Список научных публикаций

1. Voronkovskii V. A. Resistive Switching Effect in TaN/HfOx/Ni Memristors with a Filament Formed under Local Electron-Beam Crystallization / V. A. Voronkovskii, A. K. Gerasimova, V. S. Aliev. – DOI 10.1134/S0021364023600593. – Text : direct // JETP Letters (Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters). – 2023. – Vol. 117, iss. 7. – P. 546–550.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш.
Проверено библиотекой

2. Kalmykov D. A. Synaptic VO2 resistor on glass substrate for neuromorphic circuits / D. A. Kalmykov, S. G. Bortnikov, V. S. Aliev. – DOI 10.1109/EDM58354.2023.10225019. – Text : direct // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 50–53. – ISBN 979-8-3503-3687-0.
Проверено библиотекой

3. Воронковский В. А. Эффект резистивного переключения в мемристорах TAN/HFOX/NI с филаментом, сформированным под действием локальной электронно-лучевой кристаллизации / В. А. Воронковский, А. К. Герасимова, В. Ш. Алиев. – DOI 10.31857/S123456782307011X. – Текст : непосредственный // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики = Pis'ma v Zhurnal eksperimental'noi i teoreticheskoi fiziki. – 2023. – Т. 117, № 7-8. – С. 550–555.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш.
Проверено библиотекой

4. Charge Transport in Nonstoichiometric SiOx Obtained by Treatment of Thermal SiO2 in Hydrogen Plasma of Electronic-Cyclotron Resonance / R. M. Kh. Iskhakzay, V. N. Kruchinin, V. Sh. Aliev, V. A. Gritsenko, E.V. Dementieva, M. V. Zamoryanskaya. – DOI 10.1134/S1063739721060081. – Text : direct // Russian Microelectronics. – 2022. – Vol. 51, iss. 1. – P. 24–35.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш., Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

5. Forming-Free Memristors Based on Hafnium Oxide Processed in Electron Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma / T. V. Perevalov, R. M. Kh. Iskhakzai, I. P. Prosvirin, V. Sh. Aliev, V. A. Gritsenko. – DOI 10.1134/S0021364022020084. – Text : direct // JETP Letters (Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters). – 2022. – Vol. 115, iss. 2. – P. 79–83.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш., Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

6. Modeling of VO2 relaxation oscillator in the fast-slow system approximation / V. S. Aliev, S. G. Bortnikov, A. G. Karakotsky, V. I. Litvintsev. - DOI 10.1109/TED.2021.3135802. - Text : direct // IEEE Transactions on Electron Devices. - 2022. - Vol. 69, iss. 2. - P. 715-721.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш.
Проверено библиотекой

7. Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса / Т. В. Перевалов, Р. М. Х. Исхакзай, И. П. Просвирин, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко. – DOI 10.31857/S1234567822020045. – Текст : непосредственный // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики = Pis'ma v Zhurnal eksperimental'noi i teoreticheskoi fiziki. – 2022. – Т. 115, № 1-2 (1). – С. 89–93.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш., Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

8. Транспорт заряда в нестехиометрическом SiOx, полученном обработкой термического SiO2 в водородной плазме электронно-циклотронного резонанса / Р. М. Х. Исхакзай, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко и др. - DOI 10.31857/S0544126921060089. - Текст : непосредственный // Микроэлектроника = Mikroelektronika. - 2022. – Т. 51, № 1. – С. 28–40.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш., Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

9. Influence of the active TaN/ZrOx/Ni memristor layer oxygen content on forming and resistive switching behavior / V. S. Aliev [et al.]. - DOI 10.1088/1361-6528/abce7b. - Text : direct // Nanotechnology. - 2021. - Vol. 32, № 18. - Art.185205.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш.
Проверено библиотекой

10. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport. Part 2: films / V. A. Gritsenko, V. S. Aliev, A. Chin [et al.]. - DOI 10.1016/j.mtla.2020.100980. - Text : direct // Materialia. - 2021. - Vol. 15. - Art. 100980 (6 p.). - Работа выполнена: при поддержке Russian Science Foundation under grant No. 16-19-00002 [et al.].
Персональные сайты авторов: Гриценко В. А., Алиев В. Ш.
Проверено библиотекой

11. Resistive switching effect in thermal SiO2 films treated in electron-cyclotron resonance hydrogen plasma / R. Iskhakzay, V. Voronkovskii, V. S. Aliev, V. A. Gritsenko. - DOI: 10.1109/EDM52169.2021.9507691. – Text : direct // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 67-70. - ISBN 978-1-6654-1498-2.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш., Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

12. Comparative study of electron-beam crystallization of amorphous hafnium oxides HfO2 and HfOx (x=1.82) / A. K. Gerasimova, V. Sh. Aliev, G. K. Krivyakin, V. A. Voronkovskii // SN Applied Sciences. - 2020. - Vol. 2, Iss. 7. - Art. 1273 (7 p.). - DOI: 10.1007/s42452-020-3102-8. - Работа выполнена: при поддержке Ministry of Science and Higher Education of Russia (Grants No.0306-2019-0015).
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш.
Проверено библиотекой

13. Optical properties of the SiOx (x<2) thin films obtained by hydrogen plasma processing of thermal silicon dioxide / V. N. Kruchinin, V. S. Aliev, V. A. Gritsenko [et al.]. – DOI 10.1134/S0030400X20100173. – Text : direct // Optics and Spectroscopy. – 2020. – Vol. 128, iss. 10. – P. 1577–1582.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш., Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

14. Оптические свойства тонких пленок SiOx (x < 2), полученных обработкой термического диоксида кремния в водородной плазме = Optical properties of thin films of SiOx (x < 2), obtained by exposure of thermal silicon dioxide in hydrogen plasma / В. Н. Кручинин, Т. В. Перевалов, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко [и др.] // Оптика и спектроскопия = Optika i spektroskopiya. - 2020. – Т. 128, № 10. – С. 1467–1472. - DOI: 10.21883/OS.2020.10.50016.12-20.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш., Гриценко В. А.
Проверено библиотекой

15. Conduction mechanisms of TaN/HfOx/Ni memristors [Electronic resource] / V. A. Voronkovskii, V. S. Aliev, A. K. Gerasimova, D. R. Islamov // Materials Research Express. - 2019. - Vol. 6, № 7. - Art. 076411 (7 p.). - Mode of access: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/ab11aa/meta. - Title from screen. - DOI: 10.1088/2053-1591/ab11aa.
Персональные сайты авторов: Алиев В. Ш.
Проверено библиотекой