История кафедры

Кафедра полупроводниковых приборов и микроэлектроники (ППиМЭ) 

Учитывая острую потребность в инженерных кадрах в области твердотельной электроники и ходатайство руководства Новосибирского Элеткротехнического института (НЭТИ), Министерство высшего и среднего специального образования СССР приняло решение об открытии специальности "Диэлектрики и полупроводники" в Новосибирском Электротехническом институте, для чего в нем была образована кафедра "Диэлектрики и Полупроводники" (ДиП). Основателем кафедры стал доцент, к.ф.-м.н. Александр Фомич Городецкий.

Хронология названий кафедры

1960 - 1972 г.  Диэлектрики и Полупроводники (ДиП)
1972 - 1993 г.  Полупроводниковая и Квантовая Электроника (ПиКЭ) 
с 1993 г.  Полупроводниковые Приборы и Микроэлектроника (ППиМЭ)


Заведующие кафедрой

1960 - 1968 г.   -   к.ф.-м.н., доцент Александр Фомич Городецкий
1968 - 1996 г.   -   д.т.н, профессор Владимир Степанович Шадрин, Заслуженный работник НГТУ, член-корреспондент СО АН Высшей Школы
1996 - 2009 г.   -   д.т.н., профессор Виктор Алексеевич Гридчин, Заслуженный работник Высшей Школы России, член-корреспондент Международной
                             Академии Наук Высшей Школы, вице-президент Сибирского Физического Общества

2009 - 2018 г.   -   д.ф.-м.н., профессор Владимир Анатольевич Гайслер
с 2018 г.           -    к.т.н., доцент Дмитрий Иванович Остертак

Основные научные достижения кафедры

1. Исследования карбида кремния (1965 - 1980 г.)

Исследования карбида кремния (SiC) велись под руководством Галины Николаевны Гук. Карбид кремния - перспективный высокотемпературным материал, способный выдерживать температуру до +900 градусов Цельсия, сохраняя при этом свои полупроводниковые свойства. Датчики давления, создланные на кафедре из карбида кремния, могли измерять давление в экстремальных температурных условиях. В рамках этих исследований были разработаны :

1) Методики определения электрофизических параметров SiC;
2) Деформационная модель роста различных типов карбида кремния;
3) Методика определения коэффициентов пьезосопротивления SiC;
4) Технология создания контактов к SiC.

Под руководством Г.Н. Гук свои кандидатские диссертации защитили: Н.Я. Усольцева (1977 г.), В.М. Любимский (1978 г.), А.А. Колесников (1979 г.), С.В. Дорогой (1987 г.), В.Б. Зиновьев (1989 г.). В.Б. Зиновьеву и С.В. Дорогому удалось создать первый в СССР и России сенсор давления, работающий при температуре +600 градусов Цельсия. Идея формирования трехмерной структуры SiC - Si, в которой кремний играет роль конструкционного материала, опередила время на 25 лет, и в настоящее время практически все исследования в мире по этому направлению ведутся на подобных структурах.

2. Исследования высокотемпературной сверхпроводимости (с 1987 г. по настоящее время)

В 1987 г., в связи с открытием новых сверхпроводников, температура перехода которых в сверхпроводящее состояние оказалась порядка 100 К, на кафедре выделилась новая ветвь исследований, которую возглавил к.ф.-м.н., доцент Николай Илларионович Фирсов. Результатов работы двух возглавляемых им научных групп явилось создание уже в 1988 - 1989 г. сверхпроводящей керамики на основе соединения иттрия, бария, меди и кислорода, а также высокочастотного магнитометра, работающего при температуре жидкого азота. Результаты, полученные научной группой Н.И. Фирсова, были первыми в СССР и России. Разработанный магнитометр позволял определять сверхмалые магнитные поля, регистрировать магнитные поля внутренних органов человека, таких как, например, сердце.

По итогам работы в 2004 г. Н.И. Фирсов защитил докторскую диссертацию, однако вскоре его не стало. Тем не менее, научное направление, начатое им на кафедре, сохранилось. Сейчас его возглавляет к.т.н., доцент Илья Леонидович Новиков. Его область исследований - сверхпроводящие магнитометры и болометры. Исследования проводятся в тесном контакте с немецкими учеными из Leibnitz Institute fur Photonische Technologien (Jena) и Physikalisch-Technische Bundesanstalt (Braunschweig).

3. Разработки технологии полупроводниковых приборов (1968 - 1996 г.)

Усилиями Александра Фомича Городецкого, а затем и Владимира Степановича Шадрина между промышленными предприятиями электронной промышленности Новосибирска и кафедрой были подписаны хозяйственные договора, и на кафедру было передано промышленное оборудование для производства кремниевых чипов. Это позволило В.С. Шадрину сформировать научно-исследовательскую лабораторию "Планар", в составе которой была создана полноценная технологическая линия изготовления интегральных схем большого (БИС), а затем и сверхбольшого (СБИС) размера. Сотрудники лаборатории выполняли различные технологические операции, такие как фотолитография, травление, окисление, диффузия, вакуумное напыление металлизации. Основная цель работы лаборатории состояла в отработке различных технологических режимов изготовления интегральных схем, а также разработка новых технологических операций. Это была первая и долгое время единственная подобная лаборатория в СССР. Постоянными сотрудниками лаборатории были Людмила Осинцева и Надежда Ус.

Однако по мере развития на кафедре нового направления исследований в области полупроводниковой тензометрии лаборатория "Планар" все более переключалась на изготовление различных видов тензорезистивных структур, становясь в определенном смысле экспериментальным производством. На структурах, разработанных на кафедре и изготовленных в лаборатории "Планар", успешно защитили свои кандидатские диссертации В.В. Алексеев, В.В. Круглов, А.С. Бердинский, В.Ю. Кальпус, Р.А. Пирогова.

Одной из важнейших технологий, которые были отработаны в лаборатории "Планар", была технология изоляции интегральных схем и тензорезисторов при помощи p-n перехода. Эта технология подразумевает создание потенциального барьера на пути носителей заряда (электронов и дырок), препятствующего их свободному перемещению по кремниевой структуре, что предотвращает появление токов утечки, нарушающих работу интегральных схем. Так например, еще в начале 1970-х годов доцент кафедры Евгений Афанасьевич Макаров, активно исследуя транзисторы основе металла, диэлектрика и полупроводника (МДП), сумел создать высокочувствительные датчики давления в интегральном исполнении. Балансировка этих датчиков осуществлялась интегральными резисторами, созданными на том же чипе, что было в те времена новым технологическим приемом. 

В связи с развалом электронной промышленности в 1990-е годы тесные связи лаборатории "Планар" с предприятиями электронной промышленности Новосибирска и России ослабли, и с середины 1990-х годов оборудование лаборатории стало использоваться, большей частью, для учебного процесса на кафедре.

4. Разработка тензорезистивных структур с диэлектрической изоляцией (1984 - 2019).

В 1984 г. группа сотрудников кафедры ППиМЭ создала на кафедре "Прикладной и теоретической физики" (ПиТФ) НГТУ НЭТИ лебораторию "Микросистемная техника", целью которых было исследование свойству тензорезистивных структур при повышенных температурах (более +120 С). Руководителем лаборатории стал профессор Виктор Алексеевич Гридчин, который в то время руководил кафедрой ПиТФ. В состав лаборатории вошли: доцент Владимир Михайлович Любимский, доцент Александр Серафимович Бердинский, инженеры Лариса Борисовна Шурман, Сергей Владимирович Спутай, Римма Александровна Пирогова, Евгения Петровна Гридчина, Александр Прокопьевич Лисофенко, Владимир Викторович Грищенко, Владимир Александрович Мельниченко, Виктор Вячеславович Малявинский, аспирант Александр Викторович Гридчин. 

 Базовым предприятием для исследовательских работ лаборатории стало ОКБ Новосибирского завода полупроводниковых приборов. Исследования велись безо всякого финансирования, на чистом энтузиазме, при активном участии коллектива ОКБ в лице профессора, доктора химических наук Владислава Юрьевича Васильева, начальника технологической линии Александра Леонидовича Самородова, инженера-конструктора Михаила Алексеевича Мокеева. В результате в короткий срок были созданы конструкции датчиков давления и разработаны серийные технологии их изготовления. В частности, были созданы топологии КТМП-4 и КТМП-5 с применением технологии осаждения поликристаллического кремния, на их основе было налажено серийное производство таких датчиков. Эти конструкции были отмечены золотыми, серебряными и бронзовыми медалями ВДНХ СССР, а также золотыми и серебряными медалями различных выставок и салонов России.
Ряд разработок лаборатории не имел аналогов в мире. В частности, усилиями инженера Р.А. Пироговой и аспиранта А.В. Гридчина впервые в России были разработаны, созданы и исследованы тензопреобразователи на эффекте поперечной пьезоЭДС, в которых вместо традиционной мостовой схемы Уитстона из четырех тензорезисторов применялся один трех- или четырехконтактный элемент. Эти работы, выполненные независимо, с применением технологии численного компьютерного моделирования, снимали коммерческую тайну с датчиков давления, выпускавшихся корпорацией Motorola под торговой маркой X-ducer. Это привело к тому, что чувствительная схема датчиков X-ducer с 2000 г. была изменена. По итогам работы Р.А. Пирогова и А.В. Гридчин защитили кандидатские диссертации. Еще одной важной разработкой лаборатории стала разработанная технология температурной компенсации кремниевых тензопреобразователей, легшая в основу кандидатской диссертации А.С. Бердинского.

Лаборатория активно сотрудничала с производственными предприятиями и научно-исследовательскими институтами России. В частности, при участии доктора медицинских наук, профессора Бориса Васильевича Чурина был создан датчик давления катетерного типа, способный осуществлять инвазивные измерения давления в полых органах желудочно-кишечного тракта. Совместно с Бердским электромеханическим заводом, при участии профессора СО РАСХН Александра Федоровича Алейникова, были разработаны и начали выпускаться пневмотестеры для настройки доильных установок. Совместно с производственным объединением "Манотомь" (г. Томск) было налажено производство датчиков расхода жидкости для сетей водоснабжения, а также для магистральных нефтепроводов. Эти датчики были внесены в Государственный реестр измерительных средств Российской Федерации.

В 2006 г., с назначением профессора В.А. Гридчина руководителем кафедры ППиМЭ, лаборатория вышла из состава кафедры ПиТФ и вошла в состав кафедры ППиМЭ. На ее основе была создана научная школа.

Лаборатория отмечена и своей международной деятельностью. У нее имелись достаточно прочные и надежные научно-технические связи с Техническими университетами г. Кемница и г. Дрездена (Германия). В частности, доцент А.В. Гридчин, в рамках совместного гранта Германской службы академических обменов DAAD и Министерства образования и науки Российской Федерации "Михаил Ломоносов" проходил научную стажировку в этих университетах в 2005, 2006 и 2007 годах. В последние годы лаборатория, уже в составе кафедры ППиМЭ, активно вела международную деятельность, сотрудничая с Китаем. В рамках этого сотрудничества был подписан один из первых в НГТУ НЭТИ международный контракт на проведение исследований кремниевых газовых сенсоров. К сожалению, реализация контракта была сорвана в 2019 г. из-за смерти научного руководителя, профессора В.А. Гридчина.

Переход к нанотехнологиям отразился и на научной деятельности лаборатории. В частности, совместно с Институтом физики полупроводников СО РАН была предпринята попытка создания первых в России наноразмерных тензорезисторов, подвешенных над полостью, но она оказалась неудачной. Более удачной, но не завершенной попыткой следует признать исследования, выполненные по международному контракту с Китаем. Еще одной удачной, но не завершенной попыткой, стала разработка технологии проектирования сенсоров теплового потока с диэлектрической изоляцией, которую курировал старший преподаватель кафедры Олег Викторович Лобач. Еще одним важным достижением стала разработка высокотемпературного волоконно-оптического датчика давления, пригодного для измерения давления нефти в нефтяной скважине. Эта работа была положена в основу кандидатской диссертации доцента кафедры Александра Давидовича Бялика.

5. Компьютерное моделирование микросхем и микросистем (с 2004 г. по настоящее время).

Развитие вычислительной техники привело к изменению структуры и методики подготовки молодых специалистов. Теперь значительную долю в объеме подготовки занимают компьютерные методы проектирования интегральных схем и технологических процессов, а также методы моделирования физических полей и процессов. Благодаря правительственному гранту, полученному кафедрой в 2006 - 2008 гг. компьютерное обеспечение кафедры значительно улучшилось, и появились современные пакеты программ, такие как ANSYS, Sentaurus TCAD, CADENCE. Начало опыту их успешного применения для подготовки своих дипломных работ положил выпускник кафедры Алексей Владимирович Шапорин, подготовивший свою работу с применением пакета ANSYS. Однако для работы на этих программных пакетах были необходимы специалисты. В рамках этого направления на кафедру был приглашен один из ведущих специалистов в области компьютерного проектирования доцент Сергей Васильевич Калинин, который вместе с доцентом Павлом Павловичем Люмаровым, доцентом Евгением Афанасьевичем Макаровым, старшими преподавателями Николаем Владимировичем Усольцевым и Алексеем Сергеевичем Черкаевым начал большую работу по по созданию методики преподавания и подготовки специалистов, владеющих современными компьютерными технологиями.

Основными достижениями в этой области можно назвать: 

1) Проектирование и исследования четырехконтактного кремниевого тензорезистивного сенсора давления с областью растекания тока различной формы, а также тензорезистора в виде кремниевой нанопроволоки, выполненные А.В. Гридчиным в рамках кандидатской диссертации (1998 - 1999 г.) и научных стажировок в г. Дрезден и г. Кемниц (2005 - 2007 г.).

2) Тестовые структуры "Снежана", спроектированные и изготовленные для комплексного изучения тензорезистивного эффекта в кремнии. Маршрут изготовления и характеристики этих структур были полностью спроектированы на кафедре при помощи компьютерного проектирования С.В. Калининым, А.С. Черкаевым и другими специалистами под руководством проф. В.А. Гридчина.

3) Спроектированная и реализованная совместно с Институтом физики полупроводников СО РАН и АО "Новосибирский завод полупроводниковых приборов "Восток"" топология первого в России наноразмерного тензорезистивного сенсора давления на основе структур "кремний на изоляторе", полученного по технологиям SIMOX и SMART-CUT (Г.И. Камаев, М.А. Чебанов, В.Б. Зиновьев и др.)

4) Подготовленные и изданные учебные и учебно-методические пособия по моделированию нанотранзисторов в TCAD SENTAURUS (С.В. Калинин, А.С. Черкаев, В.Е. Зырянов, Е.А. Макаров) и проектированию электронной компонентной базы в ANSYS Workbench (А.В. Гридчин, В.А. Колчужин, В.А. Гридчин).

В настоящее время направление конечно-элементного моделирования успешно развивается на кафедре, готовятся и защищаются выпускные работы бакалавров и магистерские диссертации.

6. Наноэлектроника (с 2000 г. по настоящее время).

К середине 1990-х годов стало ясно, что формируется новое научно-техническое направление - наноэлектроника. Институт физики полупроводников СО РАН уже работал в этом направлении, требовалось наладить постоянный выпуск специалистов. Одним из направлений создания наноэлектроники стало активное использование молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Поэтому к началу 2000-х годов, при помощи сотрудников ФГУП НПП "Восток" (ныне АО НЗПП Восток) Александра Андреевича Величко и Владимира Александровича Илюшина (впоследствии ставших сотрудниками кафедры) на кафедру удалось получить МЛЭ-копмплекс "Ангара", на котором, после серьезной восстановительной работы, удалось начать выращивать различные структуры.

В 2006 г. НГТУ НЭТИ выиграл правительственный грант в рамках инновационно-образовательной программы "Образование", сроком на 3 года, объемом около 600 млн. рублей. Тогда было принято решение, что часть средств по гранту (около 60 млн. рублей) пойдет на техническое переоснащение лаборатории наноэлектроники кафедры ППиМЭ. В результате на кафедре возник Центр Коллективного пользования, руководителем которого стал профессор Александр Андреевич Величко. В состав научно-исследовательского комплекса лаборатории вошла установка молекулярно-лучевой эпитаксии "Катунь", изготолвленная в Институте физики полупроводников СО РАН, установка с фокусированными ионными пучками (ФИП), позволяющая производить поатомное напыление слоев различных материалов, и такое же их удаление. Кроме того, в состав комплекса вошли несколько современных атомных силовых микроскопов и спектрометров. Предполагалось, что часть исследований Института физики полупроводников СО РАН будет передана во вновь созданный центр. В состав сотрудников Центра, помимо профессора А.А. Величко, вошли доценты Владимир Александрович Илюшин и Нина Ивановна Филимонова.

В частности, сотрудниками Центра были выполнены исследования в области технологий "кремний на изоляторе", в качестве изолятора был применен дифторид кальция. Особенностью данного слоя является расстояние между соседними атомами, сходное по величине с расстоянием между атомами кремния. Это дает возможность получения слоев кремния и кремниевых структур, не имеющих встроенных механических напряжений, что весьма важно для создания современных сенсоров и микросистем.

Сотрудники Центра ведут активную научную деятельность и в настоящее время, статьи с результатами исследований постоянно публикуются в мировой научно-технической прессе. Их усилиями даже сильно устаревшее оборудование прежней лаборатории "Планар" поддерживается в работоспособном состоянии, на нем проводятся лабораторные работы. Также было опубликовано учебное пособие "Процессы нанотехнологии", посвященное технолологиям получения микро- и наноструктур.

7. Актюаторы и микросистемы с электростатическим управлением (с 2000 г. по настоящее время).

Развитие мировой сенсорной электроники к середине 1980-х голов привело к созданию устройств, способных к обратному преобразованию электрического сигнала в какие-либо не-электрические сигналы или действия. Например, часто требуется информирование человека о завершении каких-либо процессов, или о возникновении нештатной ситуации. Этот комплекс мер реализуют устройства, называемые актюаторами.

Актюаторы возникли в начале 1980-х годов, но особенный интерес к ним появился тогда, когда инженер корпорации Texas Instruments Ларри Хорнбэк построил первое торсионное микрозеркало, способное перенаправлять световые лучи в пространстве, управляя положением зеркала при помощи электростатического привода. Это привело к мощному всплеску исследований, были созданы самые различные формы актюаторов, чаще всего игравших роль оптических или СВЧ ключей. Интерес к новому направлению исследований на кафедре ППиМЭ проявился у доцента Валерия Павловича Драгунова, начальника отдела аспирантуры и докторантуры НГТУ НЭТИ. Однако в полной мере реализовать его удалось лишь с 2007 года, когда на кафедре появился аспирант Дмитрий Иванович Остертак. С новым направлением развития микросистемной техники Д.И. Остертак познакомился во время научно-технической стажировки в г. Кемнице, большую помощь в этом ему оказал выпускник кафедры ППиМЭ А.В. Шапорин, работавший в то время в Техническом университете г. Кемниц. 

В результате этого на кафедре появился учебный курс "Микроэлектромеханика", поддержанный соответствующим учебным пособием, написанным В.П. Драгуновым и Д.И. Остертаком в 2012 г. На эту тему также опубликован ряд научных статей, проиндексированных в международном индексе цитирования Web of Science. Ими были также изданы учебные пособия "Микро- и наноэлектроника" (2012) и "Специальные главы наноэлектроники" (2020). Поскольку направление, связанное с развитием актюаторов является сравнительно молодым, перспективность его не вызывает сомнений. В связи с этим на кафедре, под руководством Д.И. Остертака постоянно готовятся и успешно защищаются выпускные работы бакалавров и магистров, а также кандидатские диссертации. К числу успешных можно отнести выпускные работы К.Е. Блума, В.Ю. Доржиева и другие. Всё это позволяет говорить о возникновении на кафедре ППиМЭ научной школы по направлению "Актюаторы и микросистемы".


Филиалы кафедры

Тесное взаимодействие кафедры с предприятиями электронной промышленности г. Новосибирска и академическими институтами Сибирского Отделения РАН привело к необходимости развития сети филиалов кафедры. За период с 2000 по 2020 годы кафедрой были открыты филиалы в Институте физики полупроводников СО РАН, в Институте неогранической химии СО РАН, на Новосибирском заводе полупроводниковых приборов и в научно-производственном объединении "Восток". Деятельность этих физиалов, однако, не была необходимым образом зарегистрирована, и велась, в основном, на энтузиазме сотрудников кафедры и некоторых сотрудников выше упомянутых организаций.

Руководителем филиала в Институте физики полупроводников долгое время был член-корреспондент РАН Игорь Георгиевич Неизвестный. Техническую и информационную поддерждку филиалу оказывали в разное время сотрудники ИФП СО РАН старший научный сотрудник Наталия Львовна Шварц, доктора физико-математических наук Александр Эдуардович Климов, Георгий Леонидович Курышев, Зоя Шмеровна Яновицкая и другие. Некоторые из них являются совместителями на кафедре ППиМЭ.

В 2021 году филиал кафедры ППиМЭ в Институте физики полупроводников СО РАН был преобразован в Базовую кафедру, заведующей которой стал доцент Дмитрий Иванович Остертак.


Студенческое отделение IEEE при НГТУ НЭТИ (1999 - 2012)

В рамках вовлечения студентов кафедры ППиМЭ в международную научную деятельность, а также с целью обеспечения доступа к мировой научно-технической литературе, дефицит которой очень сильно ощущался на кафедре в конце 1990-х - начале 2000-х годов, по инициативе старшего преподавателя кафедры ПиТФ А.В. Гридчина, при поддержке декана факультета РЭФ профессора В.А. Гридчина на факультете Радиотехники и Электроники (РЭФ) НГТУ НЭТИ в марте 1999 года было открыто Студенческое отделение Американского института инженеров электротехники и радиоэлектроники IEEE, Inc. Данное отделение действовало вплоть до своего официального роспуска в 2012 году.

IEEE - это одна из крупнейших международных общественных организаций, работающих в области поддержки научных исследований в различных областях электроники и электротехники, а также в областях лазерной и ядерной физики, физики полупроводников, ультразвука и акустики, нанотехнологий, и в других областях науки и техники. Важнейшей составляющей деятельности этой организации в указанных направлениях является организация и проведение международных научных конференций, конгрессов, симпозиумов и семинаров. Ежегодно проводится более 300 различных такого рода мероприятий по всему миру.

Студенеческое отделение IEEE при НГТУ НЭТИ было создано в составе 20 студентов старших курсов факультета РЭФ по двум направлениям: "Электронные приборы" (Electron Devices) и "Твердотельная электроника" (Solid-State Electronics). Первым куратором (Counselor) этого отделения стал Александр Викторович Гридчин. В дальнейшем в составе Студенческого отделения были открыты еще 3 направления: "Медицинская электроника", "Лазеры и электронная оптика" и "Силовая электроника". С 1999 по 2012 годы оно базировалось на кафедре ППиМЭ. После роспуска в 2012 г. от Студенческого отделения осталась только группа по силовой электронике, базирующаяся на кафедре Электротехники и Электроники (ЭЭ) НГТУ НЭТИ.

В рамках деятельности Студенческого отделения в НГТУ НЭТИ организовывались и проводились открытые лекции ведущих ученых России и зарубежных стран. С 1999 по 2009 годы были проведены лекции профессора В.А. Гридчина, член-корреспондента РАН И.Г. Неизвестного, доктора физико-математических наук А. Г. Милёхина, профессора Корейского института современных науки и технологии (KAIST) Квиро Ли, научного сотрудника корпорации Texas Instruments Бетти Принц, научного сотрудника центральной исследовательской лаборатории Hitachi Ltd. Т. Кавахары. Аналогичные лекции по результатам своих исследований были проведены доцентом А.В. Гридчиным в г. Тэджон (Юж. Корея, 2001), г. Мадрид (Испания, 2004 г.), г. Ниш (Сербия, 2005 г.), г. Сидней (Австралия, 2011 г.).

С появлением Студенческого отделения в НГТУ НЭТИ, а также в другие организации г. Новосибирска стала поступать регулярная и современная научно-техническая литература по подписке. Аналогичные отделения далее были открыты в Бийском технологическом институте АлтГТУ и в г. Томске. Однако центральной задачей Студенческого отделения являлась помощь в организации и проведении семинаров и конференций различного уровня. 

Силами Студенческого отделения с 2000 г. запущена и продолжает работать по настоящее время ежегодная международная научно-техническая конференция по электронным приборам и материалам EDM. Данная конференция проводилась с 2000 по 2011 годы силами кафедры ППиМЭ, далее была передана на кафедру ЭЭ НГТУ НЭТИ. Для проведения конференции с 2008 г. привлекались средства Российского Фонда Фундаментальных Исследований (РФФИ). Сборник трудов конференции в настоящее время превышает 800 страниц. Все статьи индексируются в международном индексе цитирования Scopus.

Помимо конференции EDM, силами Студенческого отделения были запущены еще несколько проектов конференций, таких как MNST, NMST и INTERNANO (по микро- и наносистемной технике), но они не получили столь серьезного развития. 

В разные годы руководителями (Counselors) Студенческого отделения были: доцент кафедры ППиМЭ А.В. Гридчин, аспирант кафедры ППиМЭ В.А. Колчужин, ассистент кафедры ССОД НГТУ НЭТИ А.С. Яковлев. Вице-председателем Студенческого отделения в период 2000 - 2003 г. был Вадим Владимирович Некрасов (ныне - проректор НГТУ НЭТИ по международным связям).