Список научных публикаций

1. Effect of AlN interlayer thickness on 2DEG parameters in AlGaN/AlN/GaN HEMT structures / D. D. Bashkatov, D. Y. Protasov, D. S. Milakhin [et al.]. – DOI 10.1109/EDM61683.2024.10615105. – Text : electronic // 25 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM–2024) : proc., Altai, 28 June – 2 July 2024. – IEEE, 2024. – P. 120–125. – URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/10615105 (access date: 05.09.2024). – ISBN 979-8-3503-8923-4.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю., Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

2. Effect of growth temperature of NH3-MBE grown GaN-on-Si layers on donor concentration and leakage currents / D. Protasov, D. Milakhin [et al.]. - DOI 10.1016/j.jcrysgro.2023.127459 . - Text : direct // Journal of Crystal Growth. - 2024. - Vol. 626. - Art. 127459.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

3. Influence of substrate nitridation conditions and buffer layer structures on the crack-free GaN layers on silicon substrate grown by ammonia-assisted molecular beam epitaxy / T. Malin, Y. Maidebura, D. Milakhin [et al.]. – DOI 10.1016/j.tsf.2024.140246. – Text : direct // Thin Solid Films. – 2024. –Vol. 791. – Art. 140246 (11 p.).
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

4. Tackling residual tensile stress in AlN-on-Si nucleation layers via the controlled Si(111) surface nitridation / D. Milakhin, T. Malin, V. Mansurov, D. Bashkatov [et all]. - DOI 10.1016/j.surfin.2024.104817. - Text : direct // Surfaces and Interfaces. - 2024. - Vol. 51. - Art. 104817. - This work was supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation within the state task FWGW-2022\u20130015 \u201CAmmonia molecular beam epitaxy of GaN heterostructures on silicon substrates for power and microwave transistors\u201D.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

5. Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si, выращенных методом NH3-МЛЭ = Effect of growth temperature on photoluminescence properties of NH3-MBE grown GaN-on-Si layers / И. В. Осинных, Т. В. Малин, Д. С. Милахин, К. С. Журавлев. - DOI 10.18721/JPM.171.107. - Текст : непосредственный // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки = St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. - 2024. - Т. 17, №. 1.1. - С. 43-48.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

6. Chemical kinetics of the nitridation process of silicon Si(111) substrates at different ammonia fluxes / D. D. Bashkatov, T. V. Malin, V. G. Mansurov, D. S. Milakhin ; sci. ed. D. S. Milakhin. - DOI 10.1109/EDM58354.2023.10225173. - Text : direct // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 200–204. - ISBN 979-8-3503-3687-0.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

7. Investigation of the effect of different types of SiN layers and cap-GaN on the surface electronic states of AlGaN/GaN heterostructures with 2DEG using X-ray and UV photoelectron spectroscopy / V. Mansurov, T. Malin, D. Milakhin [et al.]. – DOI 10.1016/j.apsusc.2023.158313. – Text : direct // Applied Surface Science. – 2023. – Vol. 640. – Art. 158313 (12 p.). – Работа выполнена : при поддержке Russian Federation within the framework of the state task FWGW-2022-0015.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

8. Electrophysical parameter comparison of 2DEG in AlGaN/GaN heterostructures grown by the NH3-MBE technique on sapphire and silicon substrates / T. Malin, D. Milakhin, D. Protasov, K. Zhuravlev [et. al.]. - DOI 10.1016/j.jcrysgro.2022.126669. - Text : direct // Journal of Crystal Growth. - 2022. - Vol. 588. - Art. 126669 (7 p.). - Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation as part of state assignment N?FWGW-2022-0005.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С., Протасов Д. Ю.
Проверено библиотекой

9. Evolution of the atomic and electronic structures during nitridation of the Si(111) surface under ammonia flux / V. G. Mansurov, Y. G. Galitsyn, T. V. Malin, S. A. Teys, D. S. Milakhin, K. S. Zhuravlev. - DOI 10.1016/j.apsusc.2021.151276. - Text : direct // Applied Surface Science. - 2022. - Vol. 571. - Art. 151276 (11 p.). - Работа выполнена : при поддержке RFBR and Novosibirsk region, project number 20-42-540011
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

10. Milakhin D. S. Morphology of GaN Monolayers Grown on AlN Surface During Ammonia Flow Cycling / D. S. Milakhin. - DOI 10.1109/ЭДМ55285.2022.9855073. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 29-32. - ISBN 978-1-6654-9804-3.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

11. Preparation of Silicon (111) Surface for Epitaxial Growth of III-Nitride Structures by MBE / D. D. Bashkatov, D. S. Milakhin [et. al.] ; [sci. ed. N. Shwartz]. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855155. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - 5 p. - ISBN 978-1-6654-9804-3.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

12. STM/STS Study of the Density of States and Contrast Behavior at the Boundary between (7 ? 7)N and (8 ? 8) Structures in the SiN/Si(111) System / V. Atuchin, D. Milakhin [et al.]. - DOI 10.3390/cryst12121707. - Text : electronic // Crystals. – 2022. – Vol. 12, iss. 12. – Art. 1707 (23 p.). – URL: https://www.mdpi.com/2073-4352/12/12/1707 (access date: 29.12.2022). – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation within the state task FWGW-2022-0015.
Персональные сайты авторов: Атучин В. В., Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

13. Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al2O3(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии / Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров [и др.] - DOI 10.21883/FTP.2022.08.53137.23. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников = Fizika i tekhnika poluprovodnikov. - 2022. - Т. 56, № 8. - С. 734-741.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

14. Analysis of the AlN phase transition on a sapphire surface within a universal 2D lattice gas model in MBE / D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Y. G. Galitsyn, K. S. Zhuravlev. - DOI 10.1088/1742-6596/1851/1/012005. - Text : direct // Journal of Physics: Conference Series. - 2021. - Vol. 1851 : 22 Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2020), St. Petersburg, 23-27 Nov. 2020. - Art. 012005 (7 p.). - Работа выполнена : при поддержке RFBR (Project No. 21-52-46001).
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

15. Mg3N2 nanocrystallites formation during the GaN:Mg layers growth by the NH3-MBE technique / T. V. Malin, V. G. Mansurov, Y. G. Galitsyn, D. S. Milakhin, D. Y. Protasov, B. Y. Ber, D. Y. Kazantsev, V. V. Ratnikov, M. P. Shcheglov, N. Smirnov, V. Y. Davydov, K. S. Zhuravlev // Journal of Crystal Growth. - 2021. - Vol. 554. - Art. 125963 (8p). - DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125963. - Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation as part of state assignment № 0306-2019-0008.
Персональные сайты авторов: Протасов Д. Ю., Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

16. Peculiarities of the AlN crystalline phase formation in a result of the electron-stimulated reconstruction transition (v31xv31)R±9?->(1x1) / D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Y. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, D. E. Utkin, K. S. Zhuravlev. - DOI 10.1016/j.apsusc.2020.148548. - Text : direct // Applied Surface Science. - 2021. - Vol. 541. - Art. 148548 (9 p.). - Работа выполнена : при поддержке Russian Foundation for Basic Research (Grants No. 21-52-46001 and No. 21-52-15009).
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

17. Милахин Д. С. Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии : 01.04.10 «Физика полупроводников» : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук / Д. С. Милахин ; науч. рук. К. С. Журавлев. - Новосибирск : Издательско-полиграфический центр НГУ, 2021. - 32 с.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Проверено библиотекой

18. Donor-acceptor nature of orange photoluminescence in AlN / I. A. Aleksandrov, T. V. Malin, D. S. Milakhin, B. Y. Ber, D. Y. Kazantsev, K. S. Zhuravlev. - Text : direct // Semiconductor Science and Technology. - 2020. - Vol. 35. - P. 125006 (9pp).
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Не подлежит проверке библиотекой

19. Evolution of the surface states during the in situ SiN layer formation on AlN/GaN heterostructures / K. S. Zhuravlev, V. G. Mansurov, Y. G. Galitsyn, T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. Zemlyakov. - Text : direct // Semiconductor Science and Technology. - 2020. - Vol. 35. - P. 075004 (6pp).
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Не подлежит проверке библиотекой

20. Рост нитридных гетероэпитаксиальных транзисторных структур: от эпитаксии буферных слоев до пассивации поверхности / Т. В. Малин, Д. С. Милахин, В. Г. Мансуров, А. С. Кожухов, Д. Ю. Протасов, И. Д. Лашкарев, К. С. Журавлев. - Текст : непосредственный // Автометрия. - 2020. - Том 56. - № 5.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С., Протасов Д. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

21. Donor–acceptor pair emission via defects with strong electron–phonon coupling in heavily doped AlxGa1?xN:Si layers with Al content x > 0.5 / I. V. Osinnykh, T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. F. Plyusnin, K. S. Zhuravlev. - Text : direct // Japanese Journal of Applied Physics. - 2019. - Vol. 58. - P. SCCB27.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Не подлежит проверке библиотекой

22. Electron-Stimulated Aluminum Nitride Crystalline Phase Formation on the Sapphire Surface / D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Y. G. Galitsyn, K. S. Zhuravlev. - Text : direct // Physica Status Solidi (B). - 2019. - P. 1800516.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Не подлежит проверке библиотекой

23. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN / Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. А. Зайцев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлёв. - Текст : непосредственный // Письма в Журнал технической физики = Pis'ma v Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. - 2019. - Том 45. - № 15. - С. 21-24.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С., Протасов Д. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

24. Рост гетероструктур AlGaN:Si с брэгговскими зеркалами для сине-зелёного спектрального диапазона / И. В. Осинных, Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, К. С. Журавлев. - Текст : непосредственный // Автометрия. - 2019. - Том 55. - № 5.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Не подлежит проверке библиотекой

25. Физико-химические аспекты формирования кристаллического слоя AlN на поверхности (0001)Al2O3 / В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Ю. И. Михайлов, Т. В. Малин, Д. С. Милахин, К. С. Журавлёв. - Текст : непосредственный // Химия в интересах устойчивого развития. - 2019. - Том. 27. - С. 317–322.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Не подлежит проверке библиотекой

26. Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si3N3 / Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, И. А. Александров, Н. В. Ржеуцкий, Е. В. Лебедок, Е. А. Разумец, К. С. Журавлев. - Текст : непосредственный // Физика твердого тела = Fizika tverdogo tela. - 2019. - Том 61. - № 12. - С. 2327-2332.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Не подлежит проверке библиотекой

27. Chemical kinetics and thermodynamics of the AlN crystalline phase formation on sapphire substrate in ammonia MBE / D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Y. G. Galitsyn, K. S. Zhuravlev. - Text : direct // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. - 2018. - Vol. 133. - No. 2. - PP. 1099-1107.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Не подлежит проверке библиотекой

28. Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN / Т. В. Малин, Д. С. Милахин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, В. В. Ратников, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, К. С. Журавлeв. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников = Fizika i tekhnika poluprovodnikov. - 2018. - Том 52. - № 6. - С. 643-650.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Не подлежит проверке библиотекой

29. Milakhin D. S. Chemical kinetics and thermodynamics of the aln crystalline phase formation on sapphire substrate in ammonia MBE / D. S. Milakhin ; research adviser K. S. Zhuravlev, language adviser A. A. Getman // Progress through Innovations : тез. междунар. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 30 марта 2017 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2017. – C. 213-215. - 60 экз. - ISBN 978-5-7782-3173-3.
Проверено библиотекой

30. Peculiarities of sapphire nitridation under the influence of a high-energy electron beam / D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. Mansurov, Y. Galitsin, A. Bakarov ; research adviser K. S. Zhuravlev ; language adviser A. A. Getman // Progress through Innovations : тез. науч.-практ. конф. аспирантов и магистрантов, Новосибирск, 31 марта 2016 г. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – С. 90–91. – 160 copy. – ISBN 978-5-7782-2869-6.
Персональные сайты авторов: Журавлев К. С.
Проверено библиотекой

31. Милахин Д. С. Влияние электронного пучка на процесс нитридизации сапфира / Д. С. Милахин ; науч. рук. К. С. Журавлев // Дни науки НГТУ–2015 : материалы науч. студен. конф. : (итоги науч. работы студентов за 2014–2015 гг.). – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2015. – С. 48. - 100 экз. - ISBN 978-5-7782-2729-3. – Работа поддержана РФФИ (грант № 13-02-00985).
Проверено библиотекой

32. Милахин Д. С. Нитридизация нереконструированной и реконструированной (sqrt(31)sqrt поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака = Nitridation of an unreconstructed and reconstructed (√31 ×√31)R ± 9° (0001) sapphire surface in an ammonia flow / Д. С. Милахин // Физика и техника полупроводников. - 2015. – Т. 49, № 7. – С. 925–932.
Проверено библиотекой

33. Нитридизация нереконструированной и реконструированной (v31 ? v31)R ± 9? поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака / Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, К. С. Журавлёв. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников = Fizika i tekhnika poluprovodnikov. - 2015. - Том 49. - № 7. - С. 925-931.
Персональные сайты авторов: Милахин Д. С.
Не подлежит проверке библиотекой