Список научных публикаций

1. Growth Mechanisms of GaN/GaAs Nanostructures by Droplet Epitaxy Explained by Complementary Experiments and Simulations / G. Tsamo, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz [et al.]. - DOI 10.1021/acs.jpcc.3c07945. - Text : direct // Journal of Physical Chemistry. C. - 2024. - Vol.128, iss.12. - P. 5168-5178.
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

2. Nastovjak A. G. Simulation of GaAs nanowire annealing / A. G. Nastovjak, D. V. Shterental, N. L. Shwartz. – DOI 10.1016/j.commatsci.2023.112310. – Text : direct // Computational Materials Science. – 2023. – Vol. 228. – Art. 112310. – Работа выполнена : при поддержке Russian Ministry of Education and Science (№ 0242-2021-0008).
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

3. Litvinenko M. A. Simulation of GaN nanocluster droplet epitaxy on Si(111) substrate / M. A. Litvinenko, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz. – DOI 10.1109/EDM58354.2023.10225055. – Text : direct // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 80–83. – ISBN 979-8-3503-3687-0.
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

4. Массивы квазиодномерных нанокристаллов GAAS, выращенные на окисленной поверхности гетероструктуры SI/GAAS(001): влияние толщины эпитаксиального слоя SI на строение массива = Arrays of quasi-one-dimensional GAAS nanocrystals grown on the oxidized surface of the SI/GAAS(001) Heterostructure: effect of the SI epitaxial layer on the array structure / Е. А. Емельянов, Т. А. Дель, А. Г. Настовьяк [и др.]. - DOI 10.21883/PJTF.2023.03.54465.19334. - Текст : непосредственный // Письма в Журнал технической физики = Pis'ma v Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. - 2023. - Т. 49, № 3. - С. 37-41.
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г.
Проверено библиотекой

5. Nastovjak A. G. Monte Carlo simulation of alternate pulsed epitaxial growth of gaas nanowires / A. G. Nastovjak, D. V. Shterental, N. L. Shwartz. – DOI 10.1002/pssb.202100641. – Text : direct // Physica Status Solidi (B). – 2022. – Vol. 259, iss. 11. – Art. 2100641 (8 p). – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Educationand Science of the Russian Federation (project no. 0242-2021-0008).
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

6. Моделирование высокотемпературных отжигов массива нанопроволок GAAS = Simulation of high-temperature annealing of GAAS nanowire array / А. Г. Настовьяк, Д. В. Штеренталь, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц. - DOI 10.29003/m3071.MMMSEC-2022/71-74. - Текст : непосредственный // Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов : материалы 4 междунар. конф., Москва, 24–26 окт. 2022 г. – Москва : МАКС Пресс, 2022. – С. 71–74. - ISBN 978-5-317-06871-4.
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

7. Моделирование отжига нанопроволок GAAS / А. Г. Настовьяк, Д. В. Штеренталь, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц. - Текст : электронный // Нанофизика и наноэлектроника : труды 26 междунар. симпозиума, Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г. – Нижний Новгород : Изд-во ННГТУ, 2022. – Т. 2. – С. 944–945. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=48209070&selid=49778179 (дата обращения: 26.12.22). - ISBN 978-5-91326-720-7. – Работа Выполнена : при поддержке программы Минобрнауки РФ (№ 0242-2021-0008).
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

8. Zhikharev P. Conditions for the Formation of Vertical Nanowires and Crystalline Clusters of GaAs during the Self-Catalyzed Growth / P. Zhikharev, A. Nastovjak, N. Shwartz ; [sci. ed. N. L. Shwart]. - DOI: 10.1109/EDM52169.2021.9507696. - Text : direct // IEEE 22 International conference of young professionals in electron devices and materials (EDM) : proc., Altai Region, 30 June – 4 July 2021. – Novosibirsk : IEEE, 2021. - P. 62-66. - 100 copy. - ISBN 978-1-6654-1498-2.
Персональные сайты авторов: Настовьяк А. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой