Список научных публикаций

Выберите год:

2024

Vasilyev V. Y. A Review -CVD/PECVD/HDP-CVD/ALD thin film growth conformality and gap-fill capability in high aspect ratio semiconductor device structures: historical aspects, issues, methodology, process evaluation, prospects : [electronic preprint] / V. Y. Vasilyev. – Text : electronic // ResearchGate. – 2024. – 68 p. – URL: https://www.researchgate.net/publication/383984733_A_Review_-CVDPECVDHDP-CVDALD_thin_film_growth_conformality_and_gap-fill_capability_in_high_aspect_ratio_semiconductor_device_structures_historical_aspects_issues_methodology_process_evaluation_prospec (access date: 24.09.2024).
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

Васильев В. Ю. Конформность роста тонких пленок при осаждении методами PVD, CVD, PECVD, HDP-CVD, ALD на сложных рельефах современных микроэлектронных приборов / В. Ю. Васильев. - Текст : электронный // Кузнецовские чтения–2024 : 7 семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы : программа и тезисы докладов, Новосибирск, 5–7 фев. 2024 г. – Новосибирск : Изд-во ИНХ СО РАН, 2024. – С. 49. - URL: http://www.niic.nsc.ru/phocadownload/Conferences/2024/CVD_7_sbornik.pdf (дата обращения:08.02.2024). - 110 экз. - ISBN 978-5-90168-854-0.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

Васильев В. Ю. Эволюция GAP-FILL методов создания изолирующих областей в интегральных микросхемах тонкими пленками диоксида кремния. Ч. 1. Проблемы и хронология решений (обзор) = Evolution of gap-fill methods for creation of insulatory regions in integrated circuits using thin films of silicon dioxide. Pt. 1. Problems and chronology of solutions / В. Ю. Васильев. - DOI 10.7868/S2410993224010032. - Текст : непосредственный // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника = Electronic engineering. Series 3. Microelectronics. - 2024. –№ 1 (193). – С. 26–39.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

2023

Васильев В. Ю. Cvd/ald thin film grows conformality in high aspect ratio device structures - a review / В. Ю. Васильев. - Текст : непосредственный // Атомно-слоевое осаждение: Россия 2023 (АСО-Россия-2023) : сб. тез. докл. 4 междунар. конф., Махачкала, 15-18 сент. 2023 г. – Махачкала : Изд-во ДГУю . – С. 101–102. - 100 экз. - ISBN 978-5-9913-0279-1.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

2022

Vasilyev V. Y. Composition, structure, and functional properties of thin silicon nitride films grown by atomic layer deposition for microelectroinics applications (review of 25 years of research) / V. Y. Vasilyev. – DOI 10.1134/S0022476622070022. – Text : direct // Journal of Structural Chemistry. – 2022. – Vol. 63, iss. 7. – P. 1019–1050.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

Antonov A. A. Dual 4-A High-Speed Low-Side Gate Driver IC for GaN and Si MOSFETs and IGBTs / A. A. Antonov, M. S. Karpovich, V. Y. Vasilyev. - DOI 10.1109/EDM55285.2022.9855048. - Text : direct // IEEE 23 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky : proc., Erlagol, 30 June – 4 July 2022. - Novosibirsk : IEEE, 2022. - P. 378-382. - ISBN 978-1-6654-9804-3.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

Antonov A. A. Power-On Reset Circuit in 180-nm CMOS With Brownout Detection, Stable Switching Points, Long Reset Pulse Duration, and Resilience to Switching Noise / A. A. Antonov, M. S. Karpovich, V. Y. Vasilyev. - DOI 10.1109/TVLSI.2022.3196287. - Text : direct // IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems. - 2022. – Vol. 30, iss. 10. – P. 1373 - 1380.
Персональные сайты авторов: Карпович М. С., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

Васильев В. Ю. Особенности атомно-слоевого осаждения и свойств тонких слоев диоксида и нитрида кремния для применения в микроэлектронике / В. Ю. Васильев. – DOI 10.34077/SILICON2022-44 . – Текст : непосредственный // Кремний–2022 : тез. докл. 14 междунар. конф. и 13 шк. молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Новосибирск, 26–30 сент. 2022 г. – Москва : Перо, 2022. – С. 44. – ISBN 978-5-00204-492-4.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

Васильев В. Ю. Состав, структура и функциональные свойства тонких пленок нитрида кремния, выращенных атомно-слоевым осаждением для применений в микроэлектронике / В. Ю. Васильев. - Текст : непосредственный // Кузнецовские чтения-2022 : 6 семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы : программа и тезисы докладов, Новосибирск, 11–13 июля 2022 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2022. – С. 46. - 120 экз. - ISBN 978-5-90168-849-6.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

10.

Васильев В. Ю. Состав, структура и функциональные свойства тонких пленок нитрида кремния, выращенных атомно-слоевым осаждением для применений в микроэлектронике (обзор 25 лет исследований) / В. Ю. Васильев. – DOI 10.26902/JSC_id93866. – Текст : непосредственный // Журнал структурной химии = Zhurnal strukturnoi khimii. – 2022. – Т. 63, № 7. – № 93866 (35 с.).
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

2021

11.

Vasilyev V. Y. Features of atomic layer deposition of silicon dioxide thin films / V. Y. Vasilyev. - Текст : электронный // Атомно-слоевое осаждение: Россия, 2021 (АСО-Россия-2021) = Atomic Layer Deposition Russia 2021 (ALD Russia 2021) : сб. тез. докл. 3 междунар. семинара, Санкт-Петербург, 27–30 сент. 2021 г. – Санкт-Петербург, 2021. – С. 79–80. - URL: http://technolog.edu.ru/aldrussia/book_of_abstracts.pdf (дата обращения: 15.10.2021).
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

12.

Antonov A. Power-On Reset IC Module with Brownout Detection and Fast Transients Immunity / A. Antonov, M. Karpovich, V. Y. Vasilyev. - DOI 10.1109/APEIE52976.2021.9647518. - Text : direct // Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2021) : proc. of the 15 intern. sci. and techn. conf., Novosibirsk, 19–21 Nov. 2021. – Novosibirsk : Publ. NSTU, 2021. – P. 273-277. - ISBN 978-1-6654-3408-9.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

13.

Vasilyev V. Y. Review—Atomic layer deposition of silicon dioxide thin films / V. Y. Vasilyev. – DOI 10.1149/2162-8777/abffab. – Text : direct // ECS Journal of Solid State Science and Technology. – 2021. – Vol. 10, № 5. – Art. 053004 (39 p.).
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

14.

Васильев В. Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 4. Температурные зависимости скоростей осаждения и плотности пленок = Atomic layer deposition of silicon dioxide thin films for micro- and nanoelectronics. Part 4. Temperature dependencies of deposition rates and fi densities / В. Ю. Васильев. – Текст : непосредственный // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника = Electronic engineering. Series 3. Microelectronics. – 2021. – № 1 (181). – С. 18–26.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

15.

Васильев В. Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Часть 5. Особенности роста пленок в соответствии с моделями гидроксила на кремнеземе = Atomic layer deposition of silicon dioxide thin films for micro- and nanoelectronics. Part 5. Film growth in light of the models of surface hydroxyl on silica / В. Ю. Васильев. – Текст : непосредственный // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника = Electronic engineering. Series 3. Microelectronics. – 2021. – № 2 (182). – С. 10–16.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

2020

16.

Vasilyev V. Y. Review—mechanical stress in chemically vapor phase deposited boron- and phosphorus-contained silicate glass thin films: a review / V. Y. Vasilyev, G. Kittilsland // ECS Journal of Solid State Science and Technology. - 2020. - Vol. 9, № 4. - Art. 043003. - DOI: 10.1149/2162-8777/ab8d93.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

17.

Васильев В. Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Ч. 3. Процессы с азотсодержащими предшественниками = Atomic layer deposition of silicon dioxide thin films for micro- and nanoelectronics. Pt. 3. Processes with nitorgen-containing precursors / В. Ю. Васильев // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника = Electronic engineering. Series 3. Microelectronics. - 2020. – № 1 (177). – С. 19–30. - DOI: 10.7868/S2410993220010030.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

18.

Васильев В. Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок нитрида кремния и диоксида кремния (обзор литературных данных) / В. Ю. Васильев // Кузнецовские чтения–2020 : 5 семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы : прогр. и тез. докл., Новосибирск, 3–5 февр. 2020 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2020. – С. 24. - ISBN 978-5-90168-845-8.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

19.

Васильев В. Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких слоев нитрида кремния для микро- и наноэлектроники = Atomic layer deposition of silicon nitride thin films for micro- and nanoelectronics / В. Ю. Васильев // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника = Electronic engineering. Series 3. Microelectronics. - 2020. – № 1 (177). – С. 31–41. - DOI: 10.7868/S2410993220010042.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

20.

Васильев В. Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро- и наноструктурах. Часть 1. Проблематика и методология оценки роста слоев на рельефах = Conformaliity of thin layers growth on relief micro- and nanostructures. Part 1. Issues and methodology for evaluation of layer growth on reliefs / В. Ю. Васильев // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника = Electronic engineering. Series 3. Microelectronics. - 2020. – № 2 (178). – С. 16–25. - DOI: 10.7868/S2410993220020037.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

21. Васильев В. Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро и наноструктурах. Часть 2. Процессы химического осаждения из газовой фазы = Conformaliity of thin layers growth on relief micro- and nanostructures. Part 2. Thin film growth conformality for CVD processes in flow-type reactors / В. Ю. Васильев // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника = Electronic engineering. Series 3. Microelectronics. - 2020. – № 3 (179). – С. 16–25. - DOI: 10.7868/S2410993220030033.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

22. Васильев В. Ю. Конформность роста тонких слоев из газовой фазы на рельефных микро и наноструктурах. Часть 3. Процессы атомно-слоевого осаждения = Conformaliity of thin layers growth on relief of micro- and nanostructures. Part 3. Thin film growth conformality for ALD processes / В. Ю. Васильев // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника = Electronic engineering. Series 3. Microelectronics. - 2020. – № 3 (179). – С. 26–37. - DOI: 10.7868/S2410993220030045.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

2019

23.

Cherepanov A. A. An evaluation of SiGe HBT operation at cryogenic temperatures [Electronic resource] / A. A. Cherepanov, I. L. Novikov, V. Y. Vasilyev // 20 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2019 : conf. proc., Altai Republic, Erlagol, 29 June – 3 July, 2019. – IEEE, 2019. – P. 23-27. - Mode of access: https://ieeexplore.ieee.org/document/8823464/authors#authors. - Title from screen - ISBN 978-1-7281-1753-9. - DOI: 10.1109/EDM.2019.8823464.
Персональные сайты авторов: Новиков И. Л., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

24.

Vasilyev V. Y. Estimating the interrelation between the rate of atomic layer deposition of thin platinum-group metal films and the molecular mass of reactant precursors / V. Y. Vasilyev // Russian Microelectronics. - 2019. - Vol. 48, iss. 4. - P. 208-219. - DOI: 10.1134/S1063739719040103.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

25.

Васильев В. Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Ч. 1. Постановка задач, методология осаждения пленок = Atomic layer deposition of silicon dioxide thin films for micro- and nanoelectronics. Pt. 1. Tasks, Methodology For Film Deposition / В. Ю. Васильев // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника = Electronic engineering. Series 3. Microelectronics. - 2019. – № 4 (176). – С. 45–53.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

26.

Васильев В. Ю. Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида кремния для микро- и наноэлектроники. Ч. 2. Процессы с силанами, цианатами, хлорсиланами, кислородсодержащими реагентами = Atomic layer deposition of silicon dioxide thin films for micro- and nanoelectronics. Pt. 2. Deposition with silanes, cyanates, chlorosilanes, oxygen-contained precursors / В. Ю. Васильев // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника = Electronic engineering. Series 3. Microelectronics. - 2019. – № 4 (176). – С. 54–64.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

27.

Васильев В. Ю. О методологии оценки конформности атомно-слоевого осаждения тонких пленок в высокоаспектных наноструктурах = The quantification of thin film atomic layer deposition conformality in high aspect ratio nanostructures / В. Ю. Васильев // Наноиндустрия = Nanoindustriya. - 2019. - Т. 12, № 3-4. - С. 194-204 - DOI: 10.22184/1993-8578.2019.12.3-4.194.204.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

28.

Васильев В. Ю. Оценка взаимосвязи скорости атомно-слоевого осаждения тонких пленок металлов платиновой группы и молекулярной массы реагентов-предшественников / В. Ю. Васильев // Микроэлектроника = Mikroelektronika. - 2019. – Т. 48, № 4. – С. 249–262. - DOI: 10.1134/S0544126919040100.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

29.

Черепанов А. А. Считывающая электроника для СКВИД-магнитометров постоянного тока. Ч. 2. Системы считывания и их ограничения = Read-out electronics for dc-squid magnetometers. Pt 2. Read-out systems and their limitations / А. А. Черепанов, И. Л. Новиков, В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique = Nano- i mikrosistemnaya tekhnika. - 2019. - №4. - С. 231-246 - DOI: 10.17587/nmst.21.231-246 .
Персональные сайты авторов: Новиков И. Л., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

30.

Черепанов А. А. Считывающая электроника для СКВИД-магнитометров постоянного тока. Часть 1. Магнитометры постоянного тока и их ограничения = Read-Out Electronics for dc-SQUID Magnetometers. Part 1. Dc Magnetometers and their Limitations / А. А. Черепанов, И. Л. Новиков, В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique = Nano- i mikrosistemnaya tekhnika. - 2019. – Т. 21, № 1. – С. 40–51. - DOI: 10.17587/nmst.21.40-51.
Персональные сайты авторов: Новиков И. Л., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

31.

Черепанов А. А. Считывающая электроника для СКВИД-магнитометров постоянного тока. Часть 3. Полупроводниковая криогенная электроника = Read-out electronics for dc-SQUID magnetometers. Part 3. Semiconductor cryogenic electronics / А. А. Черепанов, И. Л. Новиков, В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique = Nano- i mikrosistemnaya tekhnika. - 2019. – Т. 21, № 5. – С. 298–309. - DOI: 10.17587/nmst.21.298-309.
Персональные сайты авторов: Новиков И. Л., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

32.

Васильев В. Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 6. Каталитическое осаждение в проточных реакторах = Silicon Nitride Thin Film Deposition for Microelectronics and Microsystem Technologies. Part 6. Catalytic Processes in the Flow Type Reactors / В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique = Nano- i mikrosistemnaya tekhnika. - 2019. – Т. 21, № 1. – С. 3–13. - DOI: 10.17587/nmst.21.3-13.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

33.

Васильев В. Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 7. Обобщение информации по методам осаждения и особенностям пленок = Silicon nitride thin film deposition for microelectronics and microsystem technologies. Part 7. Summary on the deposition methods and basic film features / В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique = Nano- i mikrosistemnaya tekhnika. - 2019. – Т. 21, № 3. – С. 131–142. - DOI: 10.17587/nmst.21.131-142.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

34.

Васильев В. Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Часть 8. Влияние водорода в пленках на их свойства = Silicon nitride thin film deposition for microelectronics and microsystem technologies. Part 8. Hydrogen influence on basic film properties / В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique = Nano- i mikrosistemnaya tekhnika. - 2019. – Т. 21, № 6. – С. 352–367. - DOI: 10.17587/nmst.21.352-367.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

2018

35. Antonov А. А. A ZVS/ZCS hybrid driver integrated circuit in 250 nm BCD technology for energy-efficient switch mode power supply units / А. А. Antonov, I. V. Pichugin, I. K. Surin, V. Y. Vasilyev ; [sci. ed. V. Y. Vasilyev] // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 1, ч. 6. – С. 52-57. - 45 экз. - ISBN (NSTU) 978-5-7782-3614-1
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

36. Cherepanov A. A. An evaluation of CMOS inverter operation under cryogenic conditions / A. A. Cherepanov, I. L. Novikov, V. Y. Vasilyev // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 40-43. - ISBN 978-153865021-9. - DOI: 10.1109/EDM.2018.8435038.
Персональные сайты авторов: Новиков И. Л., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

37. Antonov A. A. An interface model of the interconnection between integrated circuit chip die and printed circuit board / A. A. Antonov, I. K. Surin ; [sci. ed. V. Y. Vasiliev] // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 225-230. - ISBN 978-153865021-9. - DOI: 10.1109/EDM.2018.8434983 .
Проверено библиотекой

38. Cherepanov А. А. Test Chip Development for Evaluation of 180 nm SiGe Integrated Circuit Technology Operation under Cryogenic Conditions / А. А. Cherepanov, V. Y. Vasilyev ; [sci. ed. V. Y. Vasilyev] // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2018) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2018) : тр. 14 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 2–6 окт. 2018 г. : в 8 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2018. – Т. 1, ч. 1. - С. 32-35. - 45 экз. - ISBN(NSTU) 978-5-7782-3614-1.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

39.

Васильев В. Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 1. Термически активированные процессы в проточных реакторах = Silicon Nitride Thin Film Deposition for Microelectronics and Microsystem Technologies. Part 1. Processes in Flow Reactors with Thermal Activation / В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique = Nano- i mikrosistemnaya tekhnika. - 2018. - Т. 20, № 5. - С. 287-296. - DOI: 10.17587/nmst.20.287-296.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

40.

Васильев В. Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 3. Плазмоактивированные процессы в проточных реакторах = Silicon nitride thin film technologies for microelectronics and microsystem technologies. Part 3. Plasma activated processes in the flow reactors / В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique = Nano- i mikrosistemnaya tekhnika. - 2018. – Т. 20, № 9. – С. 542–554. - DOI: 10.17587/nmst.20.542-554.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

41.

Васильев В. Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 4. Процессы в проточных реакторах с активацией плазмой высокой плотности = Silicon nitride thin film deposition for microelectronics and microsystem technologies. Part 4. Processes in the flow reactors with high-density plasma activation / В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique = Nano- i mikrosistemnaya tekhnika. - 2018. – Т. 20, № 10. – С. 585–595. - DOI: 10.17587/nmst.20.585-595 .
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

42.

Васильев В. Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч. 5. Плазмоактивированные процессы в реакторах циклического действия = Silicon nitride thin film deposition for microelectronics and microsystem technologies. Part 5. Plasma-activated processes in the cycle-type reactors / В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique = Nano- i mikrosistemnaya tekhnika. - 2018. – Т. 20, № 11. – С. 659–675. - DOI: 10.17587/nmst.20.659-675 .
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

43.

Васильев В. Ю. Технологии получения тонких пленок нитрида кремния для микроэлектроники и микросистемной техники. Ч.2. Термически-активированные процессы в реакторах циклического действия = Silicon Nitride Thin Film Deposition for Microelectronics and Microsystem Technologies. Part 2. Processes in Cycle-Type Reactors with Thermal Activation / В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique = Nano- i mikrosistemnaya tekhnika. - 2018. – Т. 20, № 6. – С. 329–339. - DOI: 10.17587/nmst.20.329-339.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

44. Surin I. K. 1.58 GHz low noise amplifier design and verification in 130 nm CMOS Technology / I. K. Surin, A. A. Antonov ; [sci. ed. V. Y. Vasiliev] // The 19 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2018 : proc., Erlagol, Altai, 29 June – 3 July 2018. – IEEE Computer Society, 2018. – P. 231-234. - ISBN 978-153865021-9. - DOI: 10.1109/EDM.2018.8434941.
Проверено библиотекой

2017

45.

Vasilyev V. Y. Comparative analysis of platinum group metals thin films ALD/CVD features / V. Y. Vasilyev // Atomic layer deposition (ALD Russia–2017) : book of abstr., 2 intern. workshop, Saint-Petersburg, 24–30 Sept. 2017. – Saint-Petersburg : SPSIT, 2017. – P. 62.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

46. Cherepanov A. A. Integrated low noise amplifiers for cryogenic applications / A. A. Cherepanov, V. Y. Vasilyev // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 142-145. - ISBN 978-1-5090-6687-2.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

47.

Vasilyev V. Y. Structure, composition, and electrical resistance of thin ruthenium metallic layers obtained by pulsed chemical vapor deposition / V. Y. Vasilyev // Journal of Structural Chemistry. - 2017. - Vol. 58, № 8. - P. 1538-1545. - DOI: 10.1134/S0022476617080091.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

48. Time domain and ZCS approximation in tristable digital buffer amplifiers engineering for power converters / A. A. Antonov, M. S. Karpovich, I. V. Pichugin, V. A. Ryzhkov, V. Y. Vasilyev // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 537-540. - ISBN 978-1-5090-6687-2.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

49. Surin I. K. Wide temperature range low drop output units realized with 250 nm 40 V BCD technology / I. K. Surin, V. A. Ryzhkov, V. Y. Vasilyev // The 18 International conference on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2017 : proc., Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2017. – Novosibirsk : NSTU, 2017. – P. 477-480. - ISBN 978-1-5090-6687-2.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

50.

Васильев В. Ю. Механические напряжения в тонких пленках силикатных стекол, полученных химическим осаждением из газовой фазы / В. Ю. Васильев // Кузнецовские чтения-2017 : 4 семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы : программа и тез. докл., Новосибирск, 1–3 февр. 2017 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2017. – С. 56.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

51.

Антонов А. А. Разработка интегральных микросхем по высоковольтным субмикронным технологиям для силовой электроники / А. А. Антонов, В. Ю. Васильев, Ю. Н. Попов // Наноиндустрия. - 2017. – Спецвып. (74). – С. 265–274.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

52.

Васильев В. Ю. Структура, состав и проводимость тонких слоев металлического рутения, полученных импульсным осаждением из газовой фазы / В. Ю. Васильев // Кузнецовские чтения-2017 : 4 семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы : программа и тез. докл., Новосибирск, 1–3 февр. 2017 г. – Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2017. – С. 71.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

53.

Васильев В. Ю. Структура, состав и электрическое сопротивление тонких слоев металлического рутения, полученных импульсным осаждением из газовой фазы = Structure, composition, and electrical resistance of thin ruthenium metallic layers obtained by pulsed chemical vapor deposition / В. Ю. Васильев // Журнал структурной химии = Zhurnal strukturnoi khimii. - 2017. – Т. 58, № 8. – С. 1589–1596. - DOI: 10.26902/JSC20170809.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

2016

54. Active output rectifier controller IC in 250 nm BCD technology for high-efficiency power converters / V. A. Ryzhkov, A. A. Antonov, M. S. Karpovich, V. Y. Vasilyev // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016 : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 611-616. - ISBN 978-5-94301-628-8. - DOI: 10.1109/EDM.2016.7538808.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

55. Electrostatic discharge protection in 250 nm BCD technology for multi-functional control integrated circuits for power converters / M. C. Karpovich, V. D. Lys, К. Е. Blum, V. Y. Vasilyev // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016 : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 456-461. - ISBN 978-5-94301-628-8.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

56. High-voltage low drop output voltage regulator with output current fold-back protection in 250 nm BCD technology / V. A. Ryzhkov, M. S. Karpovich, I. K. Surin, V. Y. Vasilyev // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016 : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 549-554. - ISBN 978-5-94301-628-8.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

57. “In silicon” verification of multi-functional control integrated circuits in 250 nm BCD technology for high-efficiency power converters / A. A. Antonov, M. S. Karpovich, I. V. Pichugin, V. Y. Vasilyev // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2016) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2016) : тр. 13 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 3–6 окт. 2016 г. : в 12 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – Т. 1, ч. 3. – С. 83-87. - 60 экз. - ISBN 978-5-7782-2991-4.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

58. Model of wideband RF short-distance locator / A. A. Cherepanov, V. V. Perov, A. A. Drozdov, Y. M. Ivanov ; sci. ed. V. Y. Vasilyev // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016 : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 201-204. - ISBN 978-5-94301-628-8.
Проверено библиотекой

59. Multi-functional control integrated circuits in 250 nm BCD technology for high-efficiency power converters / А. A. Antonov, M. S. Karpovich, I. V. Pichugin, V. Y. Vasilyev // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016 : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 411-416. - ISBN 978-5-94301-628-8.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

60. Cherepanov A. A. Test Submicron Integrated Circuit for Wideband RF Short-Distance Locator with Noise Modulation / A. A. Cherepanov, V. D. Lys ; sci. ed. V. Y. Vasilyev // The 17 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM 2016 : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2016. – Novosibirsk : NSTU, 2016. – P. 205-209. - ISBN 978-5-94301-628-8.
Проверено библиотекой

61. Verification «In Silicon» of the active output rectifier controller IC in 250 nm BCD technology for highefficiency power converters / V. A. Ryzhkov, A. A. Antonov, M. S. Karpovich, I. K. Surin, V. Y. Vasilyev // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2016) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2016) : тр. 13 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 3–6 окт. 2016 г. : в 12 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – Т. 1, ч. 3. – С. 41-45. - 60 экз. - ISBN 978-5-7782-2991-4.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

62. Верификация интегральной микросхемы контроллера синхронного выпрямления для источников вторичного электропитания / В. А. Рыжков, А. А. Антонов, М. С. Карпович, И. К. Сурин, В. Ю. Васильев // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2016) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2016) : тр. 13 междунар. науч.-техн. конф., Новосибирск, 3–6 окт. 2016 г. : в 12 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2016. – Т. 10. – С. 55–60. - 500 экз. - ISBN 978-5-7782-2991-4, 978-5-7782-3001-9 (т. 10).
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

63. Антонов А. А. Разработка интегральных микросхем по высоковольтным субмикронным технологиям для силовой электроники / А. А. Антонов, В. Ю. Васильев, Ю. Н. Попов // Микроэлектроника-2016 : междунар. форум ; Интегральные схемы и микроэлектронные модули : 2 науч. конф., Крым, Алушта, 26–30 сент. 2016 г. – Москва : Техносфера, 2016. – C. 220–225. - 300 экз.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

64. Васильев В. Ю. Сверхтонкие пленки металлов платиновой группы для применения в нано- и микротехнологиях = Ultra-Thin Metal Films of the Platinum Group for Application in Nanoand Micro-Technologies / В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique. - 2016. – Т. 18, № 7. – С. 454–464.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

65. Васильев В. Ю. Тренды развития технологий и производства компонентов и узлов микросистемной техники = Trends in Development of the Technologies and Production of the Micro System Components / В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique. - 2016. – Т. 18, № 7. – С. 403–415.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

2015

66. A Study of regularities in formation of the island-type 3D structures during anisotropic etching of Si (100) in agueous KOH / A. S. Chernov, M. A. Chebanov, V. A. Gridchin, V. Y. Vasilyev // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique. - 2015. - № 9 (182). - С. 38–40.
Персональные сайты авторов: Чебанов М. А., Гридчин В. А., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

67. A study of 3D boss structure formation in anisotropic etching of Si (100) in aqueous KOH / A. S. Chernov, M. A. Chebanov, V. A. Gridchin, V. Y. Vasilyev, A. D. Byalik // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 83-86. - ISBN 978-1-4673-6718-9. - DOI: 10.1109/EDM.2015.7184494.
Персональные сайты авторов: Чебанов М. А., Гридчин В. А., Васильев В. Ю., Бялик А. Д.
Проверено библиотекой

68.

Chemical vapour deposition of Ir-based coatings:chemistry, processes and applications / V. Y. Vasilyev, N. B. Morozova, T. V. Basova, I. K. Igumenov, A. Hassan // RSC Advances. - 2015. - Iss. 41. - P. 32034-32063. - DOI: 10.1039/C5RA03566J
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

69. Designing and verification of integrated circuit driver for power transistor operation in AC/DC power supply units in zero voltage switching mode / A. A. Antonov, М. S. Karpovich, I. V. Pichugin, V. Y. Vasilyev, V. A. Gridchin // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 371-374. - ISBN 978-1-4673-6718-9. - DOI: 10.1109/EDM.2015.7184565.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю., Гридчин В. А.
Проверено библиотекой

70. Development and Experimental Verification of the Driver Integrated Circuit for Power Key Soft-Switching in Power Converters / A. A. Antonov, M. S. Karpovich, I. V. Pichugin, V. Y. Vasilyev // Нано- и микросистемная техника = Journal of Nano- and Microsystem Technique. - 2015. - № 9 (182). - С. 62–64.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

71. Vasilyev V. Y. Evaluation of low temperature teos-ozone silicon dioxide thin film cvd under sub-atmospheric pressure using consecutively pulsed reactant injection / V. Y. Vasilyev // ECS Journal of Solid State Science and Technology. - 2015. - Vol. 4, iss.1. - P. N3164-N3167. - DOI: 10.1149/2.0241501jss
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

72. Karpovich M. S. In/out pad electrostatic discharge protection for sub-micron integrated circuits based on lateral bipolar transistor / M. S. Karpovich, I. V. Pichugin, V. Y. Vasilyev // 16 International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM) : [proc.], Altai, Erlagol, 29 June – 3 July 2015. – IEEE, 2015. – P. 100-103. - ISBN 978-1-4673-6718-9. - DOI: 10.1109/EDM.20157184499.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

73. Исследование закономерностей формирования 3D островковых структур Si(100) при травлении в водном растворе КОН / А. С. Чернов, М. А. Чебанов, В. А. Гридчин, В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника. - 2015. – № 9 (182). – С. 34–38.
Персональные сайты авторов: Чебанов М. А., Гридчин В. А., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

74. Разработка и верификация интегральной микросхемы драйвера «мягкой» коммутации силовых ключей для мощных источников электропитания / А. А. Антонов, А. И. Карпович, И. В. Пичугин, В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника. - 2015. – № 9 (182). – С. 57–61.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

75. Экспериментальное исследование осевой составляющей диаграммы направленности излучения многомодового оптоволокна = Experimental study of the axial component of the radiation pattern of multimode fiber / А. Д. Бялик, В. А. Гридчин, В. Ю. Васильев, А. Н. Игнатов , А. С. Чернов // Вестник СибГУТИ (Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики). - 2015. – № 2. – С. 191–197. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках реализации НИР «Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных приборов нового поколения (кремниевый фотоэлектрический датчик давления)» (ГК №14.430.12.0005).
Персональные сайты авторов: Бялик А. Д., Гридчин В. А., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

2014

76. Application of finite element models for design of high-precision MEMS pressure sensors / V. A. Gridchin, M. A. Chebanov, V. B. Zinov`Ev, V. Y. Vasilyev // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2014) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2014) : тр. 12 междунар. конф., Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 1. – С. 11–16. – 250 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2506-0.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Чебанов М. А., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

77.

Vasilyev V. Y. Chemical vapour-phase deposition of ruthenium-containing thin films / V. Y. Vasilyev, N. B. Morozova, I. K. Igumenov // Russian Chemical Reviews. - 2014. - Vol. 83, iss. 8. - P. 758-782. - DOI: 10.1070/RC2014v083n08ABEH004402.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

78. Driver test chip development for power transistor management in ac/dc power supply units in zero voltage switching mode / A. A. Antonov, M. S. Karpovich, V. Y. Vasilyev, V. A. Gridchin // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2014) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2014) : тр. 12 междунар. конф., Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 1. – С. 800-803. – 250 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2506-0.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю., Гридчин В. А.
Проверено библиотекой

79. Integrated circuit test chip for power transistor operation in AC/DC power supply units in zero voltage switching mode / A. A. Antonov, M. S. Karpovich, Y. D. Kozlyaev, Y. D. Semenov, V. Y. Vasilyev // The 15 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 2014) : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2014. – Novosibirsk : IEEE, 2014. – P. 419-423. – 125 copes. – ISBN 978-5-7782-2457-5.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

80. Интегральная микросхема драйвера "мягкой" коммутации силовых ключей для мощных источников электропитания / А. А. Антонов, М. С. Карпович, И. В. Пичугин, А. А. Курленко, В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника. – 2014. – № 6. – С. 37–42.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

81.

Васильев В. Ю. Осаждение рутений содержащих тонких пленок из газовой фазы / В. Ю. Васильев, Н. Б. Морозова, И. К. Игуменов // Успехи химии. - 2014. – Т. 83, № 8. – С. 758–782.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

82. Применение конечно-элементных моделей для высокоточных МЭМС сенсоров давления / В. А. Гридчин, М. А. Чебанов, В. Б. Зиновьев, В. Ю. Васильев // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП–2014) = Actual problems of electronic instrument engineering (APEIE–2014) : тр. 12 междунар. конф., Новосибирск, 2–4 окт. 2014 г. : в 7 т. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 2. – С. 13-18. – 100 экз. – ISBN 978-1-4799-6019-4, ISBN 978-5-7782-2507-7.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Чебанов М. А., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

83. Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 5. Исследование макета преобразователя постоянного напряжения / В. Ю. Васильев, А. А. Антонов, И. В. Пичугин, Ю. Д. Козляев, Ю. Е. Семенов // Вестник СибГУТИ (Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики). - 2014. – № 1. – С. 64–74.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

84.

Васильев В. Ю. Тренды развития методов химического осаждения из газовой фазы тонкопленочных материалов для прецизионных технологий / В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. – № 9. – С. 37–44.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

85. Численное моделирование элементов фотоэлектрического волоконно-оптического сенсора давления / В. А. Гридчин, В. Ю. Васильев, М. А. Чебанов, А. Д. Бялик, А. С. Чернов // Нано- и микросистемная техника. - 2014. – № 6. – С. 3–7.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Васильев В. Ю., Чебанов М. А., Бялик А. Д.
Проверено библиотекой

86. 2D Modeling of photoelectric part of silicon pressure sensor / A. S. Chernov, M. A. Chebanov, A. D. Byalik, V. A. Gridchin, V. Y. Vasilyev // The 15 international conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM 2014) : proc., Altai, Erlagol, 30 June – 4 July 2014. – Novosibirsk : IEEE, 2014. – P. 67-71. – 125 copes. – ISBN 978-5-7782-2457-5. - DOI: 10.1109/EDM.2014.6882479.
Персональные сайты авторов: Чебанов М. А., Бялик А. Д., Гридчин В. А., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

2013

87. Гридчин В. А. Влияние термических деформаций на температурную стабильность характеристик кремниевых резонансных сенсоров давления / В. А. Гридчин, М. А. Чебанов, В. Ю. Васильев // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 3. - С. 41-44.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

88. Васильев В. Ю. Низкотемпературное импульсное газофазное осаждение тонких слоев металлического рутения для микро- и наноэлектроники. Часть 6. Состав слоев рутения / В. Ю. Васильев, S. H. Chung, Y. W. Song // Микроэлектроника. - 2013. - Т. 42, № 1. - С. 62-75.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

89. Васильев В. Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 5. Обобщённая методология анализа закономерностей процессов роста тонких слоёв / В. Ю. Васильев // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. - 2012. - Вып. 2 (229). - С. 48-63.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

90.

Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 2. Анализ схемотехнических решений источников питания1 / В. Ю. Васильев, А. А. Антонов, И. В. Пичугин, С. М. Гордиенко // Вестник СибГУТИ (Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики). - 2013. - № 1. - С. 75-84.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

91.

Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 3. Разработка макета силового модуля источника питания 1 / А. В. Марков, В. Ю. Васильев, А. А. Антонов, И. В. Пичугин // Вестник СибГУТИ (Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики). - 2013. – № 2 (22). – С. 75–85.
Персональные сайты авторов: Марков А. В., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

2012

92. Гридчин В. А. The influence of thermal strains on the characteristics of resonant pressure sensor thermal stability / В. А. Гридчин, М. А. Чебанов, В. Ю. Васильев // 11. Chemnitzer Fachtagung Mikromechanik & Mikroelektronik 23./24. Oktober 2012 S4.3.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Чебанов М. А., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

93. Источник вторичного электропитания для радиоэлектронной аппаратуры, выполненный по технологии «мягкой коммутации» ключей / В. Ю. Васильев, И. В. Пичугин, Ю. Д. Козляев, Ю. Е. Семенов, С. М. Гордиенко, В. В. Фомин // Успехи современной радиоэлектроники. - 2012. - № 11. - С. 63-70.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

94. Топякова М. В. Коррекция Субмикронных многоуровневых интегральных микросхем с помощью электронно-ионного микроскопа / М. В. Топякова, В. Ю. Васильев, А. А. Величко // Сб. тр. междунар. науч. конф. Электронная техника и технологии. - Харьков. - 2012, Т. 2. - С. 42.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю., Величко А. А.
Проверено библиотекой

95. Гридчин В. А. Моделирование влияния конструктивно-технологических параметров на характеристики кремниевых резонансных сенсоров давления / В. А. Гридчин, М. А. Чебанов, В. Ю. Васильев // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2012. – № 2 (94). – C. 61–66.
Персональные сайты авторов: Гридчин В. А., Чебанов М. А., Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

96. Васильев В. Ю. Низкотемпературное импульсное газофазное осаждение тонких слоев металлического рутения для микро- и наноэлектроники. Часть 6. Состав слоев рутения / В. Ю. Васильев, S.H. Chung, Y.W. Song // Микроэлектроника. - 2012. - Т. 41. - № 5. - С.1-17.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

97. Васильев В. Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 3. Закономерности роста слоев в промышленных реакторах / В. Ю. Васильев // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. - 2011. - Вып. 2(227). - С. 24-36.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

98. Васильев В. Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Часть 4. Обобщенная методология анализа закономерностей процессов роста тонких слоев / В. Ю. Васильев // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. - 2012. - Вып. 1(228). - С. 3-18.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

99. Разработка источников вторичного электропитания, реализованных с использованием технологии «мягкой» коммутации ключей. Часть 1. Анализ информационных материалов и образцов источников питания / В. Ю. Васильев, Ю. Д. Козляев, И. В. Пичугин, Ю. Е. Семёнов, С. М. Гордиенко, А. А. Антонов // Вестник СибГУТИ (Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики). - 2012. - № 3. - С. 86-97.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Проверено библиотекой

2011

100. Васильев В. Ю. Низкотемпературное импульсное газофазное осаждение тонких слоев металлического рутения для микро- и наноэлектроники. Ч. 4. Структура и основные свойства слоев рутения / В. Ю. Васильев // Микроэлектроника. – 2011. – Т. 40, № 4. – С. 300–308.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

101. Васильев В. Ю. Низкотемпературное импульсное газофазное осаждение тонких слоев металлического рутения для микро- и наноэлектроники. Ч. 5. Взаимосвязь закономерностей роста, структуры и свойств слоев рутения / В. Ю. Васильев // Микроэлектроника. – 2011. – Т. 40, № 6. – С. 441–452.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

102. Васильев В. Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоев из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Ч. 2. Аппаратура и методология осаждения слоев / В. Ю. Васильев // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 2011. – Вып. 1 (226). – С. – 51–66.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

103. Проектирование сложнофункционального блока видеодекодера для субмикронных интегральных микросхем типа «система на кристалле» / П.С. Хабаров , Д.Л. Шлемин, В.Д. Лысь, Ю.П.. Лебедев, В. Ю. Васильев, И Др. // Успехи современной радиоэлектроники. Зарубежная радиоэлектроника. – 2011. – № 7. – С. 54–59.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

104. Проектирование сложнофункциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы видеодекодера. Ч. 1. Конструкция и топология микросхемы / П.С. Хабаров, Д.Л. Шлемин, В.Д. Лысь, Ю.П. Лебедев, В. Ю. Васильев, И Др. // Вестник СибГУТИ. – 2011. – № 2. – С. 23–34.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

105. Проектирование сложнофункциональных блоков смешанного сигнала на основе субмикронной технологии на примере микросхемы видеодекодера. Ч. 2. Верификация микросхемы «на кремнии» / П.С. Хабаров, Д.Л. Шлемин, В.Д. Лысь , Ю.П. Лебедев, В. Ю. Васильев, И Др. // Вестник СибГУТИ. – 2011. – № 3. – С. 3–13.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

106. Васильев В. Ю. Разработка процессов CVD для современных электронных технологий / В. Ю. Васильев // Второй семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы. Новосибирск: ИНХ СО РАН, 14–16 июня 2011. - С. 60.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

2010

107. Васильев В. Ю. Eguipment and Methodology Aspects of Nano-Thick Film Growth by Consecutive Gas Pulsed Chemical Vapor Deposition Teechnigue at Low Temperatures / В. Ю. Васильев, Y. W. Song // 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings EDM`2010, June 30 – July 4, Erlagol, 2010, р. 9-17.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

108. Васильев В. Ю. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ ИМПУЛЬСНОЕ ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ СЛОЕВ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО РУТЕНИЯ ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ. ЧАСТЬ 2. КИНЕТИКА РОСТА СЛОЕВ РУТЕНИЯ / В. Ю. Васильев // МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, 2010, том 39, № 3, с. 219–229.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

109. Васильев В. Ю. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ ИМПУЛЬСНОЕ ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ СЛОЕВ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО РУТЕНИЯ ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ. ЧАСТЬ 3. НУКЛЕАЦИОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ ПРИ РОСТЕ СЛОЕВ РУТЕНИЯ / В. Ю. Васильев // МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, 2010, том 39, № 4, с. 1–11.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

110. Васильев В. Ю. Низкотемпературное импульсное газофазное осаждение тонких слоев металлического рутения для микро- и наноэлектроники. Часть 1. Оборудование и методология импульсного осаждения / В. Ю. Васильев // Микроэлектроника, 2010, Т. 39, № 1, с. 28-37.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

111. Васильев В. Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоев из газовой фазы для микросистем с технологическими нормами 0.35-0.18 мкм. Часть 1. Основные тенденции развития методов / В. Ю. Васильев // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 2010, В.1,С.67-82.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

2009

112. Васильев В. Ю. Features of Thin Film CVD Processes Used in IC Device Technology / В. Ю. Васильев // 10 th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices Proceedings: EDM’2009, Erlagol, Altai – July 1-6, 2009, с. 104-111.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

113. Васильев В. Ю. Properties of thermally annealed ruthenium thin films grown on seed layers in low temperature selective deposition region / В. Ю. Васильев, К.П. Могильников, Й-В Сонг // Current Applied Physics, 2009, v.9, 148-151.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

114. Васильев В. Ю. Ruthenium Thin Film Growth under Low Temperature Pulsed CVD Conditions Using Carbonyl-Diene Precursor / В. Ю. Васильев // INT. SCHOOL AND SEMINAR INTERNANO`2009, TABLE OF CONTENTS, OCT. 28-31, NSTU, NOVOSIBIRSK, RUSSIA, p. 78-80.
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

2005

115. Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы / В. Ю. Васильев, С. М. С.М. Репинский // Успехи химии.- Т. 74, №5
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой

116. Васильев В. Ю. Тонкие слои борофосфоросиликатного стекла в технологии кремниевой микроэлектроники. Строение стекол и их применение в технологии / В. Ю. Васильев // Микроэлектроника. - Т. 34, № 2
Персональные сайты авторов: Васильев В. Ю.
Не подлежит проверке библиотекой