // Applied Physics Letters. - 2020. - Vol. 116, iss. 20. - Art. 203502 (5 p.). - DOI: 10.1063/5.0001950.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

57. Critical properties and charge transport in ethylene bridged organosilica low-? dielectrics / T. V. Perevalov, Y. Wang, H. Xu, V. A. Gritsenko. - DOI 10.1063/1.5145239. - Text : direct // Journal of Applied Physics. - 2020. - Vol. 127. - Art. 195105 (12 p.).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

58. Electronic structure and charge transport mechanism in a forming-free SiOx-based memristor / A. A. Gismatulin, V. A. Voronkovskii, V. A. Gritsenko [et al.]. – DOI 10.1088/1361-6528/abb505. – Text : direct // Nanotechnology. – 2020. – Vol. 31, iss. 50. – Art. 505704.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

59. Electronic structure and nanoscale potential fluctuations in strongly nonstoichiometric PECVD SiOx / V. A. Gritsenko [et al.] // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2020. - Vol. 529. - Art. 119796 (4 p.). - DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2019.119796. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ ( grant №19-19-00286).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

60. Yen Te Jui High performance all nonmetal SiNx resistive random access memory with strong process dependence [Electronic resource] / Te Jui Yen, A. Chin, V. A. Gritsenko // Scientific Reports. - 2020. - № 10. - Art. 2807 (9 p.). - Mode of access: https://www.nature.com/articles/s41598-020-59838-y.pdf?proof=trueIn%25EF%25BB%25BF. - Title from screen - DOI: 10.1038/s41598-020-59838-y. - Работа выполнена: при поддержке Ministry of Science and Technology of Taiwan, project no. 107-2923-E-009-001-MY3 and Russian Science Foundation (project no. 18-49-08001).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

61. Yen T. J. High-performance top-gate thin-film transistor with an ultra-thin channel layer / Te Jui Yen, A. Chin, V. A. Gritsenko. – DOI 10.3390/nano10112145. – Text : direct // Nanomaterials. – 2020. – Vol. 10, iss. 11. – Art. 2145 (8 p.).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

62. Impact of oxygen vacancy on the ferroelectric properties of lanthanum-doped hafnium oxide / V. A. Gritsenko [et al.]. - DOI 10.1063/5.0023554. - Text : direct // Applied Physics Letters. - 2020. - Vol. 117, iss.16. - Art. 162901 (5 p.).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

63. Optical properties of the SiOx (x<2) thin films obtained by hydrogen plasma processing of thermal silicon dioxide / V. N. Kruchinin, V. S. Aliev, V. A. Gritsenko [et al.]. – DOI 10.1134/S0030400X20100173. – Text : direct // Optics and Spectroscopy. – 2020. – Vol. 128, iss. 10. – P. 1577–1582.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш., Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

64. Phonon-assisted electron tunneling between traps in silicon oxide films treated in hydrogen plasma / V. A. Gritsenko [et al.]. - DOI 10.1016/j.jnoncrysol.2020.120256. - Text : direct // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2020. - Vol. 546. - Art.1 20256.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

65. Novikov Yu. N. The charge transport mechanism in amorphous boron nitride / Yu. N. Novikov, V. A. Gritsenko // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2020. - Vol. 544. - Art. 120213. - DOI: https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2020.120213.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

66. Атомная и электронная структура пленок SiOx, полученных с помощью водородной плазмы электрон-циклотронного резонанса / Т. В. Перевалов, Р. М. Х. Исхакзай, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко, И. П. Просвирин // Журнал экспериментальной и теоретической физики = Zhurnal eksperimental'noi i teoreticheskoi fiziki. - 2020. - Т. 158, № 6 (12). - С. 1083–1088. - DOI: 10.31857/S004445102012007X. - Работа выполнена: Работа поддержана Российским научным фондом (грант № 19-19-00286). Моделирование осуществлялось на вычислительном кластере ИВЦ НГУ.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

67. Исследование МНОП-структур на основе LPCVD Si3N4-слоя для RERAM = Research on MNOS structures based on LPCVD SI3N4 layer for RERAM / О. М. Орлов, В. А. Гриценко, А. А. Гисматулин, Д. С. Мизгинов. – DOI 10.22184/1993-8578.2020.13.5s.670.672. – Текст : непосредственный // Наноиндустрия = Nanoindustriya. – 2020. – Т. 13, № S5-3 (102). – С. 670–672.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

68. Механизм транспорта заряда в бесформовочном мемристоре на основе нитрида кремния / О. М. Орлов, А. А. Гисматулин, В. А. Гриценко, Д. С. Мизгинов // Микроэлектроника = Mikroelektronika. - 2020. – Т. 49, № 5. – С. 395–400. - DOI: 10.31857/S0544126920050075.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

69. Оптические свойства тонких пленок SiOx (x < 2), полученных обработкой термического диоксида кремния в водородной плазме = Optical properties of thin films of SiOx (x < 2), obtained by exposure of thermal silicon dioxide in hydrogen plasma / В. Н. Кручинин, Т. В. Перевалов, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко [и др.] // Оптика и спектроскопия = Optika i spektroskopiya. - 2020. – Т. 128, № 10. – С. 1467–1472. - DOI: 10.21883/OS.2020.10.50016.12-20.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш., Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

70. All Nonmetal resistive random access memory [Electronic resource] / T. Yen, V. A. Gritsenko, A. Chin [et al.] // Scientific Reports. - 2019. - Vol. 9. - Art. 6144 (5 p.). - Mode of access: https://www.nature.com/articles/s41598-019-42706-9.pdf. - Title from screen - DOI: 10.1038/s41598-019-42706-9.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

71. Atomic and electronic structure of ferroelectric La-doped HfO2 films [Electronic resource] / V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, A. T. Gutakovskii, V. N. Kruchinin, I. P. Prosvirin // Materials Research Express. - 2019. - Vol. 6, iss. 3. - Art. 036403. - Mode of access: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/aaf436/meta. - Title from screen - DOI: 10.1088/2053-1591/aaf436.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

72. Atomic and Electronic Structures of a-SiNx:H / V. A. Gritsenko, V. N. Kruchinin, I. P. Prosvirin, Y. N. Novikov, A. Chin, V. A. Volodin // Journal of Experimental and Theoretical Physics. - 2019. - Vol. 129, iss. 5 . - P. 924–934. - DOI: 10.1134/S1063776119080132.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

73. Charge transport mechanism in periodic mesoporous organosilica low-k dielectric / A. A. Gismatulin, V. A. Gritsenko, D. S. Seregin, K. A. Vorotilov and M. R. Baklanov // Applied Physics Letters. - 2019. - Vol. 115. - Art. 082904. - DOI: https://doi.org/10.1063/1.5113633.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

74. Charge transport mechanism in SiNx-based memristor / A. A. Gismatulin, V. A. Gritsenko, T.-J. Yen, A. Chin // Applied Physics Letters. - 2019. - Vol. 115, iss. 25. - Art. 253502 (5 p.). - DOI: 10.1063/1.5127039. - Работа выполнена : Russian Science Foundation (Project @ 18-49-08001) and by the Ministry of Science and Technology (MOST) of Taiwan (Project @ 107-2923-E-009-001-MY3).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

75. Charge transport mechanism of high-resistive state in RRAM based on SiOx / V. A. Gritsenko, T. Yen, A. Chin [et al.] // Applied Physics Letters. - 2019. - Vol.114, iss. 3. - Art. 033503 (5 p.). - DOI: 10.1063/1.5074116. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

76. Identification of the nature of traps involved in the field cycling of Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric thin films / V. A. Gritsenko, S. Slesazeck, U. Schroder, T. Mikolajick [et al.] // Acta Materialia. - 2019. - Vol.166. - P. 47-55. - DOI: 10.1016/j.actamat.2018.12.008.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

77. Mechanism of stress induced leakage current in Si3N4 [Electronic resource] / V. A. Gritsenko, A. A. Gismatulin, A. P. Baraban, A. Сhin // Materials Research Express. - 2019. - Vol. 6, iss. 7. - Art. 076401. - Mode of access: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/ab1223/pdf. - Title from screen - DOI: 10.1088/2053-1591/ab1223.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

78. Memristor effect in GeO[SiO2] and GeO[SiO] solid alloys films / V. A. Volodin, G. N.Kamaev, A. Gritsenko, A. A. Gismatulin, A. Chin, and M. Vergna // Applied Physics Letters. - 2019. - Vol. 114. - Art. 233104. - DOI: 10.1063/1.5079690.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

79. Gritsenko V. A. Multiphonon trap ionization transport in nonstoichiometric SiN x [Electronic resource] / V. A. Gritsenko, A. Chin // Materials Research Express. - 2019. - Vol. 6, iss. 3. - Art. 036304. - Mode of access: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/aaf61e/meta. - Title from screen - DOI: 10.1088/2053-1591/aaf61e.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

80. Gritsenko V. A. Nanoscale potential fluctuations and electron percolation in silicon oxide (SiOx, x = 1.4, 1.6) [Electronic resource] / V. A. Gritsenko, Y. N. Novikov, A. Chin // Materials Research Express. - 2019. - Vol. 6, iss. 11. - Art. 116409. - Mode of access: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/ab4487. - Title from screen - DOI: 10.1088/2053-1591/ab4487.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

81. Perevalova T. V. Nanosized Potential Fluctuations in SiOx Synthesized by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition / T. V. Perevalova, V. A. Volodina, V. A. Gritsenko [et al.]. - DOI 10.1134/S1063783419120370. - Text : direct // Physics of the Solid State. - 2019. - Vol. 61, iss. 12. - P. 2560–2568.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

82. Novikov Yu. N. New multilayer graphene-based flash memory [Electronic resource] / Yu N Novikov, V. A. Gritsenko // Materials Research Express. - 2019. - Vol. 6, iss.10 - Art.106306 (7 p.). - Mode of access: http://dx.doi.org/10.1088/2053-1591/ab3992. - Title from screen. - DOI: 10.1088/2053-1591/ab3992. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ (18-57-80006 BRICS_t) и дополнительные поддержка была получена от National Natural Science Foundation of China (grants no. 61502326, 41550110223, 11661131002, 61874075), the Jiangsu Government (grant no. BK20150343) and the Ministry of Finance of China (grant no. SX21400213).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

83. Optical properties and charge transport of textured Sc2O3 thin films obtained by atomic layer deposition / V. A. Gritsenko, M. S. Lebedev, V. N. Kruchinin [et al.] // Applied Surface Science. - 2019. - Vol. 478. - P. 690–698. - DOI: 10.1016/j.apsusc.2019.01.288. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

84. Optical properties of nonstoichiometric silicon oxide SiOx (x < 2) / V. A. Gritsenko [et al.] // Optics and Spectroscopy. - 2019. - Vol. 127, iss. 5. - P. 836-840. - DOI: 10.1134/S0030400X19110183.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

85. Structure of Hf0.9La0.1O2 ferroelectric films obtained by the atomic layer deposition / V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, A. K. Gutakovskii, I. P. Prosvirin // JETP Letters (Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters). - 2019. - Vol.109, iss. 2. - P. 116-120. - DOI: 10.1134/S0021364019020115. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

86. Оптические свойства нестехиометрического оксида кремния SiOx (x < 2) / В. Н. Кручинин, Т. В. Перевалов, Г. М. Камаев, С. В. Рыхлицкий, В. А. Гриценко // Оптика и спектроскопия = Optika i spektroskopiya. - 2019. - Т. 127, № 5 [11]. - С. 769-773. - DOI: 10.21883/OS.2019.11.48513.136-19. - Работа выполнена: Исследование выполнено в рамках госзадания № 0306-2019-0005. Моделирование осуществлялось на вычислительном кластере ИВЦ НГУ.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

87. Строение и электронная структура a-SiNx : H / В. А. Гриценко, В. Н. Кручинин, И. П. Просвирин, Ю. Н. Новиков, А. Чин, В. А. Володин // Журнал экспериментальной и теоретической физики = Zhurnal eksperimental'noi i teoreticheskoi fiziki. - 2019. - Т. 156, № 5 (11). - С. 1003-1015. - DOI: 10.1134/S0044451019110166. - Работа выполнена: Исследование поддержано совместными грантами Российского научного фонда (проект № 18-49-08001) и Министерства науки и технологий, Тайвань - MOST (проект № 107-2923-E-009-001-MY3). Синтез нитрида кремния выполнен в рамках проекта Российского фонда фундаментальных исследований (№ 19-29-03018).
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

88. Строение сегнетоэлектрических пленок Hf0.9La0.1O2, полученных методом атомно-слоевого осаждения / В. А. Гриценко, Т. В. Перевалов, А. К. Гутаковский, И. П. Просвирин // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики = Pis'ma v Zhurnal eksperimental'noi i teoreticheskoi fiziki. - 2019. - Т. 109, вып. 1-2. - С. 112-117. - DOI: 10.1134/S0370274X19020097.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

89. Atomic and electronic structures of metal-rich noncentrosymmetric ZrOx / V. A. Gritsenko, T. V. Perevalova, V. A. Volodina, V. N. Kruchinin, A. K. Gerasimova, I. P. Prosvirin // JETP Letters (Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters). - 2018. - Vol. 108, iss. 4. - P. 226–230. - DOI: 10.1134/S002136401816004X. - Работа выполнена: при поддержке СО РАН.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

90. Charge transport and the nature of traps in oxygen deficient tantalum oxide / V. A. Gritsenko [et al.] // ACS Applied Materials & Interfaces. - 2018. - Vol. 10, iss. 4. - P. 3769-3775. - DOI: 10.1021/acsami.7b16753.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

91. Electronic structure and charge transport in nonstoichiometric tantalum oxide / V. A. Gritsenko [et al.] // Nanotechnology. - 2018. - Vol. 29, № 26. - Art. 264001 (9 p.) - DOI: 10.1088/1361-6528/aaba4c. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

92. Karpushin A. A. Electronic structure of amorphous SiOx with variable composition / A. A. Karpushin, V. A. Gritsenko // JETP Letters (Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters). - 2018. - Vol. 108, iss. 2. - P. 127–131. - DOI: 10.1134/S0021364018140084. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

93. Electronic structure of oxygen vacancies in the orthorhombic noncentrosymmetric phase Hf0.5Zr0.5.O2 / T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, D. R. Islamov, I. P. Prosvirin // JETP Letters (Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters). - 2018.- Vol. 107, iss. 1. - P. 55-60. - DOI: 10.1134/S0021364018010071.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

94. Electronic structure of stoichiometric and oxygen-deficient ferroelectric Hf0.5 Zr0.5 O2 / V. A. Gritsenko [et al.] // Nanotechnology. - 2018. - Vol. 29. - Art. 194001 (8 p.). - DOI: 10.1088/1361-6528/aaacb1. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

95. Hydrogen radical enhanced atomic layer deposition of TaOx: saturation studies and methods for oxygen deficiency control / V. A. Gritsenko, S. Cheol [et al.] // Journal of Materials Chemistry. С. - 2018. - Vol. 6, iss 36. - P. 9667-9674. - DOI: 10.1039/C8TC00679B.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

96. Volodin V. A. Local oscillations of silicon–silicon bonds in silicon nitride / V. A. Volodin, V. A. Gritsenko, A. Chin // Technical Physics Letters. - 2018. - Vol. 44, iss. 5. - P. 424–427. - DOI: 10.1134/S1063785018050279. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

97. Nanoscale potential fluctuations in nonstoichiometrics tantalum oxide / V. A. Gritsenko [et al.] // Nanotechnology. - 2018. - Vol. 29, № 42. - Art. 425202 (9 p.). - DOI: 10.1088/1361-6528/aad430.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

98. Nanoscale potential fluctuations in zirconium oxide and the flash memory based on electron and hole localization [Electronic resource] / V. A. Gritsenko, M. Lanza [et al.] // Advanced Electronic Materials. - 2018. - Vol. 4, iss. 9. - Art. 1700592 (8 p.). - Mode of access: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/aelm.201700592. - Title from screen - DOI: 10.1002/aelm.201700592. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

99. Optical Properties of Nonstoichiometric Tantalum Oxide TaOx (x < 5/2) According to Spectral-Ellipsometry and Raman-Scattering Data / V. N. Kruchinin, V. A. Volodin, T. V. Perevalov, A. K. Gerasimova, V. S. Aliev, V. A. Gritsenko // Optics and Spectroscopy. - 2018. – Vol. 124, iss. 6. – P. 808–813. - DOI: 10.1134/S0030400X18060140.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

100. Volodin V. A. Short-range order and charge transport in SiOx: experiment and numerical simulation / V. A. Volodin, V. A. Gritsenko, Y. N. Novikov, A. Chin // Technical Physics Letters. - 2018. - Vol. 44, iss. 6. - P. 541–544. - DOI: 10.1134/S1063785018060196. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

101. Short-range order in amorphous and crystalline ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 / V. V. Gritsenko [V. A. Gritsenko], K. O. Kvashnina [et al.] // Journal of Experimental and Theoretical Physics. - 2018. - Vol. 126, iss. 6. - P. 816–824. - DOI: 10.1134/S1063776118060031. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

102. The evolution of the conductivity and cathodoluminescence of the films of hafnium oxide in the case of a change in the concentration of oxygen vacancies / D. R. Islamov, V. A. Gritsenko, V. N. Kruchinin, E. V. Ivanova, M. V. Zamoryanskaya // Physics of the Solid State. - 2018. - Vol. 60, iss. 10. - P. 2050-2057. - DOI: 10.1134/S1063783418100098. - Работа выполнена: при поддержке РФФИ.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

103. Гриценко В. А. Ближний порядок, транспорт заряда в SiOx : эксперимент и численное моделирование / В. А. Гриценко, Ю. Н. Новиков, A. Сhin // Письма в Журнал технической физики = Pis'ma v Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. – 2018. – Т. 44, вып. 12. – С. 81–88. – DOI: 10.21883/PJTF.2018.12.46295.17273.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

104. Володин В. А. Локальные колебания связей кремний–кремний в нитриде кремния / В. А. Володин, В. А. Гриценко, A. Chin // Письма в Журнал технической физики = Pis'ma v Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. – 2018. – Т. 44, вып. 10. – С. 37–45. – DOI: 10.21883/PJTF.2018.10.46097.17223.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

105. Оптические свойства нестехиометрического оксида тантала TaOx (x < 5/2) по данным спектроэллипсометрии и комбинационного рассеяния / В. Н. Кручинин, В. А. Гриценко [и др.] // Оптика и спектроскопия = Optika i spektroskopiya. – 2018. – Т. 124, вып. 6. – С. 777–782. – DOI: 10.21883/OS.2018.06.46080.39-18.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

106. Строение и электронная структура нестехиометрического обогащенного металлом ZrOx / В. А. Гриценко [и др.] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики = Pis'ma v Zhurnal eksperimental'noi i teoreticheskoi fiziki. - 2018. - T. 108, вып.3-4. - C. 230–235
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

107. Эволюция проводимости и катодолюминесценции пленок оксида гафния при изменении концентрации вакансий кислорода = The evolution of the conductivity and cathodoluminescence of the films of hafnium oxide in the case of a change in the concentration of oxygen vacancies / Д. Р. Исламов, В. А. Гриценко, В. Н. Кручинин, Е. В. Иванова [и др.] // Физика твердого тела = Fizika tverdogo tela. – 2018. – Т. 60, № 10. – С. 2006–2013. – DOI: 10.21883/FTT.2018.10.46532.114. – Работа выполнена при частичной поддержке Российского научного фонда, грант N 16-19-00002.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

108. Гриценко В. А. Электронная структура аморфного SiOx переменного состава / А. А. Карпушин, В. А. Гриценко // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики = Pis'ma v Zhurnal eksperimental'noi i teoreticheskoi fiziki. - 2018. - Т. 108, вып. 2. - С. 114–118. - DOI: 10.1134/S0370274X18140096
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

109. Электронная структура вакансий кислорода в орторомбической нецентросимметричной фазе HFO.5ZRO.5O2 / Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов, И. П. Просвирин // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики = Pis'ma v Zhurnal eksperimental'noi i teoreticheskoi fiziki. – 2018. – Т. 107, № 1-2. – С. 62–67. – DOI: 10.7868/S0370274X18010113. – Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда, грант # 14-19-00192. Моделирование осуществлялось на вычислительном кластере ИВЦ НГУ.
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А.
Проверено библиотекой