Список научных публикаций

1. Mantsurova S. V. Stability analyses of self-catalyzed planar GaAs nanowire growth on structured surface by Monte Carlo simulation / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. – DOI 10.1016/j.surfin.2026.108584. – Text : direct // Surfaces and Interfaces. – 2026. – Vol. 84. – Art. 108584 (11 p.). – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project N? FWGW-2025-0015).
Персональные сайты авторов: Манцурова С. В., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

2. Mantsurova S. V. Effect of Au Deposition Rate on the Gold Droplet Velocity on Si(111) and Si(011) Surfaces (Monte Carlo Simulation) / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. - DOI 10.1002/pssb.202400103. - Text : direct // Physica Status Solidi (B). - 2025. - Vol. 262, iss. 3. - Art. 2400103 (6 p.).
Персональные сайты авторов: Манцурова С. В., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

3. Mantsurova S. V. Effect of substrate orientation and catalyst droplet size on the growth direction of silicon nanowires / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. – DOI 10.3103/S8756699025700293. – Text : direct // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. – 2025. – Vol. 61, iss. 2. – P. 243–249. – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project no. FWGW-2025-0015).
Персональные сайты авторов: Манцурова С. В., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

4. Mantsurova S. V. Examination of the growth conditions influence on the planar silicon nanowire morphology by Monte Carlo simulation / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. – DOI 10.1016/j.mssp.2024.109221. – Text : direct // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2025. – Vol. 188. – Art. 109221. – Работа выполнена : при поддержке Ministry of Education and Science of the Russian Federation (project № FWGW-2022-0008).
Персональные сайты авторов: Манцурова С. В., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

5. Манцурова С. В. Влияние ориентации подложки и размера капли катализатора на направление роста кремниевых нанопроволок = Effect of substrate orientation and catalyst droplet size on the silicon nanowire growth direction / С. В. Манцурова, Н. Л. Шварц. - DOI 10.15372/AUT20250209. - Текст : непосредственный // Автометрия. - 2025. - Т. 61, № 2. - С. 76-83.
Персональные сайты авторов: Манцурова С. В., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

6. Mantsurova S. V. Gold-Assisted nanowire growth on silicon surfaces with different orientations (monte carlo simulation) / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. – DOI 10.1109/EDM61683.2024.10615133. – Text : electronic // 25 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM–2024) : proc., Altai, 28 June – 2 July 2024. – IEEE, 2024. – P. 280–285. – URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/10615133 (access date: 06.09.2024). – ISBN 979-8-3503-8923-4.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

7. Манцурова С. В. Влияние свойств структурированной поверхности подложки на морфологию планарных нанопроволок GAAS (моделирование Монте-Карло) = Influence of structured substrate surface properties on the GAAS planar nanowire morphology (Monte Carlo simulation) / С. В. Манцурова, А. А. Спирина, Н. Л. Шварц. - DOI 10.61011/FTP.2024.11.59484.20S. - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников = Fizika i tekhnika poluprovodnikov. - 2024. – Т. 58, № 11. – С. 612–619.
Персональные сайты авторов: Манцурова С. В., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

8. Mantsurova S. V. Effect of silicon surface orientation on the Au droplet motion / S. V. Mantsurova, N. L. Shwartz. - DOI 10.1016/j.surfin.2023.103193. - Text : direct // Surfaces and Interfaces. - 2023. - Vol. 41. - Art. 103193.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

9. Mantsurova S. V. Temperature influence on the Si(111) surface relief evolution during au deposition / S. V. Mantsurova, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz. – DOI 10.1109/EDM58354.2023.10225202. – Text : direct // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) : proc., Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk : IEEE, 2023. – P. 10–13. – ISBN 979-8-3503-3687-0. – Работа выполнена: supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project № 0242-2021-0008).
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

10. Kudrich S. V. Gold Drop Formation and Motion over a Si(111) Substrate: Monte Carlo Simulation / S. V. Kudrich, A. A. Spirina, N. L. Shwartz. - DOI 10.3103/S8756699022060061. - Text : direct // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. - 2022. - Vol. 58, iss. 6. - P. 608-615.
Персональные сайты авторов: Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

11. Monte Carlo Simulation of Gold Drop Formation and Movement over a Silicon Substrate / S. V. Kudrich, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz, A. A. Spirina. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855049. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 6-10. - ISBN 978-1-6654-9804-3.
Персональные сайты авторов: Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л.
Проверено библиотекой

12. Кудрич С. В. Влияние температуры на морфологию поверхности Si(111) при осаждении золота / С. В. Кудрич [С. В. Манцурова] ; науч. рук. Н. Л. Шварц. – Текст : непосредственный // Наука. Технологии. Инновации : сб. науч. тр. 16 Всерос. науч. конф. молодых ученых, Новосибирск, 5–8 дек. 2022 г. : в 11 ч. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2022. – Ч. 2. – С. 69–72. – 100 экз. – ISBN 978-5-7782-4863-2.
Проверено библиотекой